Относительная диэлектрическая проницаемость

где в — пьезоконстанта; р — плотность; с — скорость звука; е — относительная диэлектрическая проницаемость материала пьезо-пластины; ео=8,85- 10~12 Ф/м — электрическая постоянная. Значе-

Если объект контроля выполнен из полупроводящего материала (о » шеа, где еа = е0ел — абсолютная диэлектрическая проницаемость; ег — относительная диэлектрическая проницаемость; е0 — диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) /г2 =

если вода входит в состав материала как свободная (гигроскопическая), то ее относительная диэлектрическая проницаемость е « 80, в то время как для воды, абсорбируемой в виде монослоя, е == 2,5. В случае электролитической поляризации диэлектрическая проницаемость влажной гетерогенной системы может превышать значение проницаемости самой воды.

Относительная диэлектрическая проницае- е

По данным, приведенным в разделе 2.2.3.2, возможные значения ТР составляют от 10~5 до 10~! с; при концентрационной поляризации они могут быть еще существенно более высокими. В выражении (3.8) 80=8,85Х10-14 Ом-'-с-см-'; е — относительная диэлектрическая постоянная. Толщина слоя среды s в выражении для постоянной времени VM уменьшается. При 8=80 для водных сред получается соотношение

Переход атома металла из твердой фазы Метв в растворитель Мер происходит с совершением работы сублимации L, уменьшенной вследствие ослабления электростатического взаимодействия в е раз, где е — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в области двойного слоя (в этой стадии цикла растворитель рассматривается как континуум, обладающий диэлектрическими свойствами и заполняющий пространство). Ионизация растворенного атома требует работы ионизации (S 7), также уменьшенной в е раз. Возвращение электронов в металл дает выигрыш энергии геф/е, где г — валентность металла; eq> — работа выхода электрона.

Далее происходит гидратация и сольватация иона в электролите (Мбсольв), которые дают в сумме энергетический выигрыш — (Л/е5 + W), где W — работа гидратации; А — работа сольватации; es — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в объеме (в общем случае е =f= es), с увеличением которой работа сольватации уменьшается аналогично работе сублимации.

Переход атома металла из твердой фазы Метв в растворитель Мер происходит с совершением работы сублимации L, уменьшенной вследствие ослабления электростатического взаимодействия в е раз, где е — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в области двойного слоя (в этой стадии цикла растворитель рассматривается как континуум, обладающий диэлектрическими свойствами и заполняющий пространство). Ионизация растворенного атома требует работы ионизации (27), также уменьшенной в е раз. Возвращение электронов в металл дает выигрыш энергии геф/е, где z — валентность металла; ец>—работа выхода электрона.

лите (Ме^льн), которые дают в сумме энергетический выигрыш — (Al&s + W), где W — работа гидратации; А — работа сольватации; es — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в объеме (в общем случае е =f= es), с увеличением которой работа сольватации уменьшается аналогично работе сублимации. В итоге работа выхода иона в электролит, равная изменению термодинамического потенциала в реакции (246) с обратным знаком, составляет:

Аналогично ведет себя и полупроводник р-типа при увеличении в нем концентрации акцепторной примеси. Так как орбиты электронов примесных атомов увеличены в полупроводнике примерно в е раз (е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника), то примесные атомы начинают заметно взаимодействовать друг с другом уже при концентрации примеси УУД » 1024 м~3 (10~2— 10~3 атомных процента).

где ед — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического слоя. Она не зависит от приложенного напряжения. Емкость второго конденсатора

где в — пьезоконстанта; р — плотность; с — скорость звука; е — относительная диэлектрическая проницаемость материала пьезо-пластины; ео=8,85- 10~12 Ф/м — электрическая постоянная. Значе-

Если объект контроля выполнен из полупроводящего материала (о » шеа, где еа = е0ел — абсолютная диэлектрическая проницаемость; ег — относительная диэлектрическая проницаемость; е0 — диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) /г2 =

если вода входит в состав материала как свободная (гигроскопическая), то ее относительная диэлектрическая проницаемость е « 80, в то время как для воды, абсорбируемой в виде монослоя, е == 2,5. В случае электролитической поляризации диэлектрическая проницаемость влажной гетерогенной системы может превышать значение проницаемости самой воды.

Аналогично ведет себя и полупроводник р-типа при увеличении в нем концентрации акцепторной примеси. Так как орбиты электронов примесных атомов увеличены в полупроводнике примерно в е раз (е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника), то примесные атомы начинают заметно взаимодействовать друг с другом уже при концентрации примеси УУД » 1024 м~3 (10~2— 10~3 атомных процента).

где ед — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического слоя. Она не зависит от приложенного напряжения. Емкость второго конденсатора

— магнитная индукция; D = ейеЕ — электрическая 4л10~7 — магнитная проницаемость вакуума; ц — относительная магнитная проницаемость; е0 = 1/(4я9-109)—диэлектрическая проницаемость вакуума; г — относительная диэлектрическая проницаемость; б — плотность тока проводимости.

Резкое возрастание диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь до максимального значения наблюдается примерно до относительной влажности 30%. Дальнейшее увеличение процента влажности уже не приводит к увеличению еотн. Аномально высокие значения еотн для влажных материалов могут быть объяснены поляризацией как электродов, так и сферических частиц. Для выяснения, какой из этих механизмов оказывает преобладающее влияние на еотн, были измерены электрические параметры модельного раствора, имеющего электропроводность, равную значениям электропроводности для исследуемых материалов. Данные измерений показывают, что относительная диэлектрическая проницаемость модельного раствора значительно ниже значений еотн для исследуемых материалов. Полученные результаты позволяют считать, что причиной высоких значений еот„ и tg д влажных материалов является своеобразный механизм поляризации сферических частиц и электролитических оболочек вблизи этих частиц. 138

?5-YO • O.'II ,м;диаметр проЕода катушки индуктивности 0-7 ,°^€. [0.5-/0" ; /,5'М 3] ,м;расстояние мевду проводами обмотки катушки индуктивности /L8 ,авб[0;2-ЛЦм; относительная диэлектрическая

где F — сила взаимодействия зарядов в ньютонах; Q, Qi — заряды в кулонах; г = ЕО?' — диэлектрическая проницаемость среды в ф\м, причем ?0 = 8,86 X X 10~12 ф[м — диэлектрическая проницаемость пустоты; е.' — относительная диэлектрическая проницаемость (см. табл. И, стр. 344).

Относительная диэлектрическая проницаемость е . . ...... 0,5

где F — сила взаимодействия зарядов в н; Q, Q! — заряды в к; е = е0е' — диэлектрическая проницаемость среды • ф/м, причем е0 = 8,86 • 10~12 ф/м — диэлектрическая проницаемость пустоты; t' — относительная диэлектрическая проницаемость (см. табл. 12, стр. 463); В — расстояние между зарядами в м. Напряженность электрического поля Е — отношение си.1ы воздействия поля на заряженное тело к величине заряда •того тела: