Относительное рассеяние

Относительное распределение в объеме слитка зоны столбчатых и равноосных кристаллов имеет большое значение.

Рис. 6.17. Влияние термообработки стали (0,95 % С) на относительное распределение углерода .в виде газа, сажи и карбидов в продуктах коррозии. Коррозия в 10 % H2S04 [49]

добия, находят значения напряжений или их относительное распределение в натурной конструкции.

Q, St0, 8^ — параметры "эталонного" процесса; If = q/qw; — m/ mw — относительное распределение тепловых и массовых

На рис. 1.12 приведен равновесный состав серосодержащих компонентов в продуктах сгорания в зависимости от соотношения Н2/О2 при N2/O2=5 для интервала температур 1500—1700 °С. На вертикальной .оси показано относительное количество серы в пламени в виде S2 при двух первоначальных концентрациях SO2 в смеси (а) и относительное распределение серы, которое связано с ее одним атомом (б, в).

Небольшая примесь сурьмы (около 0,03%) в стекле дает возможность с достаточной точностью определить значения толщины снимаемых слоев стекла. При условии равномерного распределения сурьмы в стекле толщина слоя для данного образца должна быть прямо пропорциональной количеству отсчетов в фотопике у-линии Sb124. Основной вклад в относительную ошибку определения толщины снимаемых слоев создают статистические отклонения при измерении количества импульсов в измеряемом фотопике. Точность определения абсолютного значения толщины слоя стекла также существенно повышается, по сравнению с методом изучения диффузии вещества, меченного радиоактивным изотопом [7]. Для получения абсолютного значения толщины снимаемых слоев достаточно определить общий вес всех снятых слоев и учесть относительное распределение толщины их для данного образца. Таким образом, достигается более высокая точность определения относительных значений концентраций олова в стравливаемых слоях стекломассы, позволяющая рассчитать коэффициент диффузии с погрешностью 12—-15% при коэффициенте надежности 0,9 (см. рис. 3, 4).

где #сум — общее число циклов (до разрушения) режима переменной нагрузки; Ф'(а) — относительное распределение числа циклов по амплитудам (спектр амплитуд); N(a) —уравнение кривой усталости.^ '

Из соотношений (2.97) и (2.102) видно, что относительное распределение контактных давлений по длине зоны контакта не зависит от величины внешней нагрузки.

Из уравнения (4.55) видно, что в случае линейно упругого контактного слоя относительное распределение контактных давлений не зависит от величины внешней нагрузки. Нагрузка и податливость слоя влияют только на ширину зоны контакта.

На рис. 7.2 показано относительное распределение давления для всех исследованных скоростей. Видно, что вблизи выходного сечения трубы на расстоянии от

Кольцевой канал с эксцентриситетом. Относительное распределение касательного напряжения на стенках ко,1 ьцевого канала (рис. 1.4) с эксцентриситетом рассчитывают по формуле

демпфирующей способностью вследствие внутреннего трения; относительное рассеяние энергии в муфтах с резиновыми элементами достигает 0,3. . .0,5; 3) электроизоляционной способностью. Муфты с резиновыми упругими элементами проще и дешевле, чем со стальными.

Ряд параметров, входящих в формулы расчета деталей машин, имеют существенное рассеяние и должны рассматриваться как случайные величины. Соответственно расчеты следует производить в вероятностном плане. Это особенно относится к расчетам на долговечность и к расчетам, в которые в качестве основных параметров входят натяги и зазоры, например к расчетам соединений с натягом и подшипников. Натяги и зазоры получаются как разность близких величин и имеют, так же как и ресурсы, особенно большое относительное рассеяние.

где i> — относительное рассеяние энергии колебаний.

б) значительной демпфирующей способностью; относительное рассеяние энергии в резине1 достигает 0,1...0,3, в муфтах с резиновыми упругими элементами 0,3...0,8;

Муфты допускают соединение при сборке без осевого смещения. Относительное рассеяние энергии в муфтах достигает 0,5...0,6.

Фиг. 2. 5. Относительное рассеяние при показателе т = 3 (а); и сравнение величин ty, полученных из опытов с затухающими (штриховые линии) и вынужденными (сплошная линия) колебаниями (б).

Наконец, относительное рассеяние вместо формул (2. 22) будет выражено в такой форме:

который напряжение а опережает деформацию е. Для идеально упругого тела деформация всегда совпадает по фазе с напряжением, и на диаграмме °" — f (8) (рис. 1) эта зависимость выражается прямой линией 1. Для реальных тел диаграмма ст = / (е) представляет собой петлю гистерезиса, площадь ДЦ7 которой является мерой потери энергии в процессе колебания и выражает рассеяние энергии в единице объема материала при амплитуде деформации е0, т. е. является удельной характеристикой рассеяния энергии, которую принято называть истинным рассеянием энергии в материале. Характеристикой демпфирующих свойств упругой системы считают относительное рассеяние энергии гз = = AW/W, где W — амплитудное значение потенциальной энергии упругой системы. Угол сдвига фазы связан с относительным рассеянием энергии соотношением ф = 2я tg ф.

Относительное рассеяние определяют как при статическом, так и при динамическом нагружении.

Относительное рассеяние при динамическом нагружении можно определять методом Феппля—Пертца по затуханию крутильных колебаний. На рис. 2 показана схема прибора Феппля—Пертца. Образец 3 прочно зажат нижним концом в захвате 1, расположенном на массивной стальной раме 2. На верхнем конце образца своим захватом 5 прочно укреплена

Обработка полученной диаграммы заключается в вычислении нескольких значений: Ап — An+i = &Ап, где Ап— амплитуда n-го колебания; An+i —• амплитуда следующего колебания. Затем по таблицам Феппля находят относительное рассеяние для любой амплитуды колебаний, для которой найдено отношение Ь.АП1АП.