Концентрацией электронов

воздуха перед трубой алт=1,5, температура окружающего воздуха,/,, = 20°С, барометрическое давление воздуха /гб = 97' 103 Па, коэффициент, учитывающий скорость осаждения диоксида серы в атмосфере, F— 1,0, коэффициент, учитывающий условия выхода продуктов сгорания газов из устья дымовой трубы т — 0,9, коэффициент стратификации атмосферы А = 120 с • град и фоновая концентрация загрязнения атмосферы диоксидом серы Сф = = 0,03' 10' б кг/м3.

Задача 2.107. Определить концентрацию золы у поверхности земли для котельной, в которой установлены два одинаковых котлоагрегата, работающих на кузнецком угле марки Д состава: €" = 58,7%; Нр = 4,2%; 8Л = 0,3%; - N*=l,9%; Op = 9,7%; Ар=13,2%; ^=12,0%, если известны высота дымовой трубы /7=32 м, расчетный расход топлива Вр = 0,225 кг/с, температура газов на входе в дымовую трубу 0ДТ=182°С, температура газов на выходе из дымовой трубы 0ДТ=188°С, коэффициент избытка воздуха перед трубой ад.т=1,75, температура окружающего воздуха /В = 20°С, барометрическое давление воздуха А6 = 97' 103 Па, доля золы топлива, уносимая дымовыми газами Оун=0,85, коэффициент, учитывающий скорость осаждения золы в атмосфере, F= 1,0, коэффициент, учитывающий условия выхода продуктов сгорания из устья дымовой трубы, т = 0,9, коэффициент стратификации атмосферы Л = 120 с2/3трад1/3 и фоновая концентрация загрязнения атмосферы золой Сф = 0,02' 10~б кг/м3.

в атмосфере, F= 1,0, коэффициент, учитывающий условия выхода продуктов сгорания из устья дымовой трубы, т = 0,9, коэффициент стратификации атмосферы А = 120 с трад , фоновая концентрация загрязнения атмосферы диоксидом серы Сф = 0,03 х х 10^б кг/м3 и п.д.к. диоксида серы у поверхности земли С=0,5-10~б кг/м3.

А = 120 с • град , фоновая концентрация загрязнения атмосферы золой Сф = 0,02'10~6 кг/м3 и п. д. к. золы у поверхности земли С = 0,5-10~б кг/м3. Ответ: Н=34 м.

Концентрация загрязнения меняется в значительной степени под воздействием ветра и атмосферных осадков. При этом движение составных частей атмосферы носит обычно турбулентный характер. Под влиянием вихревых

Вид загрязнения Концентрация загрязнения на 1 м3 свободного воздуха, не более

ГОСТ 6370—59 устанавливает отсутствие загрязнений в чистом масле (состояние поставки) в том случае, если содержание механических примесей в маслах составляет до 0,005% включительно по массе. В жидкостях с таким содержанием механических примесей допускается содержание в каждом литре до 40 мг частиц загрязнений. Белянин П. Н. и Черненко Ж- С. [11] определили, что массовая концентрация загрязнения рабочих жидкостей гидросистем самолетов (0,005%) соответствует объемной концентрации, равной 0,008% и даже 0,1%, а средняя плотность механических примесей составляет 3,4 г/см3.

Размер частиц загрязнений, мкм ... 2,5 5 7,5 10 Концентрация загрязнения, г/л . . . 0,0025 0,005 0,0075 0,01

Жидкости в состоянии поставок часто имеют недопустимо высокую с точки зрения надежной работы гидросистемы загрязненность. Так, например, концентрация загрязнения в масле АМГ-10 в состоянии поставки составляет по ГОСТу 6794—53 от 0,00088 до 0,0013% по весу. Среднее значение количества частиц загрязнения различных размеров, находящихся в 1 см3 стандартно «чистой» жидкости этого типа, определяется данными, приведенными ниже:

Концентрация загрязнения в г/л.....0,0025 0,005 0,0075 0,01

В нижний бак 3 заливается 150—180 л масла АМГ-10, к которому добавляется искусственный загрязнитель (порошок окиси цинка, абразивный порошок или порошок карбонильного железа), после чего масло тщательно перемешивается. Весовая концентрация загрязнения в разных опытах различная и лежит в пределах от 5 до 100 мг!л.

Распределение электронов проводимости в твердом теле подчиняется статистике Ферми — Дирака (рис. 2.1). С повышением температуры тепловую энергию воспринимают только внешние валентные электроны, переходящие на еще более высокие энергетические уровни, которые у металлов обычно свободны. Уровень или граница Ферми Wf определяется концентрацией электронов, т. е. зависит от расстояния между атомами и валентности металла. При числе п свободных электронов

для полупроводников n-типа с концентрацией электронов, равной п,

Этот заряд связан с концентрацией электронов п в диэлектрике соотношением

зависимости от направления тока. На этом основан вентильный эффект таких контактов. Так, при контакте полупроводника, обладающего проводимостью я-типа, с металлом, работа выхода у которого больше, чем у полупроводника, в последнем в области контакта возникает значительная зона с пониженной концентрацией электронов, а следовательно, и уменьшенной проводимостью. При направлении тока от металла к полупроводнику электроны в последнем подтягиваются к зоне контакта, размеры запирающего слоя уменьшаются. Это направление является пропускным. При обратном направлении тока размеры запирающего слоя увеличиваются (запирающее направление). Таким образом, подобный контакт металла с полупроводником обладает практически односторонней проводимостью и может служить элементом выпрямляющего устройства в цепи переменного тока.

мя ее существования определяется радиационным временем жизни верхнего лазерного уровня относительно перехода на' нижний уровень и составляет 10~8...10 с. В разряде с большой концентрацией электронов это время может стать еще короче из-за девозбуждения верхнего лазерного уровня при ударах второго рода. На практике длительность генерации в таких системах составляет 10~9...10~8 с. Девозбуждение нижнего лазерного уровня осуществляется в промежутках между последующими импульсами, и скорость этого девозбуждения, определяемая процессами в объеме газа и на стенке, ограничивает частоту повторения импульсов излучения.

В объеме полупроводника возникают пары элементарных подвижных носителей электрических зарядов: отрицательных — свободные электроны и положительных — дырки. Электронным полупроводником (полупроводником типа п) называется такой полупроводник, в котором концентрация свободных электронов преобладает над концентрацией дырок. Электроны в этом случае являются основными носителями зарядов, а дырки — неосновными. Донорами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (пятивалентные атомы мышьяка, сурьмы, фосфора и др.) для получения избытка электронов. Дырочным полупроводником (полупроводником типа р) называется полупроводник, в котором концентрация дырок преобладает над концентрацией электронов. Акцепторами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (трехвалентные атомы индия, алюминия, галлия и др.) для создания избытка дырок. Дырки в этом случае являются основными носителями зарядов.

Электрическая проводимость плазмы определяется концентрацией электронов и средним временем между столкновениями электронов с атомами, молекулами и ионами:

При контакте металла с полупроводником может образоваться значительная область пониженной проводимости (запирающий слой), размеры которой, а вместе с тем и проводимость зоны контакта существенно меняются в зависимости от направления тока. На этом основан вентильный эффект таких контактов. Так, при контакте полупроводника, обладающего проводимостью n-типа, с металлом, работа выхода у которого больше, чем у полупроводника, в последнем в области контакта возникает значительная зона с пониженной концентрацией электронов, а следовательно, и уменьшенной проводимостью. При направлении тока от металла к полупроводнику электроны в последнем подтягиваются к зоне контакта, размеры запирающего слоя уменьшаются. Это направление является пропускным. При обратном направлении тока размеры запирающего слоя увеличиваются (запирающее направление). Таким образом, подобный контакт металла с полупроводником обладает практически односторонней проводимостью и может служить элементом выпрямляющего устройства в цепи переменного тока.

В настоящее время все еще нет достаточно обоснованной теории образования а-фазы в двойных и более сложных системах. Обычно принято рассматривать образование а-фазы с точки зрения электронной концентрации в атомнокристалли-ческой решетке. Судя ito имеющимся данным, полученным для ряда двойных систем Fe, Ni, Сг, V, Mo, Co, Mn, образование cr-фазы связано с вполне определенной концентрацией электронов на атом, равной 7, что свидетельствует о принадлежности ст-фазы к числу так называемых электронных соединений. Блюм и Грэнт считают, что возможность образования а-фазы в данной системе элементов связана с их расположением относительно марганца в таблице Д. И. Менделеева (табл. 30).

Кроме того, образование а"-фазы определяется концентрацией электронов. Ф. Л. Локшиным показано, что в сплавах Ti — Сг — Zr а"-фаза не образуется при кон-

>,'1гк iii)ii(ii; MCIII.IIIC- 4,02 млсктропп n;i атом. В сплавах с концентрацией электронов в атоме от 4,08 до 4,07 фазо-libiii состав изменяется с изменением температуры закалки по типу сплава ВТ16, а при концентрации электронов в атоме больше 4,19 — по типу сплава ВТ15.