Отражающих поверхностей

же в сравнительно крупнозернистых образцах число кристал-литов, находящихся под благоприятным углом отражения, для каждой серии отражающих плоскостей будет достаточно велико, чтобы дать конус отраженных лучей, который при пересечении с пленкой образует круг. Если размеры камеры извест-ны, то по диаметру колец может быть вычислен угол отражения. Для этого надо предварительно получить рентгенограмму и измерить линии какого-либо стандартного вещества, чтобы ввести поправку на сжатие пленки. Этот же метод применялся для опилок, нанесенных на плоскую поверхность.

же в сравнительно крупнозернистых образцах число кристал-литов, находящихся под благоприятным углом отражения, для каждой серии отражающих плоскостей будет достаточно велико, чтобы дать конус отраженных лучей, который при пересечении с пленкой образует круг. Если размеры камеры извест-ны, то по диаметру колец может быть вычислен угол отражения. Для этого надо предварительно получить рентгенограмму и измерить линии какого-либо стандартного вещества, чтобы ввести поправку на сжатие пленки. Этот же метод применялся для опилок, нанесенных на плоскую поверхность.

Параметры элементарной ячейки можно определить, используя формулы для их расчета при различных сшгониях кристаллического •вещества, т.е. формах его кристаллической ячейки, связывающие эти параметры, межплоскостные расстояния dhkl и индексы отражающих плоскостей h, k, I (табл. 2.1.1).

Кювета с образцом устанавливается в специальном держателе гониометра. С включением аппарата образец и счетчик начинают поворачиваться с заданными скоростями в горизонтальной плоскости вокруг общей вертикальной оси гониометра; угол падения лучей на плоскость образца постепенно возрастает. При повороте образца часть отражающих плоскостей кристаллитов вещества проходит через положение, при котором выполняется условие Вульфа — Брэгга. Интенсивность дифрагированных лучей последовательно под разными, все увеличивающимися углами измеряется детектором излучения (сцинтилляционным счетчиком).

1. Как определяют индексы h, k, I отражающих плоскостей в кристаллическом пространстве?

Применение качественного рентгеновского анализа к бокситу ограничено следующим. Интенсивность дифракционных линий вещества зависит не только от концентрации кристаллов и числа отражающих плоскостей, но и от упорядоченности кристаллической решетки у них. Кроме того, для отражения рентгеновских лучей необходима определенная минимальная величина когерентных областей решетки. Эта минимальная величина зависит от длины волны применяемого рентгеновского излучения и структуры соответствующего кристаллического вещества. Поэтому невозможно дать общее правило. По Глокеру, частицы с линейными размерами менее 10 мкм уже показывают значительное расширение линий при одновременном ослаблении интенсивности.

4) находят индексы оси зоны [uvw] (общего направления для всех отражающих плоскостей, дающих данную дифракционную картину), антипараллельной пучку, как векторное произведение двух любых конкретно проинди-цированных векторов отражения (или векторов обратной решетки) [gi • #2], причем вектор g2 должен быть повернут относительно

рические методы построения ППФ основаны на анализе характера изменения интенсивности для определенных интерференции (HKL) при изменении положения образца и соответственно положения отражающих плоскостей (HKL) в объеме образца, создающих интерференционную картину. Во всех случаях счетчик устанавливается под углом 26 к падающим лучам и в процессе записи кривой остается неподвижным. Съемку проводят на отражение (метод наклона или метод поворота) и на просвет тонкого образца (толщина несколько сотых долей миллиметра).

кристаллической решетки, от которых в условиях наблюдения происходит отражение (дифракция) электронов и тем, насколько близка ориентировка отражающих плоскостей к положению, соответствующему условию Вульфа—Бреггов:

Где К — длина волны электронов, п — целое число, порядок отражения. Количественно отклонение отражающих плоскостей от условия (6.11) определяется углом А6, равным разности 9В и действительного угла скольжения, образуемого первичным электронным лучом с этими плоскостями. Контраст зависит как от величины, так и от знака А9.

В общем случае дифракции плоской волны на монокристаллической пластине отражающие плоскости наклонены к рабочим поверхностям (рис. 8.2) и углы скольжения к ним падающего / (прошедшего Т) и отраженного R пучков различны. Различают два основных типа дифракции; на отражение — по Брэггу (/ — асимметричная, 2 — симметричная) и на прохождение — по Лауэ (3 —¦ асимметричная, 4 — симметричная). Штриховая линия указывает направление отражающих плоскостей. Однако из-за значительного фотоэлектрического поглощения дифрагированной волны применение последнего ограничено областью длин волн менее 0.2 им: Для многослойных молекулярных структур, очевидно, возможна только симметричная дифракция на отражение.

ВАКУУМНОЕ ЛИТЬЁ - получение отливок из сплавов цветных металлов, гл. обр. никелевых, титановых и др. жаропрочных сплавов, при к-ром заполнение жидким металлом литейной формы ведётся в вакууме (40-0,3 Па). Изготовленные таким способом отливки отличаются повыш. плотностью и имеют гладкую поверхность. ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ - нанесе-ние плёночных покрытий в вакууме методом направленного осаждения частиц из потока испаряемого или распыляемого в-ва. Используется для формирования элементов интегральных схем и ПП приборов, токопрово-дящих слоев на заготовках резисторов, отражающих поверхностей оп-тич. элементов лазеров, эмиссионных покрытий деталей электровакуумных приборов и т.д.

ОПТИЧЕСКАЯ ОСЬ - 1) О.О. линзы, вогнутогоили выпуклого зеркала - прямая линия, являющаяся осью симметрии преломляющих поверхностей линзы или отражающих поверхностей зеркала; проходит через центры кривизны поверхностей перпендикулярно к этим поверхностям. Линза, оптич. поверхности к-рой обладают общей О.о., наз. осесимметричной.

ОПТИЧЕСКИЙ ПРОЦЕССОР - устройство, представляющее собой совокупность оптич. и оптоэлектронных элементов, выполняющих в соответствии с заданным алгоритмом оптич. обработку информации. Различают аналоговые и цифровые О.п. Аналоговые О.п. состоят в основном из линз, зеркал, призм и др. элементов классич. оптики и одного или неск. пространственно-временных модуляторов света; применяются для выполнения преобразований Фурье и Френеля, умножения над двухмерными функциями, выделения сигнала из шумов и др. операций. Цифровой О.п. состоит из одного или неск. пространственно-временных модуляторов света и волоконно-оптич. элементов. Алгоритм обработки информации в таком О.п. подобен алгоритму, используемому в универсальных ЭВМ; предназнач. гл. обр. для использования в высокопроизводит. вычислит, комплексах. ОПТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР - резона-тор (обычно открытый), образованный совокупностью отражающих поверхностей, в к-ром могут возбуждаться и поддерживаться разл. вида электромагн. колебания оптич. диапазона (см. Мода). Простейший О.р. состоит из двух плоских параллельных зеркал, находящихся на определ. расстоянии одно от другого. Применяется в качестве резонансной системы в лазерах и интерферометрах.

КАТОПТРИКА (от греч. katoptrikds — зеркальный, отражённый в зеркале) — раздел оптики, в к-ром рассматриваются закономерности образования изображения в оптич. системах, состоящих только из -зеркально отражающих поверхностей. Осн. преимущество зеркал по сравнению с линзами — отсутствие хроматической аберрации, недостаток — трудность исправления аберраций наклонных пучков. Зеркальные и зеркально-линзовые системы применяют в телескопах, фотографич. объективах, телеобъективах, микроскопах, спектроскопах и т. д.

ОПТИЧЕСКАЯ ОСЬ — понятие, используемое в геом. оптике. 1) Главная О. о. оптической системы — прямая, на к-рой расположены центры преломляющих или отражающих поверхностей, образующих данную систему.Оптич. система, имеющая гл. О. о., наз. центрированной. 2) П о-бочная О. о. линзы — любая прямая, кроме гл. О. о., проходящая через оптич. центр тонкой линзы (см. Линза). 3) О. о. кристалла — направление в оптически анизотропном кристалле, вдоль к-рого свет распространяется, не испытывая двойного лучепреломления. Оптически анизотропные кристаллы в зависимости от их структуры могут иметь либо 2 различные О. о. (двуосные кристалл ы), либо одну О. о. (одноосные кристалл ы).

ОПТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР — система отражающих поверхностей, в к-рой возбуждаются и поддерживаются электромагнитные колебания оптич. диапазона длин волн с излучением в свободное пространство. Простейший О. р. состоит из 2 плоских параллельных зеркал, находящихся на определённом расстоянии одно от другого. Применяется в качестве колебат. системы (резонатора) оптич. квантового генератора (лазера).

Резонансные методы — более .чувствительные к перемещениям отражающих поверхностей. Порог чувствительности находится в диапазоне 10~3— 10~6 нм. При выборе рабочей резонансной частоты, например /0 = 7 ГГц, изменение частоты на 1 Гц будет соответствовать перемещению границы на 10~3 нм. На рис, 61 представлена упрощенная схема преобразователя одного из типичных устройств, реализующих резонансный метод.

Преобразователь 2 служит для преобразования электрических колебаний в ультразвуковые, излучения ультразвуковых полей в изделие, приема эхо-сигналов от отражающих поверхностей в изделии 1.

17-13. ТЕПЛООБМЕН ИЗЛУЧЕНИЕМ ПРИ НАЛИЧИИ ОТРАЖАЮЩИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

17-13. Теплообмен излучением при наличии отражающих поверхностей . . 412

Пространство, в котором звуковые волны свободно распространяются, не встречая отражающих поверхностей, называется свободным акустическим полем.