Интегральном исполнении

Учитывая граничное условие (14.3), приходим к интегральному уравнению относительно неизвестной функции ф(р) для задачи (14.1)-(14.3):

Функция g(u) удовлетворяет интегральному уравнению Фредгольма второго рода с симметричным ядром [414]:

Интегрирование уравнения (1.42) в интервале (О, Л) приводит к интегральному уравнению энергии

Переход к эквивалентному интегральному уравнению (П5.1) для большинства типовых расчетных моделей, используемых при расчете потенциала и тока, производится, как правило, с помощью функции Грина*.

Применим к этому интегральному уравнению преобразование Лапласа и после несложных преобразований получим

и учитывая начальные значения Л;(Р>(ТА), определяемые равенством (23), приведем его к интегральному уравнению [5]

Функция восстановления H(t) удовлетворяет интегральному уравнению

Вероятность безотказной работы рг(т) на участке (f, f+4) удовлетворяет интегральному уравнению

В выражении Р{Ап} = P(nn
ляется выражением (1.27). Вероятность pt(t) удовлетворяет интегральному уравнению вида

Если площади поперечных сечений деталей изменяются по оси, то для решения задачи, как и выше, следует перейти к краевому интегральному уравнению.

Перспективными являются магнитные преобразователи, использующие гигантский магниторезистивный эффект (ГМРЭ). ГМРЭ проявляется в многослойных структурах, в которых тонкие магнитные плёнки чередуются с немагнитными слоями проводящих плёнок, а также в гранулированных сплавах, изготовленных в виде плёнок или проволок, содержащих ферро - или ферримагнитные частицы. Существование ГМРЭ базируется на том, что процессы рассеяния для одного направления спинов электронов проводимости действуют более эффективно, чем для другого, в зависимости от направления локальной намагниченности и при отсутствии эффективного процесса опрокидывания направления спинов. В таком случае, если соседние магнитные слои намагничены в противоположных направлениях, никакие электроны не могут проходить через два слоя, не испытывая большого рассеяния. Это и приводит к резкому повышению сопротивления магниторезистора. Если все магнитные слои намагничены в одном направлении, то половина всех электронов может свободно проходить через магнитные слои, что соответствует малому сопротивлению многослойной структуры. Преобразователи на основе ГМРЭ могут быть изготовлены в интегральном исполнении.

Достоинством полупроводниковых 1-альваномагнитных преобразователей, работа которых основана на изменении внутреннего сопротивления под действием магнитного поля, является возможность их изготовления в интегральном исполнении.

идентификацию, определить геометрические параметры и глубину залегания. Задачам дефекгометрии наиболее полно отвечают преобразователи Холла в интегральном исполнении, которые имеют линейную характеристику в широком диапазоне измерения магнитных полей. Для обеспечения гальванической развязки между токовыми и потенциальными электродами можно использовать вторую матрицу из ферритовых кольцевых сердечников с 11111, используемых в качестве запоминающих коммутационных трансформаторов. Для обеспечения линейности характеристики всего преобразователя сердечник перемагничивается по безгистерезисной кривой намагничивания, обладающей высокой линейностью на начальном участке [53].

Перспективными являются магнитные преобразователи, использующие гигантский магниторезистивный эффект (ГМРЭ). ГМРЭ проявляется в многослойных структурах, в которых тонкие магнитные плёнки чередуются с немагнитными слоями проводящих плёнок, а также в гранулированных сплавах, изготовленных в виде плёнок или проволок, содержащих ферро - или ферримагнитные частицы. Существование ГМРЭ базируется на том, что процессы рассеяния для одного направления спинов электронов проводимости действуют более эффективно, чем для другого, в зависимости от направления локальной намагниченности и при отсутствии эффективного процесса опрокидывания направления спинов. В таком случае, если соседние магнитные слои намагничены в противоположных направлениях, никакие электроны не могут проходить через два слоя, не испытывая большого рассеяния. Это и приводит к резкому повышению сопротивления мапшторезистора. Если все магнитные слои намагничены в одном направлении, то половина всех электронов может свободно проходить через магнитные слои, что соответствует малому сопротивлению многослойной структуры. Преобразователи на основе ГМРЭ могут быть изготовлены в интегральном исполнении.

Достоинством полупроводниковых гальваномагнитных преобразователей, работа которых основана на изменении внутреннего сопротивления под действием магнитного поля, является возможность их изготовления в интегральном исполнении.

идентификацию, определить геометрические параметры и глубину залегания. Задачам дефектометрии наиболее полно отвечают преобразователи Холла в интегральном исполнении, которые имеют линейную характеристику в широком диапазоне измерения магнитных полей. Для обеспечения гальванической развязки между токовыми и потенциальными электродами можно использовать вторую матрицу из ферритовых кольцевых сердечников с ППГ, используемых в качестве запоминающих коммутационных трансформаторов. Для обеспечения линейности характеристики всего преобразователя сердечник перемагничивается по безгистерезисной кривой намагничивания, обладающей высокой линейностью на начальном участке [53].

В качестве нелинейных сопротивлений могут быть применены нелинейные элементы различной природы и принципа действия. В частности, для моделирования параболической нелинейности, о которой речь шла выше, могут быть с успехом использованы элементы из специальных материалов (типа тиритов), лампы накаливания, электронные лампы (триоды, лучевые тетроды, пентоды, геп-тоды), полупроводники и различные нелинейные схемы в транзисторном и интегральном исполнении.

Зачастую решаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов 77, 72 и резисторов, участвующих в управлении.

С развитием микроэлектроники становится возможной реализация описанных выше устройств в интегральном исполнении, что делает метод комбинированных схем одним из перспективных методов решения нелинейных задач теории поля.

Если за основу брать сетку омических сопротивлений, то RNR-сетка получается подключением в ее узлы нелинейной емкости, реализованной одним из указанных выше способов. В интегральном исполнении нелинейная емкость легко впишется в существующие

1.4. Регуляторы напряжения в интегральном исполнении