Изменение рассеивания

Изменение характера обтекания цилиндра при переходе от невязкой к вязкой жидкости влечет за собой существенное изменение распределения давления текущей жидкости на поверхность цилиндра.

боры, в которых электроды ЭП, выполненные в виде плоскопараллельного конденсатора, закреплены неподвижно. Изменение толщины измеряемой пластины или ленты, находящейся между электродами ЭП, вызывает изменение распределения толщины компонентов двухслойного плоского конденсатора и, следовательно, изменение емкости ЭП (см. схему 1, табл. 3). По такой схеме построены, например, бесконтактные толщиномеры целлюлозы и картона фирмы П. Липке (ФРГ) (рис. 10) с разрешающей способностью по толщине 1 мкм.

Рис. 8-4. Изменение распределения температуры при движении жидкости в трубе.

Рис. 3-14. Изменение распределения температур по сечению и длине при движении жидкости в трубе.

Рис. 3-14. Изменение распределения температур по сечению и длине при движении жидкости в трубе.

Рис. 8-7. Изменение распределения температуры в стенке регенератора за период охлаждения.

Если эффективная прочность упрочнителя в композите снижается в результате реакции на поверхности раздела, то дальнейшим объектом исследования должно служить изменение распределения прочности отдельных волокон. Розен [31] показал, что предел прочности композита зависит и от среднего значения, и от коэффициента вариации прочности волокон. Он пришел к выводу» что при одинаковой средней прочности волокон распределение с большим коэффициентом вариации отвечает большей прочности; композита. Иными словами, коэффициент вариации в определенной степени характеризует способность более прочных волокон принимать на себя нагрузку, высвобождаемую при разрушении:; более слабых волокон. Кроме того, увеличение коэффициента вариации может привести к росту энергии разрушения, поскольку увеличивается вероятность того, что дефектное место волокна перед развивающейся трещиной удалено от плоскости трещины.. Эта ситуация приводит либо к отклонению трещины в направлении места потенциального разрушения следующего волокна, либо к: вытягиванию волокна из матрицы; в обоих случаях энергия разрушения растет. Таким образом, характер влияния реакции между матрицей и волокном на механические свойства зависит как от среднего значения, так и от коэффициента вариации прочности волокон по завершении реакции.

Соответствующее изменение распределения напряжений в композите показано на рис. 6, характеризующем зависимость внутренних напряжений от степени деформации композита. Пока композит находится в упругой области, поперечные напряжения очень малы по сравнению с осевыми, но с развитием пластического течения они быстро растут, достигая 40% величины осевых напряжений в матрице.

На практике не всегда так ясно определимы различные виды разрушения. Композиты могут разрушаться в результате комби-* нации механизмов, особенно если матрица может стать хрупкой под влиянием локального напряженного состояния. В указанных моделях единственной функцией матрицы является создание барьера для распространения трещины, а статистические результаты применимы только к прочности хрупкой составляющей. В действительности матрица может нести часть нагрузки и может влиять на величину пика напряжений в композите вследствие ее способности к пластической деформации. Растрескивание частиц не может быть независимым, так как разрушенная частица может сильно влиять на изменение распределения напряжений в ее окрестности и, следовательно, трещины не могут распределяться случайно. Влияние концентрации локальной деформации вследствие разрыва волокна в волокнистом композите обсуждено в [3] в связи со статистическими моделями Гюсера — Гурланда и Розе-на, приведенными в [36, 37, 77]. Связанная с ними проблема образования больших критических трещин проанализирована статистическими методами в [56].

До настоящего времени взаимное влияние этих двух механизмов эволюции структуры (изменение дефектной структуры кристаллической решетки и изменение распределения атомов разных химических элементов) в ходе отжига деформированных сплавов и интерметаллидов изучено недостаточно. Несомненно, что исследование их взаимного влияния, так же как и исследование взаимосвязи между структурными изменениями и изменениями свойств, займет важное место в дальнейших исследованиях, направленных как на понимание фундаментальных процессов, протекающих при отжиге материалов, подвергнутых ИПД, так и на исследование термостабильности субмикрокристаллических материалов при их промышленном применении.

Применение М.а.м. значительно расширило исследования процессов диффузии, сделав возможным непосредственное определение параметров самодиффузии, т. е. перемещения атомов элементов в собственной кристаллич. решетке без изменения концентрации. Этим методом определяется самодиффузия свинца, олова, серебра, золота, меди, железа, кобальта, никеля, хрома, молибдена, тантала, вольфрама и др. Методы определения диффузионных хар-к на основе применения меченых атомов могут быть разбиты на 2 группы. Методом деления исследуется изменение распределения радиоактивных веществ в образце в результате диффузионного отжига. Абсорбционным методом определяется уменьшение излучения, вызванного проникновением радиоактивных веществ в глубь образца. Важной хар-кой процесса диффузии является энергия активации этого процесса, к-рая в чистых металлах характеризует в определенной степени прочность междуатомной связи в кристаллич. решетке.Обычно принимается, что чем больше энергия активации процессов самодиффузии и диффузии, тем выше жаропрочность металла. Напр., энергия активации самодиффузии тугоплавких металлов, как показало исследование радиоактивными изотопами, весьма значительна. Для тантала, молибдена и вольфрама она равна соответственно 110 000, 115 000 и 135 000

Устройства голографической дефектоскопии. Изменение микроструктуры поверхности контролируемых изделий в результате пластической деформации, а значит и изменение рассеивания света поверхностью может быть использовано для обнаружения раннего

Четвертым будет случай, когда имеет место неравномерное смещение центра группирования и неравномерное изменение рассеивания, т. е. функции а(^) и b(t) имеют нелинейный характер. Аналитическое выражение законов распределения представлено формулами (12) и (13).

Составляющие мгновенного рассеивания, например при токарной обработке, определяются колебанием размеров и свойств заготовок, случайными перемещениями узлов станка, погрешностями базирования и рядом других факторов. Часть этих составляющих' изменяется с течением времени, обусловливая изменение рассеивания функции b(t),

Поэтому наиболее полное представление о ходе производственного процесса изготовления детали с точки зрения оценки точности процесса получается из диаграмм, характеризующих изменение положения центра группирования отклонений и изменение рассеивания отклонений во времени.

изошло смещение центра группирования (или изменение рассеивания или, наконец, изменение закона распределения), могущее привести к браку, и процесс должен быть остановлен для поднастройки оборудования или для устранения иной причины нарушения нормального хода.

Диаграммы для характеристики рассеивания (R или о„) не всегда применяются, так как изменение рассеивания в данном случае неизбежно сказывается и на изменении х*, но они, однако, полезны для лучшего распознавания причин изменения х.

расхождении между эмпирическими групповыми средними квадратическими указывают на малую вероятность случайного получения таких расхождений, характер систематического изменения рассеивания во времени может быть установлен приёмами, аналогичными описанным выше для установления характера смещения центра группирования, а именно по скользящим средним квадратическим отклонениям и по способу наименьших квадратов. Особенность первого приёма заключается здесь в том, что после вычисления хг в „скользящих группах" вычисляются тем же порядком вг. Полученные значения наносятся на график в последовательном порядке как функция времени t. Если действительное изменение рассеивания плавное (без скачков и без малых периодических колебаний), то график скользящих средних квадратических при надлежащем подборе величины „скользящей группы" (числа ns] хорошо представляет функцию b (t).

Распределения с функцией b (t) встречаются при автоматическое изготовлении деталей, при технических измерениях и т. д., например при обработке деталей на станках-автоматах, когда за время изготовления партии имеется значительное изменение рассеивания мгновенного распределения, обусловленное затуплением режущего инструмента, нестабильностью режима обработки, изменением механических свойств и размеров заготовки и т. п.

В этом случае имеется изменение рассеивания по синусоидальному закону с амплитудой 1Ь = Ksacp в пределах одного или не-

Влияние каждого из исходных факторов (по линии дисперсий) обусловлено, во-первых, скоростью изменения функции с изменением фактора, характеризуемого коэффициентом регрессии, и, во-вторых, пределами рассеивания фактора. Изменение рассеивания исходных факторов скажется на перераспределении коэффициентов влияния (квадратов коэффициентов корреляции) этих факторов.

Устройства голографической дефектоскопии. Изменение микроструктуры поверхности контролируемых изделий в результате пластической деформации, а значит, и изменение рассеивания света поверхностью может быть использовано для обнаружения раннего периода структурных изменений. Метод голографической интерферометрии можно использовать для контроля качества изделий и выявления скрытых дефектов. Так, например, голографическая интерферометрия используется для выявления незначительных дефектов внутри автомобильной шины. Этот метод основан на двух последовательных экспозициях автомобильной покрышки, первой в нормальном состоянии и второй слегка нагретой горячим воздухом. Метод позволяет обнаруживать участки некачественной склейки резиновых слоев на глубине в 20 слоев от поверхности шины. Сконструирована голо-графическая установка для контроля качества швов в