Концентрации свободных

где [H+V[HS-], [S*-]^ [H2$] - концентрации соответствующих частиц.

Так как в зонах концентрации несущих конструкций ВВЭР наряду с механическими действуют температурные напряжения, то эффект концентрации соответствующих составляющих температурных напряжений можно приближенно рассчитать по соотношению

где kco = 1,3 • 1011 м3/(кмоль • с), а через С, обозначены концентрации соответствующих компонентов (в кмоль/м3). В практических расчетах вместо локального подставляли среднее значение С0 в пограничном слое.

ма интенсивной флуоресценции НАД-Н2. Использование микро-флуориметра позволяет регистрировать колебания концентрации НАД-На в одиночной дрожжевой клетке (Chance et a]. 1967). Концентрации промежуточных субстратов и коферментов лежат в диапазоне Ю~*-;- 10~г М. концентрации ферментов —в диапазоне 10~е :- I0~* M (Hess et a].. 1969). Концентрации субстратов на порядок и более превышают концентрации соответствующих ферментов. Исключением является участок от ГАФ до ФЕП, где концентрации субстратов меньше 10~4 М и блязки к концентрациям соответствующих ферментов. Когда интенсивность гликолиза максимальна, узким местом цепи является фосфофруктокиназцая реакция.

где [СО3]0 и [ОН]0 — концентрации соответствующих ионов в обработанной воде,

ным электродом, потенциал которого принят равным нулю, зависит от ряда физико-химических факторов, но главным образом от концентрации соответствующих ионов в растворе и температуры. Поэтому принято сравнивать равновесные электродные потенциалы металлов при условиях погружения их в раствор, содержащий соответствующие ионы в концентрации приблизительно

Первый метод. Теоретическое число тарелок определяется графически с помощью t—я-фазовой диаграммы или у—х-диаграммы равновесия. Для решения необходимо определить ^-флегмовое число. Для построения ступеней концентрации соответствующих числу теоретических тарелок в ректификационной колонне непрерывного действия, схема которой показана на рис. 9-5, определяют:

Бронзы маркируются буквами Бр, далее следует буквенное и цифровое обозначение содержащихся элементов (обозначение меди не указывается, а содержание определяется по разности). В марке обрабатываемых давлением бронз после букв Бр стоит буквенное обозначение легирующих элементов в порядке убывания их концентраций, а в конце в той же последовательности через дефис указываются концентрации соответствующих элементов. Например, БрОФЮ-1 — бронза оловянно-фосфорная, содержащая 10% Sn и 1% Р. В литейных бронзах после каждого буквенного обозначения легирующего элемента указывается его содержание.

твор ионоселективных электродов, называемых рабочими, на их поверхности возникает потенциал, зависящий от активной концентрации соответствующих ионов в растворе. Для измерения этого потенциала используется второй электрод, имеющий постоянный потенциал. Этот электрод называется электродом сравнения, или вспомогательным, в основном это хлорсеребряный электрод.

а) статистической природой процесса усталости металла, связанной со структурной неоднородностью металла (наличием различных фаз, включений, искажений кристаллической решетки и т. д.). Влияние этого фактора приводит к тому, что при испытании совершенно идентичных (по технологии и размерам) деталей, изготовленных из металла одной плавки, получают существенное рассеяние характеристик усталости. Влияние этого фактора учитывается с помощью коэффициента вариации U0max — максимальных разрушающих напряжений в зоне концентрации, соответствующих пределам выносливости деталей (при испытании идентичных деталей, изготовленных из одной плавки);

D - количество дистиллята, кг/ч, кмоль/ч; F -расход исходного сырья, кг/ч, кмоль/ч; W- количество кубового остатка, кг/ч, кмоль/ч; Хр, Xq, Хуу - массовые или мольные концентрации соответствующих компонентов в жидкости.

У[), Ур - массовые или мольные концентрации соответствующих компонентов в паре.

В зависимости от концентрации свободных носителей, которая связана со способом взаимодействия атомов в решетке, изменяется значение энергетического зазора между валентной зоной и зоной проводимости. Соответственно меняется характер электропроводимости кристаллов (рис. 2.3), которые в связи с этим можно разделить на три класса: проводники (металлы), полупроводники и изоляторы (диэлектрики).

заполнена и зона проводимости свободна от электронов. Однако у полупроводников расстояние между заполненной зоной и зоной проводимости мало, т. е. До» < 2 эВ (рис. 2.3, 0), а у диэлектриков — велико, т. е. Лда > 2 эВ (рис. 2.3, г). Связь концентрации свободных электронов пе с шириной запрещенной зоны для кристаллов при 300 К представлена ниже:

чения используются осесимметрич-ные Л.с. с частично перемещаемым внутри них центральным телом или регулируемые плоские Л.с., форма контура к-рых изменяется изгибом пластин вдоль по потоку газа. ЛАВЙННО-ПРОЛЁТНЫЙ ДИОД (ЛПД) -полупроводниковый диод с отрицат. сопротивлением в СВЧ диапазоне, работающий при обратном смещении ПП перехода в режиме лавинного умножения носителей заряда (см. Лавинный пробой). ЛПД широко применяются для генерирования и усиления электромагн. колебаний в диапазоне частот 1-400 ГГц. Наибольшая выходная мощность ЛПД достигает сотен Вт в импульсном режиме и десятков Вт в непрерывном; кпд обычно не превышает 30%. ЛАВИННЫЙ ПРОБОЙ - резкое возрастание тока через ПП в сильном (напряжённостью 10-100 МВ/м) элек-трич. поле. Ускоренные электрич. полем свободные носители заряда при столкновении с атомами ПП вызывают их ионизацию (ударная ионизация), что приводит к лавинообразному нарастанию концентрации свободных носителей, а следовательно, увеличению электропроводности ПП. Л.п. ограничивает диапазон рабочих напряжений большей части ПП приборов; на явлении Л.п. осн. действие таких приборов, как стабилитроны, лавинно-пролётные диоды, лавинные транзисторы и некоторые др.

Примесные полупроводники донор-ного типа. В характере зависимости положения уровня Ферми и концентрации свободных носителей заряда в; примесных полупроводниках от температуры можно условно выделить три области: область низких температур,, истощения примеси и перехода к собственной проводимости.

Понятие "о неравновесных носителях. При температуре, отличной от абсолютного нуля, в полупроводнике происходит тепловое возбуждение (генерация) свободных носителей заряда. Если бы этот процесс был единственным, то концентрация носителей непрерывно возрастала бы с течением времени. Однако вместе с процессом генерации возникает процесс рекомбинации: электроны, перешедшие в зону проводимости или на акцепторные уровни, вновь возвращаются в валентную зону или на донорные уровни, что приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда. Динамическое равновесие между этими процессами при любой температуре приводит к установлению равновесной концентрации носителей, описываемой формулами (6.7) и (6.8). Такие носители называются равновесными.

Дальнейшее повышение температуры вызывает интенсивное нарастание концентрации свободных носителей -(электронов и дырок), приводящее к резкому увеличению скорости рекомбинации и уменьшению времени жизни носителей (область ///). Вместе с этим повышение температуры вызывает увеличение частоты тепловых выбросов носителей, захваченных ловушками, что препятствует уменьшению времени жизни. В конце концов т достигает постоянной величины т я& тпо + тро (область IV). 178'

Под действием сильных полей может происходить изменение не только подвижности, но и концентрации свободных носителей заряда. Существует несколько механизмов этого эффекта.

Термоэлектронная ионизация Френкеля. Электрическое поле Ё, созданное в полупроводнике, действует на электрон, связанны» с атомом примеси, с силой F = —q$ и тем самым понижает потенциальный барьер, удерживающий его около атома. Это приводит к увеличению вероятности перехода электрона в зону проводимости: и росту концентрации свободных электронов в полупроводнике в. области низких температур (до истощения примеси). Теория этого, явления, получившего название термоэлектронной ионизации, бы-, ла развита Я- И. Френкелем.

Эксперимент подтверждает прямую пропорциональность оссв концентрации свободных носителей п, пока с увеличением легирования не начинает изменяться подвижность а0; для ряда полупроводников оправдывается и зависимость асв ~ А,2.

Для модуляции световых потоков можно использовать зависимость коэффициента поглощения у края собственной полосы от давления, внешнего электрического поля и концентрации свободных носителей заряда или зависимость поглощения света свободными! носителями от их концентрации.

Значения коэффициентов уравнений (6), (8) и (10) можно определить, если из эксперимента известны величины z* для достаточно большого количества температур. Для расчета концентрации свободных электронов можно использовать формулу