|
Главная | Контакты: Факс: 8 (495) 911-69-65 | | ||
Относительная молекулярнаяИз всех металлов только три (железо, кобальт, никель) обладают ферромагнетизмом1, т. е. способностью значительно сгущать магнитные силовые линии, что характеризуется магнитной проницаемостью. Относительная магнитная проницаемость ферромагнитных металлов достигает десятков и сотен тысяч единиц; для остальных она близка к единице. Как известно, вещество, относительная магнитная проницаемость которого несколько больше единицы, называется парамагнитным, меньше единицы — диамагнитным. Напомним о том, что относительная магнитная проницаемость ц представляет собой отношение магнитного ноля, создаваемого током в намагниченной среде, например в металле4, к магнитному полю, создаваемому тем же током в вакууме. В зависимости от значения и материалы разделяют на ферромагнитные (железо) Напомним о том, что относительная магнитная проницаемость ц представляет собой отношение магнитного поля, создаваемого током в намагниченной среде, например, в металле, к магнитному полю, создаваемому тем же током в вакууме. В зависимости от значения jj, материалы разделяют на ферромагнитные (железо) - ц > 104; диамагнитные (медь, цинк) - ц = 1 - е; парамагнитные (алюминий, марганец) - ц = 1+8, где е - коэффициент, равный ЮЛ.ЛОЛ В качестве электрофизических параметров в математических моделях обычно выступают коэрцитивная сила //с, удельное электрическое сопротивление р, относительная магнитная проницаемость ц, остаточная индукция Вт, намагниченность насыщения Ms и другие параметры. Но для измерения совокупности этих параметров необходимо применение разнообразных приборов, установок и датчиков, что делает практически невозможным использование многопараметровой модели для экспресс-оценки технического состояния оборудования в производственных условиях. Попытка контроля механических напряжений по одному электрофизическому параметру, а также наличие магнитомеханического гистерезиса и специфического напряженного состояния верхнего тонкого слоя металла приводят к высоким значениям погрешностей. Поэтому важной задачей элек- Если деталь намагничена, в ней имеет место магнитный поток Ф, магнитные линии которого имеют определенную направленность (рис. 6.35, а). При встрече с дефектом, относительная магнитная проницаемость которого в тысячи раз меньше относительной магнитной проницаемости металла, силовые линии обходят дефект, часть их вытесняется на поверхность, образуя поля рассеивания магнитных линий и местную полюсность (N- S). (рис. 6.35, б). В качестве электрофизических параметров в математических моделях обычно выступают коэрцитивная сила Не, удельное электрическое сопротивление р, относительная магнитная проницаемость ,м, остаточная индукция бг, намагниченность насыщения Ms и другие параметры. Но для измерения совокупности этих параметров необходимо применение разнообразных приборов, установок и датчиков, что делает практически невозможным использование многопараметровой модели для экспресс-оценки технического состояния оборудования в производственных условиях. Попытка контроля механических напряжений по одному электрофизическому параметру, а также наличие магнитомеханического гистерезиса и специфического напряженного состояния верхнего тонкого слоя металла приводят к высоким значениям погрешностей. Поэтому важной задачей элек- Магнитная проницаемость. Относительная магнитная проницаемость fi — безразмерная физическая величина, характеризующая магнитные свойства магнетиков: ц = 1 -{- Хт» Из (1) и (2) имеем: Если деталь намагничена, в ней имеет место магнитный поток Ф, магнитные линии которого имеют определенную направленность (рис. 6.35, а). При встрече с дефектом, относительная магнитная проницаемость которого в тысячи раз меньше относительной магнитной проницаемости металла, силовые линии обходят дефект, часть их вытесняется на поверхность, образуя поля рассеивания магнитных линий и местную полюсность (N- S). (рис. 6.35, б). Способность материала намагничиваться характеризуется абсолютной магнитной проницаемостью ца = б/Я, где б — магнитная индукция; Н — напряженность поля. Относительная "магнитная проницаемость ц=ц.а/Цо, где А0—магнитная проницаемость вакуума, показывает, во сколько раз результирующее поле в намагничивающей среде сильнее поля, создаваемого таким же током в вакууме. Параметры магнитопорошкового контроля складываются из параметров намагничивающего поля (тип, способ намагничивания), параметров материала изделия (коэрцитивная сила, остаточная индукция, относительная магнитная проницаемость) и параметров контроля — чувствительности. тельная атомная масса элемента, относительная молекулярная масса где N — одинаковое в обоих объемах количество молекул. Для характеристики массы молекулы пользуются понятием относительная молекулярная масса (или, короче, молекулярная масса)1, представляющим собой отвлечен- где Ср — теплоемкость жидкости при постоянном давлении; р — объемная плотность жидкости; \i — относительная молекулярная масса. Относительная молекулярная масса 24.32 65.328 26.97 где Mi — масса г'-го газа, кг; R — универсальная газовая постоянная; Т — абсолютная температура газа, К; у — объем газа, м3; \ц — относительная молекулярная масса газа, кг/моль; где R — газовая постоянная; М — относительная молекулярная масса; а — коэффициент аккомодации. Полимерами называют высокомолекулярные соединения, молекулы которых (макромолекулы) состоят из большого числа повторяющихся мономерных звеньев, соединенных в линейные (цеповидные), разветвленные, лестничные п трехмерные сетчатые стериорогулярные, изотактические и другие структуры. При макромолекулах, состоящих из одинаковых мономеров, образуются гомополиморы (или собственно полимеры), при макромолекулях, состоящих пз чередующихся отрезков (блоков) различных мономеров, образуются блоксопо-лпмеры, и когда в цепь одних мономеров возможно «привить» отрезки других, получаются «привитые сополимеры». Относительная молекулярная масса полимеров (и сополимеров) 5000—1 000 000. Так как в одном киломоле газа число молекул NA = 6,0228- 1 026, где NA — число Авогадро, то в 1 м3 (т. е. в р кг/м3) число молекул М» = = Л^Ар/ц, где ц, — относительная молекулярная масса газа. Примечание. Е — относительная эквивалентная масса растворенного вещества; М — относительная молекулярная масса растворенного вещества; М _ — относительная молекулярная масса растворителя; п — число эквивалентов в 1 моле растворенного вещества (П"М/Е); р — плотность раствора. где М — относительная молекулярная масса газа (см. табл. 7); Ро — плотность газа в нормальных физических условиях т е' при 0° С и 760 мм рт. ст. («Л ,01 бар), в кг/м3. ' Наименование Химическая формула Относительная молекулярная масса М Газовая постоянная К, вж/(пг-град) Плотность рг, (при 0° С и 760 мм рт. ст.), кг/мг Рекомендуем ознакомиться: Остаточное количество Относительной стойкости Относительной величиной Относительное ослабление Остаточное содержание Относительное проскальзывание Относительное равномерное Относительное сопротивление Относительное ускорение Относительного количества Относительного положения Относительного распределения Относительного равновесия Относительного температурного Относительного заполнения |