Определенным плоскостям

Этот вид соединений образуется между двумя металлами из следующих групп: Си, Ag, Аи, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, с одной стороны, и Be, Zn, Cd, Al, Sn, Si — с другой. Соединения эти, как показал английский металлофизпк Юм-Розсри, характеризуются определенным отношением валентных электронов к числу атомов (3/2; 2/1з или 7/4), причем каждому отношению соответствует определенная кристаллическая решетка. Так, например, при отношении числ* валентных электронов к числу атомов, равном 3/2, образуется решетка объем-ноцентрироиашюго куба (так называемая р-фаза). Все соединения, у которых отношение валентных электронов к числу атомов равняется 21/1з. имеют сложную кубическую решетку с 52 атомами на ячейку (так называемая у-фаза), и, наконец, при отношении 7/4 соединение имеет гексагональную решетку (е-фа-за).

Электронные соединения возникают при взаимодействии двух металлов I группы периодической системы Д. И. Менделеева или переходных групп (Си, Ag, Аи, Fe, Co, Ni, Pd, Pt и др.) с металлами II—V групп периодической системы (Be, Zn, Cd, Al, Sn.Si, Mg и др.). По В. Юм-Розери эти соединения характеризуются определенным отношением валентных электронов к числу атомов: 3/2, 21/13 или 7/4, каждому из которых соответствует определенная кристаллическая решетка. Например, для отношения 3/2—К8 ((3-фаза), в случае 21/1з— К12 (v-фаза), а при отношении 7/4—Г12 (е-фаза).

Та же последовательность операций осуществляется и при дифференциальном способе испытаний. Выбранное значение тока справедливо только для данных образцов с определенным отношением длины к диаметру. При изменении этого отношения ток подбирается или рассчитывается заново.

Все данные, представленные в табл. 162, получены в сравнительно чистой, медленно движущейся прибрежной морской воде, подходящей для роста как макро-, так и микроорганизмов. В загрязненной или разбавленной морской воде, в арктических водах, в условиях быстрого потока и в других случаях, когда кислород присутствует, а обрастание невозможно, скорости коррозии могут быть выше. Кроме того, приведенные результаты относятся к травленым образцам без поверхностной окалины с определенным отношением площадей боковых и лицевых сторон (0,056) и не имевшим контакта с другими металлами. Более высокое отношение площади боковых и лицевых сторон может увеличить средние коррозионные потери. Гальванические эффекты, вызванные большой площадью окалины, контактом с другим металлом или изменением свойств электролита, могут нарушать биологический контроль и усиливать питтинг. Всякие другие отклонения от нормальных условий также могут влиять на механизм коррезии.

Требования к балансировке жестких и гибких роторов из-за их динамических особенностей должны различаться. Однако единого мнения о границах жесткости для выбора метода уравновешивания нет. Д. П. Ден-Гартог [1], например, считает, что учитывать деформацию ротора при балансировке следует для машин, у которых рабочие скорости со превышают половину первой критической щ, рассчитанной для ротора на жестких опорах. В. А. Зенкевич принимает это для co/coi = = 0,6 [2], а Л. Н. Кудряшев [3] предлагает 0,2 с делением роторов на тихоходные и быстроходные. Считается необходимым проведение балансировки роторов на повышенных и рабочих скоростях. На практике используются в основном методы, пригодные лишь для жестких роторов, теория балансировки которых правомерна при числе оборотов, не превышающем 0,3 -4- 0,5 со1Кр, с размещением плоскостей коррекции у опор. Стремление к снижению размеров и веса современных турбомашин приводит к тому, что роторы делаются высокооборотными (п = 9 -f--г- 45 тыс. об/'мин), работающими вблизи критических режимов или за ними, а опоры — нежесткими. Это в еще большей степени требует применения эффективных методов уравновешивания. Условия, при которых уравновешивание в плоскостях опор можно считать эффективным, должны обеспечивать снижение амплитуд колебаний корпуса и опор, уменьшение усилий, передаваемых подшипниками, и снижение амплитуд прогибов ротора. Эти условия связаны с определенным отношением рабочей скорости ротора к первой собственной частоте его колебаний на жестких опорах.

Во всяком техническом устройстве или технологическом методе имеет место связь между причиной и действием. Это означает наличие минимум одной входной и одной выходной величины с определенным отношением между ними. Является ли между входом и выходом главенствующим поток информации или поток энергии, для дальнейших рассуждений несущественно, ибо поток энергии неизбежно связан с передачей информации. Обычные клещи представляют собой простейший пример. Сила руки (причина или входная величина) воздействует на

фузорности течения, характеризуемой эквивалентным углом диф-фузорности течения 0ЭКВ = 9Экв.кр = 8 ... 9° или определенным отношением wmax/wz ~ 1,6, которому соответствует некоторая допустимая диффузорность потока, определяемая примерно постоянным значением отношения скоростей w^w-^.

Электронные соединения отличаются определенным отношением числа валентных электронов к числу атомов, т.е. имеют конкретную электронную концентрацию, каждой из которых соответствует свой тип кристаллической решетки. Так, например, все химические соединения с электронной концентрацией, равной 3/2 (U5), имеют кубическую объемно-центрированную, сложную кубическую или гексагональную решетки и обозначаются как ^-соединения (CuBe, CuZn, Си3А1, Cu5Sn, CoAl, FeAl и др.). Химические соединения с электронной концентрацией 21/в (1,62) имеют сложную решетку и обозначаются у-фазой (Cu5Zng, CuCd3, Au3Sn и др.), с концентрацией 7/4 (1>75) — плотно упакованную гексагональную решетку и обозначаются ъ-фазой (CuZn3, Cu3Si, Au3Sn и др.). Свойства электронных соединений в значительной степени зависят от упорядоченности в расположении атомов компонентов.

Электронные соединения характеризуются определенным отношением числа валентных электронов к числу атомов в решетке —- (Юм-Розери). При —- =— (по расчету 1,5 или

Этот вид соединений образуется между двумя металлами из следующих: групп: Си, Ag, Аи, Fe, Co, Mi, Pd, Pt, с одной стороны, и Be, Zn, Cd, Al, Sn, Si — с другой. Соединения эти, как показал английский металлофизик Юм-Розери, характеризуются определенным отношением валентных электронов к числу атомов (3/2; 2l/is или 7/4), причем каждому отношению соответствует определенная кристаллическая решетка. Так, например, при отношении числа валентных электронов к числу атомов, равном 3/2, образуется решетка объем-ноцентрированного куба (так называемая (5-фаза). Все соединения, у которых отношение валентных электронов к числу атомов равняется 21/!з, имеют сложную кубическую решетку с 52 атомами на ячейку (так называемая у-фаза), и, наконец, при отношении 7/4 соединение имеет гексагональную решетку (е-фа-за).

A. Фазы Юм-Розери, которые образуются между металлами групп Ib, IVb до VHIb (металлы первого рода) и металлами групп lib, Ilia до Va (металлы второго рода) — табл. 4. Такие фазы характеризуются определенным отношением числа валентных электронов к числу атомов.

A. Фазы Юм-Розери, которые образуются между металлами групп Ib, IVb до VHIb (металлы первого рода) и металлами групп lib, Ilia до Va (металлы второго рода) — табл. 4. Такие фазы характеризуются определенным отношением числа валентных электронов к числу атомов.

канием. При обычных методах производства керамик сохраняется значительная остаточная пористость, которая делает их полупрозрачными, а чаще непрозрачными. Большинство керамик характеризуются очень низкой пластичностью, высокой твердостью, жесткостью и относительно высоким пределом прочности на сжатие. Предел прочности на растяжение мал вследствие влияния микротрещин. Низкая пластичность кристаллических керамик является следствием природа их химических связей. Известно, что механизм пластического течения в кристаллических структурах основан на явлении движения линейных дефектов кристаллического строения - дислокаций - по определенным плоскостям, так называемым плоскостям скольжения.

Пластическая деформация металла — это последовательное массовое перемещение атомов по определенным плоскостям и направлениям кристаллической решетки. Перемещение происходит в результате скольжения или двойникования атомных слоев металла по определенным кристаллографическим плоскостям и направлениям скольжения.

Ориентация образца. В разделе электронно-микроскопических исследований позже будет показано, что большинство титановых сплавов во многих средах разрушаются подобно процессу скола. Так как такие процессы происходят по определенным плоскостям, средняя их ориентация по отношению к оси растяжения будет влиять на определяемую степень чувстви-

По-видимому, механизм граничной смазки водой, так же как и маслами, основан на скольжениях внутри смазочного слоя по определенным плоскостям скольжения. Образованию этих плоскостей скольжения способствует правильное расположение молекул воды, сохраняющееся и после плавления льда, обладающего кристаллической структурой. Отсутствие такого правильного расположения молекул в сравнительно толстых прослойках воды, образующихся при температурах выше нуля, по-видимому, объясняет затрудненное скольжение в этом случае. Хорошо также известное конькобежцам уменьшение скользкости льда при низких температурах объясняется, по Бутневичу, тем, что при этом уменьшается доля площади действительного контакта, на которой в результате плавления льда образуется смазочная прослойка. Смазочная прослойка образуется только на тех, больших по размеру островках контакта, на которых температура в течение контакта с коньком способна повыситься до нуля. Чем ниже температура, тем больше размер таких островков контакта и тем меньше становится их число При очень низких температурах смазочная прослойка вообще не образуется и коэффициент суммарного трения достигает максимального значения, равного коэффициенту «сухого» трения льда.

пение формы происходит за счет скольжения одной части кристалла по отношению к другой по определенным плоскостям, IB результате чего внутри зерен появляются линии сдвига, видимые при исследовании микроструктуры металла [Л. 36]. (Пластическая деформация холодного металла вызывает его упрочнение и понижение пластичности.

Много это или мало? Следует сравнить число с экспериментальными данными. Их получают, производя испытания металлов на растяжение. Схема опыта указана на рис. 80. Надо лишь приложить минимальную силу, достаточную для начала пластической деформации, и рассчитать по простой формуле критическое напряжение. Сдвиг в различных решетках происходит по определенным плоскостям (например, в ГПУ решетке — это плоскость шестиугольного основания), и для точного расчета угла а необходимо проводить опыт с монокристаллом металла, определив методом Лауэ его ориентировку. Однако это уже нюансы экспериментальной техники, а в результате значения критического напряжения оказываются около 100 гс/мм2, т. е. на три с лишним порядка меньше, чем предсказывает теория!

Образованию и перемещению пачек скольжения в зернах предшествует лавинообразный процесс передвижения дислокаций по определенным плоскостям-системам скольжения в кристаллической решетке. Системы скольжения включают те параллельные плоскости, по которым могут передвигаться дислокации. Насчитывается до трех действующих систем. Наиболее легкие условия скольжения в первой, самые трудные — в третьей.

рентгенограмме должны располагаться по слоевым линиям, которые связаны с узлами ОР, принадлежащими определенным плоскостям ОР (три из них показаны на рис. 5.14). Метод в основном применяется для определения кристаллической структуры1.

Текстуру обычно анализируют с помощью прямых и обратных полюсных фигур. Прямой полюсной фигурой (ППФ) называется стереографическая проекция нормалей к определенным плоскостям (hkl) для всех кристаллитов данного материала. ППФ строят в координатах самого образца (рис. 5.32). Для текстуры прокатки плоскость проекции обычно устанавливается параллельно плоскости прокатного листа, а центр ППФ совпадает с направлением нормали к плоскости листа (НН).

модификации, которые по строению одинаковы, а по параметрам близки к определенным плоскостям кристаллической решетки образующей фазы, т.е. выполняется принцип структурного и размерного соответствия (рис. 6.21). Для мартен-ситного превращения характерно, что растущие кристаллы мартенсита когерентно связаны с кристаллами исходной фазы. Два кристалла считаются когерентными, если они соприкасаются по такой поверхности раздела, которая является общей для их кристаллических решеток. При нарушении