|
Главная | Контакты: Факс: 8 (495) 911-69-65 | | ||
Излучения падающегопрошедшего излучения отраженного излучения собственного излучения Прочие В тех случаях, когда необходима высокая чувствительность и разрешающая способность выявления дефектов, могут быть рекомендованы оптические методы, основанные на регистрации светового или инфракрасного излучения, отраженного или прошедшего через исследуемую среду [37]. Однако большинство типов пластмасс и стеклопластиков являются непрозрачными или слабопрозрачными для светового и инфракрасного диапазона. Данные материалы являются рассеивающими средами, что существенно усложняет задачу. В последнее время достигнуты большие успехи в области теории рассеяния, основанной на решении уравнений переноса, описывающих распространение световой или инфракрасной радиации в рассеивающей среде. При некоторой вполне определенной толщине отражателя наступает так называемое явление насыщения, при котором, несмотря на дальнейший рост толщины отражателя, интенсивность отраженного излучения, а следовательного, и ток, создаваемый в ионизационной камере, остаются постоянными. Интенсивность бета-излучения, отраженного от основного материала, зависит от его атомного номера и может быть выражена следующим образом: где Iomp\потоки отраженного излучения, Iomp2\соответствующие материалам с атомными номерами; кратных отражений от обеих поверхностей пластины (рис. 58) интенсивность излучения, отраженного в направлении приемника, может быть представлена следующим образом: Такие измерители [8, 18, 113] состоят из источника излучения (лазера), оптического устройства-интерферометра, формирующего сигнал измерительной информации, а также, как и другие измерители, включают в себя электронное устройство обработки и индикации результатов измерения. Для устранения влияния излучения, отраженного от интерферометра обратно в лазер, на его характеристики в таких измерителях предусмотрена оптическая развязка резонатора лазера и интерферометра, которая обычно осуществляется поляризационными элементами или путем разнесения мест деления и наложения интерферирующих пучков. Чувствительность к направлению изменения оптической длины почти у всех приборов достигается построением схем с двумя интерференционными картинами, сдвинутыми друг относительно друга на четверть интерференционной полосы. где Q2co6 — поток собственного излучения второго тела. Поток излучения, отраженного от тела 2, так же как и у первого тела, состоит из двух частей: отраженного излучения отраженного излучения отраженного излучения 10-4. Определить, какую долю излучения, падающего от абсолютно черного источника, будет отражать поверхность полированного алюминия при температуре ^=250° С, если известно, что при этой температуре излучательная способность поверхности Е= = 170 Вт/м2. Температура источника черного излучения равна температуре поверхности алюминия. Импульс светового излучения большой интенсивности вырабатывается лазером в виде параллельного пучка лучей (рис. 176). Оптическая система О фокусирует на поверхность отливки D излучение лазера в пятно требуемых размеров d. Плотность мощности излучения, падающего на поверхность, достаточно высока, чтобы вызвать плавление огнеупорного материала или сварку отливки и детали. к-ром лучистая энергия от к.-л. источника с помощью системы отражателей фокусируется на площадку (обычно диам. 1-30 мм, а в крупных печах - до 350 мм), в результате чего на ней может быть достигнута темп-ра 1000-5000 °С. О.п. применяют для исследования физ.-хим. свойств материалов при высоких темп-pax и влияние интенсивных лучистых потоков на материалы, для плавки в особо чистых условиях, сварки и пайки тугоплавких материалов, выращивания монокристаллов, рафинирования цветных металлов и т.д. К О.п. относятся также солнечные печи. ОПТИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ - мера непрозрачности в-ва, равная десятичному логарифму отношения потока излучения, падающего на слой в-ва, к потоку прошедшего излучения, ослабленного в результате поглощения и рассеяния, т.е. величины, обратной пропускания коэффициенту т: ?>=1д(1/т). на ед. площади освещаемой поверх-= d*g/dS, где йФ — поток излучения, падающего на малый элемент поверхности площадью dS. В Междунар. системе единиц (СИ) О. э. выражается в Вт/м2. Вместо термина «О. э.» вводится термин «облучённость». Некоторые устройства, которые предназначены для исследования объектов с целью обнаружения возможных дефектов при помощи сканирующего пучка излучения оптического диапазона, основаны на поглощении материалами объекта излучения ИК-диапазона оптического спектра. Лучистый поток от источника ИК-излуче-ний, например СО2-лазера, зеркальной сканирующей системой направляется на исследуемый объект. Зеркальная система содержит два зеркала, сканирующих в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. Часть излучения, падающего на объект, поглощается и соответствующим образом увеличивает его температуру. При увеличении температуры объект излучает энергию в соответствии с законом Стефана— Больцмана. Если поверхность образца .не имеет дефектов, то все его участки за один промежуток времени излучают одинаковое количество энергии. При наличии дефекта различные уча- ; стки объекта излучают различное количество энергии. Для контроля и измерения излучательной способности различных участков объекта используется ИК-приемная система. Для устранения возможных ошибок измерений диапазон работы приемной ИК-системы отличен от диапазона излучения, падающего на объект. Узкий (коллимированный) пучок тормозного или у-излучения сканирует по контролируемому объекту, последовательно просвечивая все его участки (рис. 1). Излучение, прошедшее через контролируемый участок, регистрируется детектором, далее преобразуется в электрический сигнал, пропорциональный интенсивности (плотности потока) излучения, падающего на детектор. Электрический сигнал через усилитель поступает на регистрирующее устройство. В качестве выходных регистрирующих устройств обычно применяют миллиамперметр, механический счетчик отдельных импульсов, осциллограф, самопишущий потенциометр и т. д. При наличии дефектов в материале (пустота) регистрирующее устройство отмечает возрастание интенсивности (потока) излучения. Наличие дефектов может отмечаться отклонением стрелки прибора, записью на самопишущем приборе, срабатыванием реле, приводящего в действие исполнительный механизм, который отмечает на изделии дефектные участки, и т. д. Источник излучения и детектор устанавливают с противоположных сторон (работа в прямом пучке) контролируемого объекта и одновременно передвигают параллельно поверхности просвечиваемого материала и все время на одинаковом расстоянии от нее. Иногда сканируют контролируемое изделие при неподвижном источнике излучения и детекторе. Плотность потока излучения, падающего в точку Mi площадки тела i со всех поверхностей /г=1, . . ., п системы, представится суммой интегралов: Таким образом, вместо конечной системы алгеб-раических уравнений (17-89) получена конечная система интегральных уравнений, число которых соответствует числу выделенных элементарных зон на ' FJ каждой поверхности системы, что позволяет найти распределение местных потоков падающего излучения. Первое слагаемое определяет долю интенсивности падающего излучения /г=о, проходящего путь от 0 до /; второй член — интенсивность собственного излучения, возникающего на всем протяжении элементов среды длиной dl' и переданного от V до /, где О^'/'^/, a dl" лежит на отрезке /—V. здесь sXc и Rlc—спектральные степень черноты и отражательная способность стенки; 1ос = Е0с/п — спектральная интенсивность излучения абсолютно черного тела при температуре стенки; /Пад=?пад/я— то же для потока излучения, падающего на стенку. Рекомендуем ознакомиться: Исследований процессов Избыточных электронов Избыточными карбидами Избыточной концентрации Избыточное количество Избыточную температуру Избежание гидравлических Избежание налипания Избежание образования Избежание перенапряжения Избежание повреждения Исследований разработаны Избежание выкрашивания Избежание уменьшения Избежание замерзания |