Импульсное напряжение

ды прошедшей волны под влиянием дефекта. Применяют непрерывное и импульсное излучение. Временной теневой метод (рис. 6.21,6) основан на измерении запаздывания импульсов акустических волн (а также исчезновении их в случае большого дефекта), вызванного огибанием дефекта (или отражением от дефекта). В некоторых разновидностях метода (велосиметрический метод) измеряют скорости прохождения и фазы УЗК, используют при этом волны Лэм-ба. Известно, что последние имеют на частотах 25...60 кГц длину волны порядка 60... 100 мм и хорошо огибают препятствия. При этом в бездефектной зоне упругие колебания проходят через изделие по кратчайшему пути. Дефект (например, расслоение) препятствует прямому прохождению волн, замедляет их прохождение . Фаза волны в точке приема отстает от фазы на бездефектных участках, что служит основным признаком дефекта.

В методах отражения используют как один, так и два преобразователя и применяют импульсное излучение. Эхо-метод основан на регистрации эхосигналов от дефектов. На экране электронно-лучевой трубки наблюдают обычно посланный (зондирующий) импульс I, импульс III, отраженный от поверхности (дна) изделия (донный импульс) и эхосигнал от дефекта П. Время прихода импульсов II и III пропорци-

В методах отражения используют как один, так и два преобразователя; применяют, как правило, импульсное излучение. К этой подгруппе относят следующие методы дефектоскопии.

Третий вариант отличается от первого тем, что вместо непрерывного в нем используют импульсное излучение упругих колебаний.

Активные акустические методы, в которых применяют бегущие волны, делят на две подгруппы, использующие прохождение и отражение волн. Применяют как непрерывное, так и импульсное излучение.

В методах отражения применяют, как правило, импульсное излучение. К этой подгруппе относят следующие методы дефектоскопии.

Четвертый вариант использует импульсное излучение, дефект регистрируется по смещению нулей импульса, но вибраторы располагаются по разные стороны изделия (рис. 102, б).

В методах отражения используют как один, так и два преобразователя и применяют импульсное излучение. Эхо-метод основан на регистрации эхосигналов от дефектов. На экране электронно-лучевой трубки наблюдают обычно посланный (зондирующий) импульс!, импульс III, отраженный от поверхности (дна) изделия (донный импульс) и эхосигнал от дефекта II. Время прихода импульсов II и III пропорци-

При контроле обычно используют импульсное излучение. Длительность импульсов первоначально примем настолько большой, что при исследованиях акустического поля колебания можно считать непрерывными гармоническими. Вместе с тем будем считать импульсы настолько короткими, что процессы излучения и приема происходят в разные интервалы времени. Влияние малой длительности импульса на акустическое поле преобразователя учтем поправками.

В методах отражения используют один или два преобразователя; применяют, как правило, импульсное излучение.

На выходе временнбго селектора (импульсное излучение)

Питание задающих обмоток феррозондов осуществляется от блока генераторов синусоидальным напряжением частотой 100 кГц. В блоке генераторов формируется также импульсное напряжение частотой 10 Гц для запуска формирователя импульсов блока контрастного изображения, который предназначен для выдачи на блок регистрации сигналов, обеспечивающих построчное воспроизведение на бумажной ленте плоскостного полутонового изображения рельефа магнитного поля.

ис — импульсное напряжение на соленоиде; Р — тяговое усилие соленоида; М — момент и со — угловая скорость рабочей муфты; cpg — угол поворота бара» бана; t — время

Трубопровод должен иметь на концах и в местах соединения с сооружениями, имеющими низкоомное заземление, соответствующие изолирующие элементы. Эти элементы следует располагать по возможности доступно, например на станциях регулирования на поверхности земли. При хорошем изоляционном покрытии их можно укладывать и в грунт. На станциях регулирования расхода газа и во взрывоопасных мастерских электроизолирующие элементы необходимо закорачивать взрыво-защищенными искровыми разрядниками. Эти искроразрядники следует располагать параллельно изолирующим элементам в непосредственной близости к ним. Импульсное напряжение срабатывания должно быть меньше 50 % эффективного напряжения пробоя изолиру- ff^ ющего элемента при частоте 50 Гц ?__ [8]. Изоляционный элемент с взры-возащищенным искровым разрядником представлен на рис. 11.2.

Цепь подавления низкочастотных помех образуют управляемые ключи S], S3 и R—С-цепь. С учетом паразитной емкости импульсное напряжение па входе второго усилительного каскада, в масштабе увеличения, имеет вид, показанный па рис. 4, а. Здесь паразитная емкость существенно уменьшает выходной сигнал цепи подавления помех, понижает ее чувствительность. Таким же образом действует выходное сопротивление первого усилителя и сопротивления первого ключа в замкнутом состоянии.

Если приложить импульсное напряжение с достаточно крутым передним фронтом, то произойдет резкое снижение высоты потенциального барьера, в результате чего электроны из «-полупроводника и дырки из р-полупровод-ника устремятся навстречу друг другу и в области р—л-перехода появится большая концентрация неравновесных носителей.

Масштаб времени моделирования обусловливается длительность» цикла срабатывания дагового искателя И2. Продолжительность воспроизведения одной реализации случайного процесса изменения определяющих параметров элементов может варьироваться с помощью переменного резистора R 112 от нескольких секунд до десятков секунд и более. В конце рабочего такта функционирования моделирующей установки искатель И2 возвращается в исходное положение: замыкаются контакты 1; срабатывает реле Р8; цепь питания искателя И2 разрывается контактами ЗРб; на обмотку И1 поступает импульсное напряжение через замыкающиеся контакты 1Р6 реле Р6. Искатель И1 переходит в исходное положение, завершая цикл работы моделирующей установки.

Е Импульсное напряжение или мгновенное перенапряжение

F Импульсное напряжение: число циклов приложения напряжения

О Импульсное напряжение: длительность каждого воздействия

сопротивление изоляции, ток утечки, импульсное напряжение, воздействие высокого потенциала, перенапряжение

Обращает на себя внимание тот факт, что в процессе испарения в одно- и двухимпульсном режимах можно наблюдать большое количество ионов при одном акте испарения (10 и более отметок на экране осциллографа). Обычно в этих случаях можно идентифицировать одну либо несколько наиболее легких масс. По-видимому, здесь имеет место испарение углеродных материалов при постоянном напряжении за счет локального изменения испаряющего поля материала. При этом импульсное напряжение как бы «вскрывает» участки образца с низкой напряженностью испаряющего поля.