Кубические кристаллы

килограмм-сила на квадратный миллиметр килограмм-сила-метр грамм-сила на кубический сантиметр

Грамм на кубический сантиметр г/см3 103 кг/м3

Рис. 5. Число п разрывов волокон на кубический сантиметр внутри современного волокнистого композита на основе алюминия 6061-0 в результате статического и циклического (N циклов) растяжений; R = 0,2; Д— 40%-ное содержание волокон В — SiC диаметром 0,145 мм, стгаах = 0,61 Н/мм2 (88000 фунт/дюйм2), испытание прекращено при 5-10^ циклов; О —„ 40%-ное содержание волокон В диаметром 0,142мм, 0гаах = 0,73 Н/мм (106 000 фунт/дюйм2), Nf = 127 000 циклов [23].

Наиболее заметно влияние неравновесных носителей, вызванных ионизирующим излучением, проявляется в полупроводниковых переходах, поскольку переход разделяет электронно-дырочные пары, образовавшиеся вблизи него. Обратный ток в полупроводниковом переходе зависит главным образом от концентрации неосновных носителей вблизи перехода, а электропроводность, наоборот, зависит от основных носителей. Ионизирующее излучение, которое способно увеличить концентрацию основных носителей и, следовательно, электропроводность на пренебрежимо малую-величину, может увеличить концентрацию неосновных носителей на несколько порядков. Если, например, область базы кремниевого плоскостного полупроводникового прибора имеет концентрацию основных носителей 2-1014 на кубический сантиметр, то эта область при комнатной температуре содержит около 1 • 10е неосновных носителей на кубический сантиметр. Если излучение вызывает увеличение концентрации основных носителей только на 0,1%, то концентрация неосновных носителей увеличивается до 2-Ю11 CM~S, или в 200 000 раз. В этом случае обратный ток в переходе должен увеличиться, что может отрицательно повлиять на нормальную работу прибора. Фактически ток, аналогичный фототоку, при воздействии ионизирующего излучения может наблюдаться и в неработающем приборе.

Удельная объемная теплота, удельный объемный термодинамический потенциал калория на кубический сантиметр килокалория на кубический метр кал/см3 ккал/м8 4,1868- 106 Дж/ма 4,1868- 103 Дж/м3

кубический сантиметр в секунду ю-» ю-3 6- 10-? 3,6- Ю-3 3,6 1

Кубический миллиметр Кубический сантиметр Кубический дециметр Кубический метр мм3 см3 дм3 м3 0,000000001 лг3= 0,001 ж3 0,000001 м* 0,001 м3 = 1000 000 лш3=1 л 1000 дм3

Кубический сантиметр = 1000 кубических миллиметров

Кубический сантиметр см» 10" 103 1 10-" ю-«

Грамм на кубический сантиметр Килограмм на литр г/см3 кг/л 1 1 1 1 0,001 0,001 1 1

Удельным весом называется вес единицы объема тела. За единицу объема тела принимает 1 кубический метр (сокращенно пишется л3), 1 кубический дециметр (дм3) или 1 кубический сантиметр (см3), а за единицу удельного веса — вес единицы объема, выраженный в тоннах:, килограммах или граммах.

На рис. 17.5 показана микроструктура свинцовых баббитов (видны кубические кристаллы SbSn на фоне тройной эвтектики Pb + SbSn+y, а также небольшое количество игольчатых кристаллов химических соединений Cu3Sn и РЬТе).

Микроструктура бабита Б83 приведена на фиг. 33. На фоне пластичного твердого раствора видны кубические кристаллы SbSn и игольчатые CuaSn. В зависимости от условий отливки кристаллы SbSn или Cu3Sn могут быть разной величины. При медленном охлаждении баббита Б83 кубические кристаллы имеют линейный размер около 80—120 мк. После отливки чушкового баббита в кокиль величина кристаллов SbSn уменьшается до 25—40 мк.

Микроструктура баббита БТ приведена на фиг. 36. Видны кубические кристаллы SbSn на фоне тройной эвтектики Pb + SbSn + Y, а также небольшое количество иглообразных кристаллов химического соединения CuaSn и химического соединения РЬТе.

На фиг. 38 приведена микроструктура баббита Б 16. В основной пластичной массе, состоящей из эвтектики РЬ и твердого раствора Sn(Sb), равномерно расположены кубические кристаллы химического соединения SbSn и иглообразные кристаллы СизЗп. Последние уменьшают ликвацию сплава.

Микроструктура баббита БС представлена на фиг. 39. Основной фон — мягкая эвтектика свинец—сурьма, содержащая 87% Pb -f- 13% Sb, твердые составляющие — крупные кубические кристаллы сурьмы и иглообразные кристаллы CuSb.

Микроструктура бабита Б83 приведена на фиг. 33. На фоне пластичного твердого раствора видны кубические кристаллы SbSn и игольчатые CuaSn. В зависимости от условий отливки кристаллы SbSn или Cu3Sn могут быть разной величины. При медленном охлаждении баббита Б83 кубические кристаллы имеют линейный размер около 80—120 мк. После отливки чушкового баббита в кокиль величина кристаллов SbSn уменьшается до 25—40 мк.

Микроструктура баббита БТ приведена на фиг. 36. Видны кубические кристаллы SbSn на фоне тройной эвтектики Pb + SbSn + Y, а также небольшое количество иглообразных кристаллов химического соединения CuaSn и химического соединения РЬТе.

На фиг. 38 приведена микроструктура баббита Б 16. В основной пластичной массе, состоящей из эвтектики РЬ и твердого раствора Sn(Sb), равномерно расположены кубические кристаллы химического соединения SbSn и иглообразные кристаллы СизЗп. Последние уменьшают ликвацию сплава.

Микроструктура баббита БС представлена на фиг. 39. Основной фон — мягкая эвтектика свинец—сурьма, содержащая 87% Pb -f- 13% Sb, твердые составляющие — крупные кубические кристаллы сурьмы и иглообразные кристаллы CuSb.

вают согласно (1.13) компоненты тензора температурной деформации, ориентация главных осей которого должна согласовываться с осями симметрии кристаллической решетки. В общем случае сфера единичного радиуса, выделенная в кристалле, переходит при изменении температуры в трехосный эллипсоид с полуосями 1 -j- a° AT1, 1 + «2 AT и 1 4- «з AT. Кристаллы с ГЦК и ОЦК решетками (см. рис. 2.3, а и б) имеют три равноценных ортогональных оси симметрии /, 2, 3 и для них главные коэффициенты температурной деформации а\ = а.2 = oil, т. е. кубические кристаллы изотропны по отношению к тепловому расширению. Сфера, выделенная в кубическом кристалле, остается сферой при изменении температуры. Кристаллы с ГПУ решеткой (см. рис. 2.3, в) изотропны лишь в плоскости, перпендикулярной к оси 3. Поэтому для них «Г = <х =^= «з, т. е. сфера при изменении температуры переходит в эллипсоид вращения относительно оси 3.

При неоднородном распределении температуры в кристаллическом теле возникает тепловой поток, вектор плотности которого согласно (1.98) связан с градиентом температуры тензором коэффициентов теплопроводности. Главные оси этого тензора также согласуются с осями симметрии кристаллической решетки. Для ГЦК и ОЦК кристаллов главные коэффициенты теплопроводности Я° = ^2 = Яз, т. е. кубические кристаллы обладают изотропной теплопроводностью. Для ГПУ кристаллов обычно Я? = Я? =?= Я, в связи с чем возникает анизотропия теплопроводности. Из условия khlrlm — 6ftm. следует, что главные коэффициенты термического сопротивления г\ = 1/Я°, г° = 1/Я° и г°А .= 1Д°, причем для кубических кристаллов rl = rl =. г°3, а для гексагональных в общем случае

Учитывая, что 1\ 4 1\ 4 1\ — 1, из (2.17) для кубических кристаллов согласно (2.9) получим р; = 5ц 4 2S1S = 1/(3/С), т. е. линейная сжимаемость в 3 раза меньше объемной и не зависит от ориентации вектора /. Следовательно, кубические кристаллы при всестороннем сжатии деформируются изотропно. Сфера, выделенная в таком кристалле, остается сферой. Для ГПУ кристаллов из (2.12) и (2.17) следует

Рекомендуем ознакомиться:

Космического излучения

Кососимметричных составляющих

Косозубой цилиндрической

Косвенные измерения

Косвенным показателем

Косвенного измерения

Концентрация превышает

Меню:

Главная страница Термины