Относительным изменением

В этих машинах-автоматах применяется программное управление относительным движением инструмента и заготовки. Одна из таких систем, разработанная Г. А. Спыну, состоит в том, что запись программы производится в процессе обработки первого изделия при ручном или полуавтоматическом управлении. После этого полученная программа закладывается в программный блок для получения требуемых изделий с автоматически управляемого станка.

Электроконтактная обработка основана на локальном нагреве заготовки в месте контакта с электродом-инструментом и удалении размягченного или даже расплавленного металла из зоны обработки механическим способом: относительным движением заготовки и инструмента. Источником теплоты в зоне обработки служат импульсные дуговые разряды. Электроконтактную обработку (ЭКО) оплавлением рекомендуют для обработки крупных деталей из углеродистых и легированных сталей, чугуна, цветных сплавов, тугоплавких и специальных сплавов.

устанавливает связь между геометрией сопряженных профилей и их относительным движением.

Основная теорема плоского зацепления. Идея основной теоремы плоского зацепления была высказана английским ученым Виллисом (см.: Willis R. Principles of mechanism. London, 1841) при разработке классификации механизмов на основе анализа отношения скоростей звеньев. В современной интерпретации эту теорему (называемую теоремой Виллиса) формулируют в следующей форме: общая нормаль в точке контакта сопряженных профилей в любой момент зацепления должна проходить через полюс зацепления Р, положение которого на межосевой линии О\О-2 определяется заданным относительным движением звеньев.

Орты греческой системы /, j, k и координаты ее начала О' являются функциями времени. Тогда А движется относительно греческой системы. При этом, вообще говоря, и греческие, и латинские ее координаты будут зависеть от времени. Движение точки А относительно греческой системы отсчета называется относительным движением; «сложное» движение точки А относительно латинской системы отсчета называется абсолютным движением, а движение

Если мы интересуемся относительным движением, то считаем неподвижной греческую систему отсчета, т. е. полагаем

В ряде случаев целесообразно изучать движение точки или тела одновременно по отношению к двум системам координат, одна из которых совершает заданное движение по отношению к другой (основной), принимаемой за неподвижную. Рассмотрим неподвижную систему координат Otxtylzl и систему Oxyz, которая некоторым образом движется относительно неподвижной (рис. 3.6). Движение точки М по отношению к неподвижной системе координат Olx{ylzl называется абсолютным, а ее скорость v и ускорение а ~ соответственно абсолютной скоростью и абсолютным ускорением. Движение точки М по отношению к подвижной системе координат Oxyz называется относительным движением, а ее скорость vr и ускорение аг называются относительной скоростью и относительным ускорением.

При относительном движении двух соприкасающихся тел, прижатых одно к другому некоторой силой, на поверхности соприкосновения возникает сила сопротивления этому движению— сила трения. Относительным движением может быть скольжение или качение. В соответствии с видом относительного движения различают трение скольжения и трение качения. Опыт показывает, что при одних и тех же условиях сила

внешними силами, если они имеются. ^ДнтоЖеНимпу"ьсРо> °1*"1 Займемся относительным движением двух материальных точек, определяемым уравнением (54). Это одна из наи- полный c"°TMeeMHJ /м"Ульса более важных задач в классической

Рис. 10.38. «Результаты наблюдений выражены графически [на рисунке]. На верхнем графике дана кривая для наблюдений, выполненных днем, а на нижнем графике — для ночных наблюдений. Пунктирные кривые соответствуют одной восьмой части теоретического смещения. По-видимому, правильно сделать на основании рисунка вывод, что если есть какое-то смещение, обусловленное относительным движением Земли и светоносного эфира, то оно не может быть намного больше, чем 0,01 расстояния между полосами» (из статьи Майкельсона и Морли). По вертикальной оси откладывается смещение полос. Горизонтальная ось относится к ориентации интерферометра относительно линии восток — запад.

Инерциальные системы отсчета и принцип относительности. Простейшее движение твердого тела — его поступательное равномерное прямолинейное движение. Соответственно этому простейшим относительным движением систем отсчета является поступательное равномерное прямолинейное дви-

Установим связь между главными напряжениями и относительным изменением объема ev рассматриваемого элемента. До деформа-

Изменение объема стержня при его упругом деформировании характеризуется объемной деформацией (относительным изменением объема): 9 = ez(l—2ц). (49)

Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магаитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магаиторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недостатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления RO (при В = 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. В этом случае отпадает необходимость в нанесении металлических полос. Магниторезисторы такого типа созданы на основе кристаллов InSb с добавкой 1,8 % NiSh. Включения NiSb образуют в кристалле InSb иглы с удельным сопротивлением почти на два порядка меньшим, чем удельное сопротивление самого кристалла. Магнитосопро-тивление такого материала не зависит от формы образца, необходимо лишь, чтобы направление игл было перпендикулярно направлениям оси и магнитного поля. Для создания магниторезисторов следует использовать

Для получения мультифрактальных характеристик структуры поверхности образцов, (распределения на ней геометрических микро-дефоктоп) использовалась специальная методика цифровой мультиф-рактольной параметризации структур, которая была разработано на основе оригинальной теоретико-информационной интерпретации Г. В. Встовским мультифрактального формализма [1,2]. Рассчитывались традиционные характеристики мультифрактального анализа — f(Ct)-спектр и характеристиками Dq-епектр размерностей Репьи. С помощью методики также количественно оценивались степень однородности и скрытой упорядоченности структур (описываются соответственно мультнфрактильными характеристиками характеристиками f(a)q.4o и Д^о ~ Dq-i - D(p.)fl. Обнаружено, что обработка поверхности проволок, связанная с получением различной структуры геометрических поверхностных микродефектов, вызывает изменение как механических свойств при статическом и усталостном погружении, так и мультифрактальных характеристик структуры поверхности. Установлена корреляция относительного изменения мультифрактальных характеристик Структуры поверхности с относительным изменением механических свойств» Коэффициенты корреляции превышают в ряде случаев значение 0,99. Таким образом с применением методики муль-тифрактальной параметризации структур появляется возможность прогнозирования механических свойств материалов в результате механической и электрохимической обработки поверхности с ограничением числа разрушающих испытаний. Наиболее перспективной с точки зрения установления пзаимосиязй мультифрокталыюй структуры поверхности с механическими свойствами материалов при статическом и усталостном погружениях в данном случае является характеристика Д^0, отражающая степень скрытой периодичности структуры.

материалов, отличающихся высокими магнитными свойствами в определенных направлениях. Анизотропия магнитострикции железа оценивается относительным изменением размеров образца при намагничивании

Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магнитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магниторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недосгатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления R() (при В ^ 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. В этом случае отпадаег необходимость в нанесении металлических полос. Магниторезисторы такого типа созданы на основе кристаллов InSb с добавкой 1,8 % NiSb. Включения NiSb образуют в кристалле InSb иглы с удельным сопротивлением почти на два порядка меньшим, чем удельное сопротивление самого кристалла. Магнитосопро-тивление такого материала не зависит от формы образца, необходимо лишь, чтобы направление игл было перпендикулярно направлениям оси и магнитного поля. Для создания магниторезисторов следует использовать

теризуется объемной деформацией (относительным изменением объема):

Возможно даже еще более общее заключение о влиянии элементов на упрочнение твердых растворов, если оценивать упрочнение по абсолютному приросту твердости (ДЯ5), а по относительному (ДЯД %), связав его с относительным изменением параметра решетки (Дя,%) (рис.14).

Ингибиторами являются вещества, которые ограничивают разрушение металлов кислотами и не оказывают неблагоприятного-воздействия на процесс травления. Это главным образом органические вещества, к которым часто добавляют смачиватели. Концентрация ингибиторов не превышает 0,1% объема раствора. Эффективность ингибиторов выражается относительным изменением массы металла при травлении в кислоте с ингибитором и без него:

Для точной регистрации нагрузки необходима динамическая тарировка тензодатчиков, состоящая в установлении соответствия величины сигнала или какого-либо иного параметра от величины деформации. Для тензодатчиков сопротивления устанавливается соотношение между относительным изменением со-

При постоянной величине заряда на электродах плоского конденсатора Q = const (большое сопротивление нагрузки на конденсатор и в цепи подзарядки) электрический сигнал при сжатии диэлектрика плоской волной нагрузки определяется относительным изменением емкости