Интегральных микросхем

2) проводят комплекс геофизических исследований, включающий оценку технического состояния обсадных колонн и цементного камня существующими методами, а также с помощью усовершенствованных и новых методов контроля, среди которых: электромагнитная дефектоскопия скважин для оценки крупных областей износа металла и обнаружения коррозии; скважинная гамма-дефектоскопия-толщинометрия для определения интегральных характеристик толщины стенки колонны и распределения цементного камня по периметру; акустическая каротажная цементометрия для оценки качества цементажа и динамики сцепления; радиационный каротаж (гамма-каро-таж, нейтронно-гамма-каротаж, нейтронно-нейтронный каротаж толщиномер) для обнаружения техногенных скоплений газа за обсадной колонной; микрокавернометрия для обнаружения внутренней коррозии обсадной колонны;

В видимой области спектра применяют систему световых единиц, соответствующую зрительному ощущению лучистых потоков с учетом спектральной чувствительности глаза. Единицей светового потока является люмен (1 лм = 1/683 Вт для Я = 0,55 мкм), сила света измеряется в канделах (кд), освещенность Е — в люксах (лк), яркость — кд/м2 (1 кд = 1 лм/ср, 1 лк = 1 лм/м2). Сведения о приборах для измерения спектральных и интегральных характеристик ОИ (люксметры, фотометры, яркомеры, ко-герометры, поляриметры, монохрома-торы, спектрофотометры, колориметры и др.) приведены в [1].

Представлены подробные сведения по локальным, интегральным и турбулентным характеристикам внутренних закрученных потоков в цилиндрических, сужающихся и расширяющихся каналах при различных граничных и геометрических условиях. Приведены законы трения, тепло-и массообмена, уравнения для расчета основных локальных и интегральных характеристик закрученного потока.

В книге в систематизированной форме представлены результаты комплексного исследования гидродинамики, тепло- и мас-сообмена в осесимметричных каналах при местной закрутке потока. Предложены физически обоснованные методы расчета локальных и интегральных характеристик тепло-, массообмена и трения при разнообразных условиях, обладающие достаточной степенью универсальности. Приведены подробные результаты исследования полей скоростей и давлений, интенсивности пульсаций, корреляций, локального тепло- и массообмена в цилиндрических, сужающихся и расширяющихся каналах. Исследован широкий диапазон изменения граничных и геометрических условий однозначности (вдув через проницаемую стенку, частичная закрутка на входе, диафрагмирование выходного сечения и т.д.).

Обоснованы универсальные свойства интегрального параметра закрутки как критерия гидромеханического подобия внутренних закрученных потоков. С использованием этого параметра обобщены практически все результаты исследований, представленные в периодической печати. Получены универсальные зависимости для расчета локальных и интегральных характеристик закрученного потока в осесимметричных каналах, пригодные для произвольных способов и законов местной закрутки

В настоящем параграфе представлены результаты определения интегральных характеристик закрученного потока по экспериментам в трубе длиной 150 диаметров при течении воздуха [58]. Основные параметры лопаточных завихрителей указаны в табл. 1.1. Для обобщения привлечены опытные данные других авторов; в этом случае интегральные характеристики определялись численным интегрированием полей скоростей, представленных в этих работах.

Анализ интегральных характеристик — потока момента количества движения М, осевой проекции потока количества движе: ния Кх и параметра закрутки Ф^, найденных по результатам исследования структуры потока, показал, что их зависимость от относительной длины практически одинакова для всех испытанных значений модуля сопла. Изменение интегральных характеристик потока по длине сужающегося Канала описывается зависимостями

(9.14) описывают изменение интенсивности закрутки потока Ф» и числа Re* * по длине цилиндрического канала. Зная эти две характеристики, далее можно вычислить ряд локальных и интегральных характеристик закрученного потока.

Протекающие в материале процессы в случае эксплуатационных разрушений могут протекать не в строгом соответствии с диаграммами или картами Эшби. Это обусловлено существованием критических условий по масштабному уровню протекания процесса эволюции открытых систем в соответствии с принципами синергетики [43-46]. При различном сочетании одновременно действующих нескольких факторов в результате эффекта их суммарного воздействия, взаимного влияния друг на друга может измениться критическая величина используемого (одного) параметра, который применяется для определения границы смены механизма разрушения. Многофакторная оценка поведения материала при различном сочетании параметров внешнего воздействия подразумевает комплексное изучение границ перехода от одних протекаемых процессов разрушения материала к другим с использованием интегральных характеристик эволюции поведения материала и рельефа излома в оценке условий его нагружения в эксплуатации.

Влияние остаточных микронапряжений проявляется при измерении или определении микромеханическими методами интегральных характеристик однонаправленных композитов. Напряжения этого типа исследованы в томе серии посвященном микромеханике этих материалов. Здесь рассмотрены макронапряжения.

связей по поверхностям раздела фаз и других видов разрушения. При динамическом нагружении область применимости теории эффективных модулей несколько ограничена даже при определении интегральных характеристик, таких, например, как частота колебаний; этот вопрос Обсуждается в разд. III.

Одним из путей автоматизации сборки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является использование ленты-носителя, служащей не только транспортирующим элементом, но и основой конструкции прибора. Примером использования такой схемы может служить автоматизированная линия (рис. 10.49, а—з), где применение с частичным полосчатым золочением дало возможность производить пайку кристаллов непосредственно на ленту, не применяя дополнительных таблеток

13. Как осуществляют закрепление кристаллов и присоединение выводов в элементах интегральных микросхем?

МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ аппаратуры (от микро... и миниатюризация) — методы значит, уменьшения массы и габаритных размеров электронной аппаратуры путём уменьшения размеров её отд. элементов, рационального конструирования и технологии изготовления, применения интегральных микросхем и др. Необходимость М. вызвана быстрым ростом габаритных размеров и массы аппаратуры в связи с усложнением её ф-ций.

Для теплового контроля интегральных микросхем, транзисторов, катодных узлов выпущена серия микрорадиометров ИКР-3, ИКР-4, ИКР-5. Перемещение осуществляется с помощью двухкоординатного микрометрического столика, визуальный контроль — с помощью встроенного микроскопа, Все приборы этого типа имеют двух-зеркальный объектив, используется модуляция излучения. Объектив обеспечивает увеличение от X10 до Х40, при этом достигается линейное разрешение 60—20 мкм, температурное разрешение 0,5—3°С. В усилительном устройстве обеспечена линейная зависимость выходного напряжения от измеряемой температуры, что позволяет измерять температуру изделий.

Электрическая схема прибора реализована на современной элементной базе (с применением интегральных микросхем). Наличие выходных согласующих устройств позволяет использовать прибор для проведения исследований с применением осциллографа, графопостроителей, а также дает возможность подключения ЭВМ. Прибор укомплектован накладным и проходным преобразователями.

В интегральной электронике МДП-структуры широко используются для создания транзисторов и на их основе различных интегральных микросхем. На рис. 8.36 показана принципиальная схема МДП-траизистора с изолированным затвором. Транзистор состоит из кристалла кремния (например, п-типа), у поверхности которого методами фотолитографии, диффузии (или ионной имплантации) формируются р-области, как показано на рис. 8.36, а. Одна из этих областей называется истоком, другая — стоком. Сверху эти области покрываются пленками металла (обычно алюминия). Промежуток между этими областями также покрывается пленкой металла, изолированной от поверхности кристалла слоем окисла. Этот электрод транзистора называют затвором. На границе между р- и я-областями возникают два р — я-перехода—истоковый и стоковый, которые на рис. 8.36, а показаны штриховкой.

Прибор УС-10И выполнен как базовый прибор агрегатного комплекса средств неразрушающего контроля (АСНК) с использованием унифицированных элементов и блоков, полупроводников и интегральных микросхем. Диапазон рабочих частот составляет 5—25 МГц, а измерения затухания 0,5—70 дБ. Толщина контролируемого материала равна 0,2—50 мм; диапазон контролируемых величин зерен 5—10 баллов шкалы ГОСТ 5639—65; основные размеры прибора 490x210x520 мм; масса не более 25 кг. Прибор укомплектован искателями в диапазоне частот 5— 25 МГц, предназначенными для работы в иммерсионном и контактном вариантах. Малая погрешность измерения достигается благодаря применению одного генератора экспоненциального напряжения и одной балансорегенеративной схемы сравнения, обеспечивающей малый временной дрейф. Прибор в основном пред-

Развитие микроэлектроники позволило использовать в приборостроении большое количество полупроводниковых структур и интегральных микросхем (ИС) с большой степенью интеграции. Размеры отдельных элементов ИС достигают 6—8 мкм, а их количество на кристалле — нескольких тысяч. Поэтому

Блок-схема одного канала усилителя приведена на рис. 36. Прибор не имеет аналогов промышленных образцов. Новизна - 16 каналов в одном малогабаритном блоке типа "вишня". Все функциональные блоки выполнены на отдельных сменных модулях с применением современных интегральных микросхем, что позволяет быстро устранить неисправность или произвести дальнейшую модернизацию функционального модуля. В приборе имеются цифровая индикация положения коэффициента усиления и регистрация ее при записи на магнитофон, что исключает ошибки при измерениях уровней вибраций.

3. Курносое А. И., Юдин В, В. Технология производства приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1979. 367 с. ;

Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются с применением бескорпусных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, размещенных на диэлектрической подложке, на которую методами тонкопленочной или толстопленочной технологии нанесены резисторы и соединительные проводники. На подложке размещаются также необходимые дискретные элементы - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. ГИСН выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например 5; 6; 9; 12; 15 В. С использованием мощных бескорпусных транзисторов и маломощных схем управления, выполненных по гибридно-пленочной технологии, изготовляются стабилизаторы, рассчитанные на большие токи, например, до 5 А.