Интенсивность образования

Методом мениска цветовую интенсивность цветного пенетранта и световую интенсивность люминесцентного пенетранта характеризуют минимальной, еще выявляемой, толщиной цветового или флюоресцентного слоя. На обезжиренную ровную стеклянную плитку наносится 1—2 капли пенетранта, сверху накладывается выпуклая линза малой кривизны, линза легко прижимается. Белое пятно, которое образуется на месте контакта, рассматривается и измеряется под просвечивающим микроскопом при нужном увеличении. Если контуры белого пятна размыты, то проводится измерение светопропускания от точки к точке с помощью спектрального микрофотометра. В случае люминесцентных пенетрантов осуществляется боковое облучение УФ-светом, причем интенсивность облучения нормируется и должна составлять 500 мкВт/см2.

Под действием света в галогениде серебра возникают образования типа коллоидных частиц. Поэтому интенсивность облучения должна играть важную роль в процессе возникновения таких частиц. Проведенные эксперименты по нанесению серебряного покрытия в темноте и при освещении различной интенсивности показали, что какой-либо разницы в скорости образования покрытия при изменении степени освещенности не наблюдается. Это говорит о том, что в процессе нанесения покрытия порошкообразным серебром фотохимические превращения не играют существенной роли.

Для исключения влияния озона и окисла азота, образующихся в результате ионизации воздуха при работе газоразрядных ламп, необходимо проветривать помещение. Равномерная интенсивность облучения испытуемых изделий достигается применением параболических зеркальных отражателей и фокусирующих устройств у источников света.

Для намеченной цели желательно количественно оценивать, как влияют параметры реактора определенного типа и интенсивность облучения, температура, химия воды и физические процессы (кипение) внутри реактора на радиационные реакции и как они могут контролироваться с целью оптимизации эксплуатации. Несмотря на огромный прогресс радиационной химии в последние 25 лет, такая количественная оценка возможна только для ограниченной области. Однако основные идеи радиационной химии и опыт наблюдения за реакторными системами позволяют на практике понимать радиационнохими-чески?_процессы в реакторах. Цель главы — дать сжатый обзор доступной информации в этих двух областях и показать ее значение для проблем проектирования и эксплуатации реакторов.

клин. Площадь основания клина соответствует площади сечения катода счетчика. Клин ориентируется своей вершиной в сторону сосуда с радиоактивным поплавком перпендикулярно стенке. Приближение прибора к поплавку приводит к росту интенсивности облучения. В положении «уровень жидкости» свинцовый экран резко снижает интенсивность облучения счетчика.

Примечание к группе 19. Пункты А—Q относятся ко всем типам испытаний; в бланках для быстрых справок следует указывать только наиболее важные,, проставляя соответствующую букву. Интенсивность облучения (Н) дается только для этого испытания двумя цифрами и степенью h. Для небольших элементов предпочтительнее использовать в качестве единицы количество частиц на 1 ел2; для больших узлов или живых объектов можно использовать единицу поглощенной дозы — рад.

Интенсивность облучения каждой точки со стороны излучающей поверхности газового потока пропорциональна ее «освещенности», которая характеризуется углом, в котором заключен поток лучей, падающих на эту точку. Таким углом для точки Л0 является угол CA0d, для точки AI — угол DAiDi. Поскольку освещенность различных точек неодинакова, различна и их температура. Очевидно, что наибольшую температуру будут иметь точки поверхности, лежащие на линии А0 (посре-

Коэффициент поглощения поверхностью солнечного тепла А = 0,75 (см. приложение 3). Среднесуточная интенсивность облучения /ср = =186,4 ккал/м2 час (см. приложение 4). Условное понижение температуры воздуха для учета охлаждающего действия температуры неба Д^„з = — 2,5°.

3. Все площадки для работы с радиоактивными изотопами ограждаются так, чтобы с внешней стороны ограждения интенсивность облучения не превышала допустимых величин. •

Металлическая пленка МП выполняет роль сигнальной пластины, подключаемой к резистору нагрузки R„, с которого снимается выходное напряжение. Полупроводниковый слой ПС является элементом, чувствительным к падающему инфракрасному излучению. Пленка МП и противоположная сторона полупроводникового слоя ПС служат обкладками элементарных конденсаторов мишени. При падении на мишень излучения и за счет ее появления в материале свободных носителей зарядов эти элементарные конденсаторы разряжаются и тем сильнее, чем больше интенсивность облучения. В результате мишень в разных местах будет иметь различные потенциалы (потенциальный рельеф) в зависимости от интенсивности падающего излучения. Таким образом, мишеяь трубки определяет основные показатели видикона и в первую очередь длинноволновую границу ее спектральной характеристики К- Считывание потенциального рельефа на мишени производится электронным лучом, который формируется с помощью электронного прожектора ЭП (катод К, модулятор М, первый анод Ai) и магнитного поля, созданного катушками Ki и Kl Отклонение электронного луча производится с помощью отклоняющей системы ОС в виде двух ортогональных пар катушек. Вдоль стенок колбы трубки КТ располагается второй анод Л2, ускоряю-

Методом мениска цветовую интенсивность цветного пенетранта и световую интенсивность люминесцентного пенетранта характеризуют минимальной, еще выявляемой, толщиной цветового или флуоресцентного слоя. На обезжиренную ровную стеклянную плитку наносится 1-2 капли пенетранта, сверху накладывается выпуклая линза малой кривизны, линза легко прижимается. Белое пятно, которое образуется на месте контакта, рассматривается и измеряется под просвечивающим микроскопом при нужном увеличении. Если контуры белого пятна размыты, то проводится измерение светопро-пускания от точки к точке с помощью спектрального микрофотометра. В случае люминесцентных пенетрантов осуществляется боковое облучение УФ-светом, причем интенсивность облучения нормируется и должна составлять 500 мкВт/см2.

Ионно-лучевая обработка оказывает заметное влияние на химические и адгезионные свойства поверхности материалов [79]. Имплантация определенного сорта ионов способствует повышению коррозионной прочности, а также устойчивости ионно-легированных металлов и сплавов к высокотемпературному окислению. Образование химических соединений в сталях и сплавах за счет внедрения имплантированной примеси или повышения предела концентрации элементов изменяет скорость химических реакций и кинетику роста окисных пленок и, кроме того, повышает их сцепление с основой. Наличие пленок мягких оксидов снижает интенсивность образования адгезионных узлов схватывания и коэффициент трения и способствует улучшению трибологических характеристик материалов.

твердой, трудноразрушаемой массы образуется мазеобразная, легкоразрушаемая масса. Чем больше воды в нефти, тем ощутимее эффект магнитной обработки. При воздействии магнитных полей на безводную, нефть интенсивность образования отложений уменьшается на 25-30 %, а при воздействии на обводненную нефть-примерно на 50 %.

при нагревании воды в холодильнике по тракту движения увеличивается интенсивность образования отложений. Это происходит вследствие снижения стабильности воды с увеличением температуры. Закономерность изменения коррозии иная.

Результаты опытов показали, что применение три-полифосфата натрия снижает интенсивность коррозии в 2,5 раза, а интенсивность образования отложений — в 2,3 раза.

3,5—4 раза, а интенсивность образования отложений — в 2,5—3 раза.

Коррозия исследованных образцов незначительна: образующийся на системах труб осадок рыхлый и легко удаляется механическим путем. Интенсивность коррозии теплообменных трубок, покрытых слоем отложения, такая же, как чистой поверхности металла, что свидетельствует о слабом защитном действии осадка. Интенсивность образования отложений на образцах, защищенных слоем осадка, ниже, чем на чистых образцах.

Добавление небольшого количества алюминия (0,1—0,2%) в цинковый расплав в ванне существенно уменьшает интенсивность образования сплава и улучшает пластичность покрытия.

Присутствие ингибиторов рекомбинации водорода, таких как S, As, Sb и другие, в среде (в виде ионов или соединений типа H2S), на поверхности металла (в составе поверхностной пленки) или же в металле в твердом растворе1 может сильно замедлить реакцию 2Н-кН2 и, следовательно, значительно повысить интенсивность образования [Н] во всех трех рассмотренных случаях. Особенно интересная ситуация может возникнуть, если названные примеси уже сегрегировали на границах зерен (или на дру^ гих микроструктурных особенностях) до начала проникновения водорода. При этом в местах пересечения таких границ зерен с поверхностью может происходить ускоренное проникновение водорода в металл [2, 39]. Экспериментальная проверка такой возможности представляет большой интерес.

Металлографическое исследование показало связь между суммарной длиной линий схватывания и плотного контакта и величиной контактного давления (рис. 61). Как видно, суммарная величина зон плотного контакта и схватывания резко возрастает до давлений 12—14 даН/мма, а затем увеличивается медленно. Зоны схватывания и плотного контакта располагаются в виде пятен диаметром 0,1—10 мм, при этом преобладают пятна диаметром около 1 мм. Интенсивность образования таких пятен зависит от контактного давления. Максимальное число пятен образуется при давлениях 12—14 даН/мм2, при которых наблюдается интенсивная пластическая деформация; дальнейшее увеличение давления не приводит ни к росту числа пятен, ни к увеличению их размеров. Таким образом, фактическая площадь контакта при тепловых по-

Если же сопоставить интенсивность образования молекул СО со степенью двукратной диссоциации молекул стекла, то получим другое, столь же интересное соотношение (кривая 12) :

то они будут эквивалентны уравнениям для всего потока. Здесь D— интенсивность образования легкой фазы на единицу длины канала; д„ — тепловой поток, идущий непосредственно от стенки к пару; дмф — тепловой поток межфазного обмена; П — межфазовая поверхность на единицу длины канала.