Идеального кристалла

где зг = 1/(о0((о0—со) — относительная скорость вращения якоря-ротора; тг = l/(o0Mi — относительный вращающий момент; со0 — скорость идеального холостого хода; v —• коэффициент крутизны статической характеристики; Тэ — электромагнитная постоянная времени.

где а = <лйТм; Тм = vco0./; tg p = а 1; v — коэффициент крутизны статической характеристики двигателя; со0 — угловая скорость идеального холостого хода (средняя в рассматриваемом режиме); Тм •— механическая постоянная времени; Мос — амплитуда момента сопротивления.

Мсд — вращающий момент в кГ-м; со 0 — угловая скорость идеального холостого хода в 1/сек; v — коэффициент крутизны статической характеристики в 1/кГ-м;

63 о = э , л\ -- скорость идеального холостого хода;

Угловую скорость идеального холостого хода со0 и коэффициент крутизны статической характеристики получим из уравнения (5.4) в виде

рости вращения масс (k = 1, 2, . . ., п), причем о>0 — угловая скорость идеального холостого хода, СОА = ф/г — • угловые скорости масс.

Анализ выражений для экстремальных значений переходных функций относительной скорости выходного звена и момента сил упругости в соединении позволяет указать пути уменьшения динамических явлений при набросе нагрузки. В частности, для этого следует увеличивать момент инерции исполнительного звена /2> повышать демпфирование (т. е. увеличивать г)12), выбирать приводной двигатель с возможно меньшей постоянной времени Тд и большей скоростью идеального холостого хода со0.

моменты, приложенные к j-м вращающимся массам системы (где со0 — угловая скорость идеального холостого хода).

При исследовании динамических процессов в приводе обычно пренебрегают изменением 'скорости генератора с изменением нагрузки, т. е. полагают сог « const. Для асинхронного приводного двигателя влияние изменения сог незначительно и может быть учтено при необходимости на основе упрощенной динамической характеристики АД [201. Заменяя в уравнении (2.17) ия на Ег и учитывая выражение (2.22) для Ет, получим динамическую характеристику двигателя в системе Г — Д (2.19) или (2.20). Скорость идеального холостого хода о>0(и) и коэффициент крутизны статической характеристики v(u) определяются в рассматриваемом случае по формулам

причем скорость идеального холостого хода ю0(и) и коэффициент крутизны статической характеристики двигателя v(u) можно представить в виде

хк = Xi + xz — реактивное сопротивление короткого замыкания, со о — 2nfjpu — скорость идеального холостого хода (синхронная угловая скорость), рад/с, fe — частота напряжения сети, Гц.

Рис. 291. Упорядоченная решетка идеального кристалла (а) и структура соответствующей жидкости (б)

Структура идеального кристалла и расплавленной соли представлена схематически на рис. 291. В структуре расплавленной соли не наблюдается дальний порядок, но имеются области с вы-

В отличие от идеального кристалла, в кристалле с дислокациями процесс скольжения протекает не путем одновременного перемещения всех атомов в плоскости скольжения, а только небольших групп, что соответствует движению дислокаций. Легкость перемещения дислокаций объясняется тем, что потенциальная энергия кристалла в зоне дислокаций выше, чем энергия в зонах, где дислокация отсутствует, поэтому напряжение, необходимое для осуществления сдвига, значительно меньше, чем для бездислокационного металла. Так как одна дислокация приходится на 103 атомов, то общее число смещенных атомов при деформации металла будет большое. Схема сдвига в кристалле, обусловленного последовательным перемещением дислокации при приложении силы Р, дана на рис. 56. Возникшая у одной грани кристалла дислокация (рис. 56, б) перемещается вдоль плоскости скольжения АА (рис. 56, в) к противоположной стороне кристалла, образуя на поверхности ступеньку (рис. 56, г). При этом верхняя половина кристалла смещается относительно нижней на расстояние, равное вектору Бюргерса, Упрочнение при пластической деформа-

Упругие модули границы. Если предположить, что упругие модули границ (межзеренной области) отличаются от упругих модулей идеального кристалла, то эффективные модули поликристаллического материала будут комбинацией упругих модулей кристаллической матрицы и границ, и если объем, занимаемый границами, существен, то это может привести к заметному изменению эффективных модулей. Грубую оценку сверху для упругих модулей границ зерен можно получить, используя приближение Ройса [288], т. е. считая, что эффективные упругие модули М такого композита можно записать в виде

В качестве примера на рис. 2.10, а показана поверхность идеального кристалла кремния. В объеме каждый атом кремния окружен четырьмя ближайшими соседями, с которыми он устанавливает валентную связь путем

упорядочен и, следовательно, его энтропия больше, чем идеального кристалла. Однако увеличение энтропии столь мало, что прирост свободной энергии 'благодаря накоплению энергии превышает ее убыль, обусловленную ростом энтропии. Следовательно, если дис-

Деформация скольжения наиболее легко проходит по плоскостям с наибольшей плотностью атомов и наибольшими межплоскостными расстояниями. Соотношение кристаллография, осей с/а у бериллия равно 1,568, т.е. значительно меньше, чем у идеального кристалла (1,633). Сжатие по оси с уменьшает межплоскостное расстояние и плотность упаковки по базисным плоскостям, так что базисные плоскости не должны являться плоскостями скольжения. Внедренные атомы, в первую очередь атомы кислорода, концентрируются вблизи при-зматич. плоскости и затрудняют скольжение по этой плоскости. Поэтому с увеличе-

Области метастабильности 6" и 8' показаны на рис. 85. Видно, что для сплавов, содержащих> 1 % Си, старение может происходить через всю последовательность превращений как при естественном старении при комнатной температуре, так и при искусственном при температуре в интервале 160—200 °С. Это возможно, если бы сплав имел структуру идеального кристалла без дислокаций и границ зерен. Однако выделения из реального пересыщенного раствора не могут быть даже качественно поняты, основываясь только на знаниях стабильных и метастабильных фазовых диаграмм. Знания роли дефектов решетки как мест зарождения являются необходимыми для понимания вида и распределения выделений в зависимости от температуры раствора, скорости закалки, пластической деформации, температуры старения и так далее. Дефектами решетки, которые влияют на зарождение и рост выделений, являются: вакансии, дислокации, границы зерен и другие несовершенства структуры.

В решетке идеального кристалла атомы расположены правильными рядами (рис. 1-9). Приложение даже небольшого напряжения вызовет смещение одновременно всей верхней части кристалла относительно нижней. Такой сдвиг называется синхронным. Обозначим т — напряжение, сдвигающее верхнюю часть кристалла относительно нижней. При нарастании т атомы верхней части кристалла будут смещаться относительно нижней, испытывая сопротивление сил межатомного взаимодействия до тех пор, пока верхний ряд не сместится на половину параметра решетки. Далее верхняя часть кристалла самопроизвольно начнет перемещаться вправо в следующее возможное устойчивое положение равновесия: каждый атом верхнего ряда будет стремиться занять место напротив атома нижнего ряда, но уже на один параметр решетки правее. 18

Широкое применение Ill-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств "идеального" кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16].

Рис. 6.11. Полная плотность состояний а-А12О3: V0 (d) в сравнении с таковой для "идеального" кристалла корунда (б). Обозначены вакансионные состояния — занятое (5) и свободные (Pi - РЗ)

Рекомендуем ознакомиться:

Идеальных характеристик

Используя разложение

Используя специальные

Используя уравнение

Используемых инструментов

Используемой аппаратуры

Используемого оборудования

Используем уравнение

Индуктивный преобразователь

Используется многократно

Используется практически

Меню:

Главная страница Термины