Идеальных переключателях

имеют собственную электропроводность. Поскольку удельное сопротивление идеальных кристаллов зависит только от температуры, величина его служит характеристикой полупроводниковых материалов и является собственным сопротивлением полупроводниковых материалов. Так, при 300° К для Si ps = 636 ом-м, а для Ge рс = 0,470 ом-м.

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату: их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет в своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. При классификации дефектов были выделены [29]:

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату: их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет в своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. При классификации дефектов были выделены [29]:

Простейшим типом кристаллической решетки является кубическая решетка. Встречаются также решетки в виде объемно-центрированного куба, гранецентрированного куба, гексагональная плотно-упакованная решетка и другие. Кристаллические решетки для большинства элементов приведены на рис. 2-1 по данным [Л. 34]. Металлические элементы находятся левее черной жирной линии. Теория идеальных кристаллов позволяет объяснить многие структурно-нечувствительные объемные свойства кристаллической решетки: плотность, диэлектрическую проницаемость, удельную теплоемкость, упругие свойства. Большинство кристаллов металлов (кроме марганца и ртути) имеют кубическую объемно-центрированную и гексагональную плотноупакованную решетки. Важным параметром решетки является длина ребра куба. Так, у хрома она равна

§ 1.3. СТРУКТУРА ИДЕАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ

§ 1.3. Структура идеальных кристаллов............. 12

Пересечение кристалла скользящей дислокацией приводит к сдвигу на величину вектора Бюргерса (рис. 1.5, а—в). Для перемещения дислокации в плоскости скольжения достаточно небольших напряжений (в металлах порядка 10~4 модуля сдвига). В силу этого сдвиговая прочность реальных кристаллов, содержащих дислокации, на несколько порядков ниже сдвиговой прочности идеальных кристаллов.

Изложенные выше данные свидетельствуют о необычайно высокой прочности чистых бездефектных кристаллов. Прочность, измеренная на нитевидных кристаллах, приближается к теоретической прочности идеальных кристаллов, определяемой межатомными силами связи. Для железа эта прочность находится на уровне 1350—1500 кГ/мм2 и в 60—80 раз превышает прочность обычного технического железа.

В целом выполненные к сегодняшнему дню работы [73—119] по квантовохимическому описанию Ш-нитридов дают обширную информацию о детальных особенностях их электронного строения и составляют надежную основу для анализа изменения свойств идеальных кристаллов в присутствии разнообразных дефектов, присущих материалам, создаваемым на основе Ill-нитридов. Указанные вопросы будут рассмотрены в главе 2.

Одной из первых попыток оценить энергетический эффект формирования "смешанных" (вюртцит/сфалерит) нитридов А1, Ga, In явились расчеты [26] в рамках одномерной модели типа Изинга [27], где энергетические параметры заимствовались из зонных расчетов идеальных кристаллов (глава 1).

Первые попытки изучения схемы электронных состояний кристаллического SiO2 были предприняты более 20 лет назад [8, 9]. Как правило, в ранних работах [8—22] использовались приближенные зонные или кластерные модели и рассматривалась одна кристаллическая фаза (в основном, сс-кварц) диоксида кремния. Количественные данные, составляющие основу современных представленных об электронных свойствах ПМ SiO2, явились результатом применения достаточно строгих неэмпирических схем расчетов [23—51], где наряду с описанием зонного спектра идеальных кристаллов большое внимание уделено исследованиям локальных электронных характеристик SiO2 (в модели молекулярных кластеров [34—36]), а также численным оценкам структурных состояний диоксида методами молекулярной динамики [37—44].

Глава 3. Алгоритмы исследования резервирования без восстановления при идеальных переключателях ..... 151

Глава 4. Алгоритмы исследования резервирования без восстановления при неидеальных переключателях .... 222

152 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. 3

154 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. 3

156 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. Л

Рис. 3.6. Структура системы с общим резервированием с целой кратностью при идеальных переключателях для п — 5 и т = 2.

158 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. 3

надежности резервированных систем, отмеченных в §3.1, конструкцию алгоритма исследования надежности системы с общим резервированием с целой кратностью при идеальных переключателях и с нагруженным резервом представим в виде подробной блок-схемы, изображенной на рис. 3.8.

162 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. 3

Формула (3.6) есть стохастический алгоритм системы, изображенной на рис. 3.6, при ненагруженном резерве. Тогда алгоритм исследования надежности системы с общим резервированием с целой кратностью при идеальных переключателях и с ненагруженным резервом может быть изображен в виде подробной блок-схемы на рис. 3.10.

166 РЕЗЕРВИРОВАНИЕ ПРИ ИДЕАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ [ГЛ. 3

Рекомендуем ознакомиться:

Индукционной термообработки

Используя соотношение

Используя указанные

Используемых элементов

Используемых измерительных

Используемого источника

Используем соотношение

Используется достаточно

Меню:

Главная страница Термины