Неосновных носителей

Введение j оборотную воду указанных количеств ортофоо-форной кислота способствует увеличению биологического обрастания. Для исключения последнего рекомендуется вводить в воду бактерицидные добавки как органического, так и неорганического происхождения. Хорошие результаты даёт применение солей шика (например, цинкового купороса в количестве I...2 мг/л). Кроме того, ионы цгнка образуют о фосфатами комплексные соединения, входящие в соствв фосфатной пленяй, что улучшает её защитную способность.

Химическая стойкость материалов неорганического происхождения 353

В зависимости от их природы, неметаллические материалы подразделяются на две группы: 1) материалы неорганического происхождения; 2) материалы органического происхождения.

материалов неорганического происхождения зависит от большого числа факторов. К этим факторам относятся: химический и минералогический состав, пористость (открытые и закрытые поры), тип структуры (аморфная, мелкокристаллическая, крупнокристаллическая), характер агрессии-

ной среды и ее концентрация, температура, давление, перемешивание среды и др. Большинство перечисленных факторов действует в различных сочетаниях совместно, что значительно осложняет подбор соответствующего материала или покрытия. Во многих случаях основную роль играет химический состав материалов неорганического происхождения, как природных, так и искусственных.

Чем выше содержание кремнезема в материалах неорганического происхождения, как природных, так и искусственных, тем выше их кислотостойкость. Так, например, почти абсолютной кнслотостойкостыо обладают кварциты, изделия из плавленого кварца, содержащие почти 100% SiO2.

Не меньшее значение имеет п минералогический состав материала неорганического происхождения, количество отдельных его составляющих и их свойства. Так, например, природные горные породы, являющиеся во многих случаях полиминералами, вследствие различия коэффициентов термического расширения их отдельных составляющих склонны к растрескиванию при 1НЧКПХ перепадах температуры; в частности, содержание значительных количеств слюды в гранитах может вызвать их расслаивание.

Следует также учитывать, какими веществами сцементированы материалы неорганического происхождения. Так, например, некоторые песчаники, содержащие большие количества кварца и сцементированные аморфным кремнеземом, обладают большей кислотостойкостыо, чем песчаники, сцементированные известью или другими карбонатными минералами. Силикатный кирпич, имеющий в своем составе до 92—94% кварцевого песка, подвергается сильному разрушению при воздействии на него кис-'

Разрушение материалов неорганического происхождения иногда имеет место вследствие пористости материала. Разрушение пористых материалов вызывается в основном возникновением is материале напряжений вследствие кристаллизации в порах солеи, отложения в них продуктов коррозии или вследствие замерзания в порах воды. При полном заполнении объема пор и вследствие отсутствия возможности расширения механическое разрушение материала неизбежно. Так, при температуре перехода воды в лед, т.е. при 0е С, плотность воды равна 0,99987 Л1;;/л;:1, а плотность чистого льда при 0° С равна (),91(>9 Me/At3. Из этих данных следует, что при замерзании воды ее объем увеличивается на 9%.

Специальные методы испытаний материалов неорганического происхождения

природой и концентрацией действующего агента. Кислотостой-костью называется отношение веса измельченного силикатного порошка после обработки его кислотой к весу этого же порошка до обработки кислотой, выраженное в процентах. Чаще всего кислотостойкость материалов неорганического происхождения определяют по ГОСТу 473—64.

Важнейшей характеристикой, определяющей качество Ge и Si как полупроводниковых материалов, является время жизни т неосновных носителей заряда, которое должно быть максимальным.

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода; управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя; так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсисторы не получили из-за несовершенства конструкций [9].

Транзистор бездрейфовый — транзистор, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии [9].

Транзистор дрейфовый — транзистор, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа; к дрейфовым транзисторам относят некоторые типы выращенных транзисторов и диффузионно-сплавные транзисторы [4].

Магнитодиоды. В качестве магнитодиодов используются несимметричные р'-п- или я+-/»-переходы с длинной базой, т. е. базой, длина которой больше длины диффузионного смещения неосновных носителей заряда. Магнтодиодным эффектом в настоящее время принято называть эффект изменения сопротивления диода в магнитном поле, происходящего вследствие изменения распределения концентрации неравновесных носителей в базе диода. Проводимость базы обусловлена инжектированными носителями. При помещении диода в перпендикулярное направлению тока магнитное поле, его сопротивление увеличивается [48]. В настоящее время применяются две конструкции магнитодиодов: торцевая и планарная, соз-

Магнитодиоды. В качестве магнитодиодон используются несимметричные р -п- или п -р-переходы с длинной базой, т. е. базой, длина которой больше длины диффузионного смещения неосновных носителей заряда. Магнтодиодным эффектом в настоящее время принято называть эффект изменения сопротивления диода в магнитном поле, происходящего вследствие изменения распределения концентрации неравновесных носителей в базе диода. Проводимость базы обусловлена инжектированными носителями. При помещении диода в перпендикулярное направлению тока магнитное поле, его сопротивление увеличивается [48]. В настоящее время применяются две конструкции магнитодиодов: торцевая и планарная, соз-

в к-ром перенос неосновных носителей заряда через базовую обл. осуществляется в осн. под действием дрейфового поля. Это поле,-возникающее вследствие неравномерного распределения примесей в базовой обл., ускоряет движение неосновных носителей заряда к коллектору. По методам внесения примесей Д. т. разделяют на диффузно-сплавные, конверсионные, планарные, планарно-эпитаксиальные, меза-дрейфовые. Д. т. применяют для усиления и генерирования электрич. колебаний с частотами от сотен кГц до неск. ГГц в радиоаппаратуре, вычислит. и др. устройствах.

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода; управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя; так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсиеторы не получили из-за несовершенства конструкций [9].

Транзистор —электропреобразовательный полупроводниковый прибор 'с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов [3, 4]. ^ Транзистор бездрейфовый — транзистор, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии [9].

Транзистор дрейфовый — транзистор,, в котором перенос неосновных носителей зарядов через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа; к дрейфовым транзисторам относят некоторые типы выращенных транзисторов и диффузионно-сплавные транзисторы [4].

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник тг-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки ж электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия.