Интенсивности отражения

Рис. \38. Влияние интенсивности освещения на производительность труда при различных видах работы:

Рис. 139. Влияние интенсивности освещения на качество работы у пресса (из книги «Энциклопедия производительности»)

Важно не смешивать понятия излучательная способность (светимость, или светность) и яркость. Излучательная способность постоянна для каждого данного материала, тогда как яркость изменяется в зависимости от интенсивности освещения и излучательной способности данной поверхности.

Если свет действует на глаз чрезмерно, то он может быть причиной ослепляющей блескости, которая ослабляет способность видеть. Ослепляющая блескость понижает порог чувствительности в отношении размеров и контрастности, а поэтому необходимо предотвращать такую блескость, особенно при выполнении точных работ. Для устранения блескости достаточно удалить источник света из поля зрения. Ослепляющая блескость может быть также следствием слишком большой контрастности между обрабатываемым предметом и фоном, непосредственно окружающим предмет. Например, для наблюдения очень тонких штрихов на небольшой темной пластинке может требоваться освещенность в 400 лк. Если эта пластинка находится на рабочем столе с белой верхней доской, то последняя может оказаться в ~8 раз ярче наблюдаемого предмета, и это может вызвать блескость. Если к тому же этот белый рабочий стол (или другая поверхность, на которой лежит данная пластинка) блестящий (глянцевитый), то это может привести к серьезному повреждению зрения. Косвенная (непрямая) блескость, получающаяся при отражении света от блестящих поверхностей машин и другого оборудования, еще более вредна, чем прямая. С косвенной блескостью борются применением матовых поверхностей вместо блестящих и соответствующим расположением и направлением светильников. Иногда блескость создает неправильное представление об интенсивности освещения рабочего места; поэтому необходимо каждую жалобу на недостаточную освещенность проверять измерением ее с помощью люксметра.

рычагу 6, который вращается на пружинном шарнире 7. На верхнем конце рычага имеется шторка 8, расположенная в заднем фокусе конденсора 9. Между подвижными 8 и неподвижными 10 частями диафрагмы образуется щель, ширина которой меняется при деформации. Изменение ширины щели в 50 раз больше линейного изменения базы. Луч света, испускаемый электрической лампой 11, падает на фотоэлемент 12. Возникающий при этом фототек регистрируется гальванометром. Сила фототока пропорциональна интенсивности освещения и, следовательно, деформации. База тензометра 1,0; 1,5 и 2,0 мм; увеличение т достигает 30000, но при применении чувствительного гальванометра может быть доведено до 300 000 ч-500 000.

Полярископы с зеркалами применяется при необходимости иметь большое рабочее поле установки при значительной интенсивности освещения.

На котлах отечественных электростанций ставят дымномеры, работающие на принципе фотоэффекта. Через газоход «натягивается» луч от источника света. Плотность дыма фиксируется по интенсивности освещения фотоэлемента. Во избежание загрязнений оптической системы источника и приемника частицами золы или сажи устраивается блокирующий подсос наружного воздуха.

трическое сопротивление селена с увеличением интенсивности освещения

После открытия в 1817 г. селен почти пятьдесят лет оставался лабораторной редкостью, пока в 1873 г. Смит при исследовании электропроводности некоторых материалов совершенно случайно не обнаружил, что электрическое сопротивление селена с увеличением интенсивности освещения уменьшается, а при нагревании до 170° или более высокой температуры несколько возрастает. Это открытие привело, в частности, к созданию фотоэлемента, о чем подробнее говорится ниже, и явилось началом его широкого проникновения в различные отрасли промышленности.

КПД солнечного элемента логарифмически растет с увеличением интенсивности освещения при применении концентраторов солнечной энергии (КСЭ), что обусловлено соответствующим ростом фотоЭДС. Это определяет интерес к использованию для ФЭП концентрированного солнечного излучения, [3]. Однако при этом возникает проблема, связанная с резким возрастанием токов в ФЭП и соответствующим возрастанием потерь мощности на внутреннем сопротивлении.

Для четкого наблюдения микроструктуры важно создать определенные условия освещения шлифа. Контрастность изображения возрастает с увеличением интенсивности освещения. Поэтому с учетом сложного пути луча в микроскопе и значительных потерь света применяемые источники света должны обладать достаточной мощностью при сравнительно малых габаритах. Для этих целей в современных металломикроскопах обычно используют кварцевые лампы с йодным циклом (галогенные лампы), а для получения наибольшей интенсивности — ксеноновые лампы высокого давления. Для уменьшения потерь интенсивности падающего света в некоторых микроскопах вместо -полупрозрачной пластинки в ход лучей вводят призму.

При ультразвуковом контроле ультразвуковая волна, проходящая через стенку отливки, при встрече с границей дефекта (трещиной, раковиной и др.) частично отражается. По интенсивности отражения волны судят о наличии, размерах и глубине залегания дефектов.

24 августа того же года на траекторию полета к Луне был выведен второй советский искусственный спутник Луны — автоматическая станция «Луна-11». Затем 25 октября 1966 г. на селеноцентрическую орбиту с наибольшим удалением от поверхности Луны (в апоселении) около 1740 км и с наименьшим удалением (в периселении) около 100 км вышла автоматическая станция «Луна-12», выполнившая фотографирование отдельных участков лунной поверхности и передачу снимков на Землю при помощи специальной фототелевизионной аппаратуры. Еще через два месяца — 24 декабря 1966 г. — в 21 час 1 мин по московскому времени в районе Океана Бурь у кратеров Селевк и Скиапарелли, в точке с селенографическими координатами 18° 52' северной широты и 62° 03' западной долготы, совершила мягкое прилунение автоматическая лунная станция «Луна-13», более совершенная по сравнению со станцией «Луна-9». Она снабжена приемопередающей радиоаппаратурой с лепестковыми и штыревыми антеннами, электронными программно-временными устройствами, приборами автоматики и терморегулирования, телевизионной установкой, приборами для регистрации космических лучей, измерительным штампом-грунтомером для определения механических свойств наружного слоя лунного вещества и радиационным плотномером с небольшим радиоизотопным источником гамма-излучений для определения плотности (объемного веса) этого вещества. Продолжив выполнение научных исследований, станция передала новую серию телевизионных изображений лунной панорамы, сведения об интенсивности отражения лунной поверхностью космических лучей и уникальные данные о физико-механических характеристиках поверхностного 'слоя Луны.

б) простым методом измерения (отражательный гонеометр) интенсивности отражения по Чохральскому [7], а также по травимости поверхности зерна;

генограммам. Изменение ориентационного распределения интенсивности отражения (плоскость 200) в поверхностном слое рабочей зоны изучали на аппарате ДРОН-1 с помощью приставки ГП-2. Образец вращался в своей плоскости со скоростью 30 град/мин, находясь в строго брегговском положении для линии (200).

Для определения профиля пленки в предшествовавшей рабэ^е были применены определения интенсивности отраженного о"т пленки, при почти нормальном падении, монохроматического света. Этот метод, однако, для слоев порядка 10~7 — 10~6 см мало чувствителен, так как при этих толщинах интенсивность отра кения / близка к максимальной, так что малым толщинам соответствуют изменения интенсивно^™ / второго порядка малости. Для устранения этого недостатка мы перешли к измерениям интенсивности отражения плоскополяризо-

При ультразвуковом контроле ультразвуковая волна, проходящая через стенку отливки, при встрече с границей дефекта (трещиной, раковиной и др.) частично отражается. По интенсивности отражения волны судят о наличии, размерах и глубине залегания дефектов.

наблюдения имеет наибольший коэффициент отражения для света определенной длины волны. Поэтому, если освещать пленку на основе жидкого кристалла белым светом и фиксировать угол наблюдения, при изменении температуры можно получить максимум интенсивности отражения для различных цветов — компонентов белого света. Чтобы улучшить условия наблюдения, жидкий кристалл наносится на пленку с зачерненной основой, что повышает контрастность изображения и устраняет помехи за счет вторичного отражения. При проведении контроля пленку накладывают на контролируемый объект и по цветной окраске оператор судит о температуре в той или иной части объекта, обусловленной нагревом его СВЧ-излучением. Чувствительность неразрушаемого контроля с помощью жидких кристаллов при прочих равных условиях определяется числом различаемых оператором градаций цвета. Для некоторых жидких кристаллов на основе холестерина окраска отраженного света изменяется по всему спектру от красного до фиолетового при изменении температуры на 1—3 К, что дает возможность оценивать разрешающую способность проведения контроля с их помощью 0,1—0;2 К. Тепловые переходы в жидких кристаллах обратимы, поэтому индикаторы на их основе можно использовать многократно. По сравнению с другими термоиндикаторами жидкие кристаллы особенно эффективны при необходимости отличать малые градиенты температур при невысоких температурах (10—120 °С).

A. Контрастные фильтры. Служат для увеличения или уменьшения относительного различия в интенсивности отражения от различно окрашенных частей объекта. Для целесообразного выбора светофильтра необходимо, чтобы объект, окраска которого совпадает с областью спектра, пропускаемой фильтром, казался светлым, а в случае дополнительных цветов — темным.

A. Контрастные фильтры. Служат для увеличения или уменьшения относительного различия в интенсивности отражения от различно окрашенных частей объекта. Для целесообразного выбора светофильтра необходимо, чтобы объект, окраска которого совпадает с областью спектра, пропускаемой фильтром, казался светлым, а в случае дополнительных цветов — темным.

гии рентгеновского излучения от направления прямого пучка к направлению дифрагированного пучка и обратно. Этот эффект зависит от рассеивающей способности кристалла, отнесенной к одной плоскости q. В связи с этим можно оценить эффект экстинкдии как поправку к вычисленной из кинематической теории интенсивности отражения с малыми индексами (HK.L)i — Qi: