Импульсным магнитным

Диод туннельный —диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению при прямом напряжении на характеристике участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению; применяется в устройствах СВЧ и быстродействующих импульсных устройствах [3].

Транзистор микросплавной — транзистор, изготовление которого сочетает в себе технологию поверхностно-барьерного и сплавного транзисторов; используется в диапазоне СВЧ, в быстродействующих вычислительных и других импульсных устройствах [9].

ный транзистор, работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению лавинного пробоя. Л.т. отличаются от обычных транзисторов наличием отрицат. сопротивления участка эмиттер - коллектор. Для изготовления Л.т. используют кремниевые и германиевые эпитаксиальные структуры; базовая область создаётся методом диффузии или имплантации. Л.т. применяют в импульсных устройствах для формирования мощных импульсов тока (до десятков А) со временем нарастания менее 10 не.

к к.-л. из частот о>о собственных колебаний системы. Зависимость А от со наз. резонансной кривой. РЕЗОНАНС НАПРЯЖЕНИЙ, последовательный резонанс,-резо-нансв электрич. цепи из соединённых последовательно катушки индуктивности и конденсатора. На резонансной частоте сопротивление реактивное такой цепи равно нулю, и ток в ней по фазе совпадает с приложенным напряжением. Р.н. используют, напр., для повышения напряжения в импульсных устройствах. РЕЗОНАНС токов, параллельный резонанс,- резонанс в электрич. цепи из катушки индуктивности и конденсатора, соединённых параллельно относительно источника пе-рем. тока. При Р.т. алгебр, сумма реактивных проводимостей ветвей равна нулю и общий ток цепи совпадает по фазе с прилож. напряжением. Р.т. используют для улучшения коэфф. мощности электрич. установок, в радиоприёмных устройствах и т.д. РЕЗОНАНСНЫЙ ЧАСТОТОМЕР - ЧЭС-тотомер, действие к-рого осн. на подстройке колебат. контура, возбуждаемого через элемент связи сигналом исследуемой частоты, до получения резонанса. Резонанс фиксируется по наибольшему отклонению указателя индикатора. В диапазоне 50 кГц - 200 МГц применяют колебат. контуры с сосредоточ. параметрами, выше 200 МГц - с распределёнными. Р.ч. наз. также резонансными волномерами. РЕЗОНАТОР (от лат. resono - звучу в ответ, откликаюсь) - колебат. система с резко выраженными резонансными св-вами (см. Резонанс). Р. бывают акустические - струна, камертон, мембрана, возд. полость (резонатор Гельмгольца) и др.; электрические -колебат. контур, объёмный Р. (СВЧ), кварцевый Р.; оптические - напр., 2 параллельных плоских зеркала (т.н. открытый резонатор). В большинстве случаев Р. отзываются на гармонич. воздействия, частота к-рых близка к частоте ихсобств. колебаний. При не-гармонич. воздействиях Р. совершает колебания сложного вида, однако при этом в спектре колебаний Р. особенно выделяются колебания тех частот, к-рые наиболее близки к частоте его собств. колебаний. РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ - резонатор, способный накапливать энергию поверхностных акустических волн (ПАВ). Состоит из звукопровода, на поверхности к-рого расположены два отражателя ПАВ и один или неск. встречно-штыревых преобразователей', действие осн. на многократном отражении ПАВ, возбуждённой входным встречно-штыревым преобразователем и образовании в резонаторе стоячей акустич. волны, к-рая принимается этим же или др. (выходным) преобразователем. Работает в диапазоне частот 30 МГц - 1 ГГц. Р. на ПАВ

ИОННЫЕ ПРИБОРЫ, газоразрядные приборы, — приборы, действие к-рых осн. на электрич. разряде в газе или парах металла. Обычно используются инертные газы — неон, криптон, аргон и т. д. или пары ртути. По виду электрич. разряда различают И. п. тлеющего, дугового, коронного и др. разрядов, по типу используемого катода — И. п. с холодным и подогревным катодами. И. п. применяют в импульсных устройствах (тиратрон), для индикации напряжений (сигнальная неоновая лампа и др.), для стабилизации напряжений (стабилитрон), в мощных выпрямителях (ртутный вентиль, игнитрон), в качестве разрядников и для коммутации электрич. цепей (тригатрон и др.), для преобразования электрич. энергии в световую (газоразрядные источники света) и т. д.

ИСКУССТВЕННАЯ ЛИНИЯ — электрич. цепь, составл. из мн. однородных звеньев, содержащих конденсаторы и катушки индуктивности, и по нек-рым св-вам эквивалентная длинной линии. И. л. (как эквивалент длинной линии) применяют в импульсных устройствах для формирования, задержки импульсов и т. п.

ЛАВИННЫЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к-ром используется явление лавинного пробоя в ПП — лавинного умножения силы тока в коллекторном переходе. Вследствие этого коэфф. усиления по току ее становится больше единицы. Л. т. отличаются от обычных транзисторов наличием отрицательного сопротивления участка эмиттер—коллектор. Наиболее применимы Л. т. в импульсных устройствах.

РТУТНЫЙ ВЕНТИЛЬ — обобщённое назв. обладающих односторонней проводимостью тока ионных приборов дугового разряда, заполненных парами жидкой ртути. Различают игнитроны и экси-троны. Применяются для выпрямления сильных токов пром. частоты, в качестве управляемых разрядников в импульсных устройствах и т. д.

ФАЗОИНВЁРТОР (от фаза и лат. inverto — переворачиваю, изменяю) — устройство, преобразующее входное электрич. напряжение в 2 напряжения, сдвинутые по фазе на 180°. Широко используются Ф. с раздел, нагрузкой, одна часть к-рой находится в цепи коллектора, другая — в цепи эмиттера транзистора, или анода и катода электронной лампы, а также Ф. с анодным делителем, с катодной связью. Применяются гл. обр. в электрич. усилителях как переход от однотактного усилителя к двухтактному, в импульсных устройствах и т. д.

Диод туннельный —диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению при прямом напряжении на характеристике участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению; применяется в устройствах СВЧ и быстродействующих импульсных устройствах [3].

Транзистор микросплавной — транзистор, изготовление которого сочетает в себе технологию поверхностно-барьерного и сплавного транзисторов; используется в диапазоне СВЧ, в быстродействующих вычислительных и других импульсных устройствах [9].

Разновидностью сварки взрывом является магнитно-импульсная сварка. При магнитно-импульсной сварке соударение свариваемых деталей обеспечивается импульсным магнитным полем от разряда батарей конденсаторов. Длительности импульса и скорости соударения при этом способе близки к сварке взрывом. Преимуществом магнитно-импульсной сварки по сравнению fco сваркой взрывом является более легкое управление параметрами процесса.

Для увеличения чувствительности преобразователя в зазор магни-топровода может быть введена неферромагнитная вставка из материала с высокой удельной электрической проводимостью [51], Вставка пронизывается импульсным магнитным потоком, в ней наводятся вихревые токи, которые способствуют вытеснению этого потока в зону контроля. В результате интенсивность импульсного электромагнитного поля, взаимодействующего с объектом контроля, увеличивается, что приводит к повышению чувствительности преобразователя. Конструкция такого преобразователя изображена на рисунке 3.3.13, в.

ИМПУЛЬСНЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ

САМООРГАНИЗУЮЩИЕСЯ ПРОЦЕССЫ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ. ОБРАБОТАННЫХ ИМПУЛЬСНЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ................. 88

Для увеличения чувствительности преобразователя в зазор магни-топровода может быть введена неферромагнитная вставка из материала с высокой удельной электрической проводимостью [51]. Вставка пронизывается импульсным магнитным потоком, в ней наводятся вихревые токи, которые способствуют вытеснению этого потока в зону контроля. В результате интенсивность импульсного электромагнитного поля, взаимодействующего с объектом контроля, увеличивается, что приводит к повышению чувствительности преобразователя. Конструкция такого преобразователя изображена на рисунке 3.3.13, в.

Эффект вихревых токов, индуцируемых в изделии под действием переменного тока в катушке, расположенной вблизи изделия, проявляется в их взаимодействии с внешним (стационарным или импульсным) магнитным полем, получаемым с помощью постоянного магнита или электромагнита. Иногда источником внешнего магнитного поля является катушка, наводящая вихревые токи. Обратный эффект проявляется в возникновении вихревых токов в изделии в результате колебания элементов изделия в постоянном магнитном поле и в возбуждении вихревыми токами индукционной ЭДС в катушке, расположенной вблизи изделия.

По окончании подготовки к контролю сварной шов намагничивают с одновременной записью полей рассеяния на магнитную ленту. Намагничивание производят постоянным или импульсным магнитным полем, создаваемым при прохождении тока (постоянного или импульсного) через катушки электромагнита.

Штамповку импульсным магнитным полем применяют для обжима и раздачи трубчатых заготовок, калибровки трубчатых деталей, формовки рифлений, вырубки плоских деталей, пробивки отверстий в деталях из различных металлов и сплавов, сборки. Для обработки предпочтительны металлы и сплавы с высокой электрической проводимостью. Материалы с недостаточно высокой электрической проводимостью (углеродистые и коррозионно-стойкие стали) деформируют через передающую среду или через спутник — промежуточный материал с высокой электропроводностью, помещаемый на заготовку. Толщина заготовок: 1,5 — 2 мм для стали, 1,7 — 2,5 мм для латуни, 2 — 3 мм для алюминиевых и магниевых сплавов.

Соединение образуется в результате соударения соединяемых частей, вызванного воздействием импульсного магнитного поля. Принципиальная схема сварки импульсным магнитным полем приведена на рис. 25.5. Детали/ 7 и б устанавливают так, чтобы свариваемые поверхности находились внахлестку под углом друг к другу и с зазором между ними. Магнитная катушка 4 размещается внутри детали на поверхности, противоположной свариваемой. Последняя располагается под некоторым углом к детали 2, установленной в опоре 5. После зарядки конденсаторной батареи 2 от зарядного устройства 1 коммутирующее устройство 3 осуществляет его разрядку на катушку 4, вокруг которой образуется магнитное поле. Его силовые линии пересекают деталь 7 и индуцируют в ней вихревые токи. Последние создают собственное магнитное поле вокруг детали. Взаимодействие магнитных полей катушки и детали приводит к отталкиванию детали от катушки. В результате возникает сила, которая придает ускорение детали 7 в направлении детали 6. При их соударении достигается давление, необходимое для сварки. Кратковременностью действия импульса, динамическим характером процесса магнитоимпульсная сварка напоминает сварку взрывом. Строение ме- . . талла в зоне контакта после сварки 7 6 5 4 этими методами тоже имеет много Рис. 25.5. Схема магнигоимпульснойскрки

вии с внешним (стационарным или импульсным) магнитным полем, получаемым с помощью постоянного магнита или электромагнита. Иногда источником внешнего магнитного поля является катушка, наводящая вихревые токи. В этом случае упругие колебания возбуждаются на удвоенной частоте, так как обе взаимодействующие величины - вихревой ток и магнитное поле -являются переменными с одной и той же частотой. Обратный эффект проявляется в возникновении вихревых токов в изделии в результате колебания элементов изделия в постоянном магнитном поле и в возбуждении вихревыми токами индукционной ЭДС в катушке, расположенной вблизи изделия.

Специальные виды воздействий применяются не только для направленного изменения электрофизических свойств МДП-структур, но и для выявления дефектов диэлектрика и границы раздела диэлектрик—полупроводник, в том числе и зарядовых. Установлено, что воздействие импульсным магнитным полем (амплитуда 0,1...0,2 МА/м, длительность импульса 30 мкс) в течение 20 с позволяет существенно, почти в три раза повысить плотность зарядовых дефектов, выявляемую с помощью гистограмм зарядовой стабильности. Кроме того, воздействие импульсным магнитным полем вызывает у МДП-структур появление достаточно больших флуктуации плотности заряда в диэлектрике. Эти флуктуации наиболее значительны в области микродефектов, характеризующихся повышенной концентрацией напряженных Si-Si и Si-O связей у границы раздела Si-SiO2.