Отрицательную вещественную

Сэр Дж. Дж. Томсон *) недавно выдвинул теорию, объясняющую рассеяние частиц, проходящих через тонкие слои вещества. Предполагается, что атом состоит из N отрицательно заряженных частиц с таким же количеством положительного электричества, равномерно распределенным внутри некоторой сферы. Отклонение отрицательно заряженной частицы в процессе прохождения сквозь атом объясняется двумя причинами: 1) отталкиванием от частиц, распределенных в атоме, и 2) притяжением к положительному заряду атома. Предполагается, что отклонение частицы при пронизывании атома мало, тогда как среднее отклонение после большого числа встреч т принимается равным л/т 9, где 9 — среднее отклонение, вызванное одним атомом. Было показано, что число N электронов в атоме может быть вычислено из измерений по рассеянию заряженных частиц. Точность этой теории многократного отклонения была экспериментально проверена Краузером **) в более поздней работе. Его результаты, по-видимому, подтверждали основные заключения теории Том-сона, и, принимая непрерывность распределения положительного электричества, Краузер сделал вывод, что число электронов в атоме превышает атомную массу приблизительно втрое.

К определению направления вращения отрицательно заряженной частицы в магнитном поле индукции В

Механизм этого явления представим следующим образом. Я- И. Френкель обосновал существование у металлов двойного поверхностного электрического слоя, образованного облаком свободных (нелокализованных) электронов над металлической поверхностью и положительными ион-атомами остова кристаллической решетки (слоем избыточных поверхностных катионов). Этот двойной слой для краткости в дальнейшем будем именовать френкелевским. Во френкелевском двойном слое всегда существует скачок потенциала, в том числе и при отсутствии заряда на поверхности металла, т. е. в нулевой точке металла (как и скачок потенциала, связанный с ориентацией диполей растворителя [84]). Деформационное локальное расширение решетки вблизи поверхности металла ведет к «отсасыванию» электронов из соседних областей, в том числе из френкелевского двойного слоя, вследствие выравнивания уровня Ферми. Возникновение локального потенциала деформации растянутой области сопровождается изменением в противоположном направлении потенциала областей, которые выполнили функцию донора электронов. Нелокализованные электроны френкелевского двойного слоя наименее прочно связаны с ион-атомами остова кристаллической решетки (относительно электронов внутренних областей) и в первую очередь втягиваются в растянутые области кристалла, «оголяя» поверхностный монослой ион-атомов остова решетки, несущих положительный заряд. В результате такого перетекания электронов образуется двойной электрический слой, состоящий из отрицательно заряженной обкладки — растянутых подповерхностных областей кристалла и положительной обкладки — монослоя выдвинутых наружу положительных поверхностных ион-атомов. Для краткости будем называть такой двойной слой, обусловленный деформацией, внутренним двойным слоем металла. Одновременно изменяется структура френкелевского двойного слоя вследствие частичного ухода в металл внешних электронов и в связи с этим уменьшается тормозящий выход электронов из металла скачок потенциала, а следовательно, уменьшается работа выхода электронов (уровень химического потенциала электронов внутри металла сохраняется). 98

Деформационное локальное расширение решетки вблизи поверхности металла ведет к «отсасыванию» электронов из соседних областей, в том числе из френкелевского двойного слоя, вследствие выравнивания уровня Ферми. Возникновение локального потенциала деформации растянутой области сопровождается изменением в противоположном направлении потенциала областей, которые выполнили функцию донора электронов. Нелокализованные электроны френкелевского двойного слоя наименее прочно связаны с ион-атомами остова кристаллической решетки (относительно электронов внутренних областей) и в первую очередь втягиваются в растянутые области кристалла, «оголяя» поверхностный монослой ион-атомов остова решетки, несущих положительный заряд. В результате такого перетекания электронов образуется двойной электрический слой, состоящий из отрицательно заряженной обкладки — растянутых подповерхностных областей кристалла и положительной обкладки — монослоя выдвинутых наружу положительных поверхностных ион-атомов. Для краткости будем называть такой двойной слой, обусловленный деформацией,внутренним двойным слоем металла.

Для бомбардировки мишени удобно использовать заряженные частицы •— ионы, так как их легко разгонять до нужной энергии в электрическом поле. Иногда для распыления мишени применяют специальные источники ионных пучков, в которых ионы отсортиро? ваны по массам и имеют одну и ту же энергию. Но чаще в качестве источника ионов используется газоразрядная плазма, из которой положительные ионы вытягиваются отрицательно заряженной мишенью. Такой способ распыления называют иОнно-плазменным. Рассмотрим его более подробно. i •

от отрицательно заряженной верхней грани ,„(2) 2а(х — b — T

от отрицательно заряженной

Тангенциальная Н2х и нормальная Нгу составляющие поля от отрицательно заряженной грани

Составляющие поля от отрицательно заряженной грани диполя

Если предположить, что адсорбция происходит только за счет электростатического взаимодействия катионов ингибитора с отрицательно заряженной поверхностью металла через слой молекулярного сероводорода, то поскольку слой сероводорода может только ослабить это взаимодействие, эффективность защиты в этом случае должна была бы несколько снизиться, Следует допустить поэтому наличие специфической адсорбции катионов ингибитора на поверхностном слое сероводорода. Адсорбируясь на слое сероводорода, катионоактивный ингибитор создает энергетический барьер за счет ф-^ -потенциала, который препятствует подводу ионов гидроксония. Ингибитор таким образом блокирует молекулы сероводорода, уменьшая образование ионов сульфония. Сероводород при этом играет роль не стимулятора коррозии, а ее ингибитора(см.рис.8). Специфический характер связи между слоем сероводорода и катионами ингибитора подтверждается температурной зависимостью ингибирующего действия (см.рис.24).

с плоским конденсатором и дал ориентировочную оценку емкости двойного слоя порядка 100(iF-c^-2. Более точные измерения показали, однако, что это значение сильно завышено. Емкость двойного слоя для идеальной отрицательно заряженной поверхности (ртути) равна 18 \\F-CM~2 и примерно вдвое выше при положительном заряде поверхности, когда на ней адсорбированы анионы. В последующем эти представления более подробно были развиты Гельмгольцем.

Как уже указывалось, общее решение однородного уравнения есть сумма слагаемых, вид которых определяется значениями корней характеристического уравнения. Если в этом решении какое-нибудь его слагаемое неограниченно возрастает по абсолютной величине, то возрастает по абсолютной величине и вся сумма в целом. Принимая во внимание значения показателей степени в слагаемых (10.10) и (10.11), получаем, что присутствия одного положительного вещественного корня г;- или одной пары сопряженных комплексных корней с положительной вещественной частью а/;>0 оказывается достаточным, чтобы значения ус неограниченно возрастали. Следовательно, для асимптотической устойчивости движения звеньев механизма необходимо и достаточно, чтобы все корни характеристического уравнения имели отрицательную вещественную часть.

Если в общем решении уравнения (9.77) какое-нибудь его слагаемое неограниченно возрастает по абсолютной величине, то неограниченно возрастает по абсолютной величине и вся сумма в целом. Отсюда следует, что присутствия одного положительного вещественного корня он или одной пары сопряженных комплексных корней с положительной вещественной частью ctk > 0 оказывается достаточным, чтобы величина //с неограниченно возрастала. Следовательно, для асимптотической устойчивости движения звеньев механизма необходимо и достаточно, чтобы все корни характеристического уравнения имели отрицательную вещественную часть.

все корни которого, как легко показать, опираясь на критерии Гурвица [24 ], имеют отрицательную вещественную часть. Поэтому при с12 = 0 трение в подшипнике всегда демпфирует колебания, обеспечивая устойчивость вращения ротора.

В рассматриваемом случае Нте > Нкр и хг > 0. Тогда при изменении х от нуля до Xi модуль множителя (1 — х/х^ изменяется от 1 до 0, так как вещественная часть а,^ положительна. Модуль множителя (1 — х/Х})°ь возрастает от 1 до оо, так как аа имеет отрицательную вещественную часть. Поэтому в точке х = х1 при Л2 =f= О получаем Нт = со, что невозможно, и, следовательно, Л2 = 0.

и отрицательную вещественную часть, если \ < 0.

корень при возрастании р- приобретал отрицательную вещественную часть, достаточно, чтобы имело место

Таким образом два из них приобретают отрицательную вещественную часть и два положительную.

Однако при переходе через кривую 1 эти корни опять приобретают отрицательную вещественную часть, таи как на этой ча-

Действительно, в упомянутой работе показано, что необходимым и достаточным условием того, чтобы нулевые корни приобретали отрицательную вещественную часть, являются условия:

Корни характеристического уравнения будут иметь отрицательную вещественную часть, если кривая, описываемая концом вектора Михайлова в плоскости комплексного переменного, при изменении со от 0 до оо проходит последовательно против часовой стрелки, начиная с положительной ветви вещественной оси, п квадрантов, где п — степень характеристического -уравнения.

тика разомкнутой системы (рис. 7, г) позволяет по критерию Найквиста определить границу области устойчивости по тому или иному параметру системы. Например возрастание коэффициента трения или увеличение амплитудного значения характеристики разомкнутой системы при частотах, близких к тем, на которых эта характеристика пересекает отрицательную вещественную ось, означает уменьшение области ус.