Плоскости материала

Характер адсорбции на отдельных кристаллографических плоскостях. При образовании защитных пленок может иметь значение не только плотность упаковки плоскости кристалла, но и соответствие кристаллографической структуры поверхности металла и возникающей пленки. При большом несоответствии в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ее разрушению. Иногда кристаллографическая ориентация оказывает влияние на механизмы протекания анодного и катодного процессов электрохимической коррозии металлов.

Топологическое проектирование (в микроэлектронике) - определение формы и размеров элементов интегральной схемы в горизонтальной плоскости кристалла

При выявлении поверхности зерна максимальная глубина резкости больше, чем при выявлении границ зерен. Поверхность зерна вследствие «террасы», образующейся при химическом взаимодействии, оказывается шероховатой. При вращении образца, протравленного для выявления поверхности зерна, каждый кристалл с изменением угла падения света к его оси достигает наивысшей или наинизшей степени освещения. Такой вид отражения обозначен Чохральским [4] как «периодическое отражение». Это явление зависит в первую очередь от того, в каком направлении кристалл рассечен плоскостью шлифа и является ли положение оси и плоскости кристалла благоприятным для химического взаимодействия с реактивом.

На отлитом в кокиль чистом алюминии (около 0,30% Fe.' 0,06% Си; 0,05% Mg и следы кремния) Шатт [67] путем электролитического полирования обнаружил штриховые фигуры травления. В качестве электролита служил 33%-ный спиртовой раствор азотной кислоты. При полировке на установке «Элиповист» сила тока составляла ~0,15 А, а при травлении ~0,04 А. Затем образцы промывали спиртом и просматривали их в микроскоп во влажном состоянии, чтобы проследить возникающее при высушивании образцов образование трещин. При электролитическом травлении прежде всего обнаруживали границы зерен. Затем на поверхности образуется аморфная пленка оксида алюминия. Начиная с определенной толщины, она склонна к трещинообра-зованию. Шатт также установил, что по виду штриховых фигур нельзя сделать определенный вывод о пространственной решетке действительного алюминиевого зерна. Параллельные штрихи не встречаются ни на плоскости додекаэдра, ни в направлении ребра куба [001 ]. Шатт предполагает, что направление штрихов совпадает с линиями пересечения граней куба с поверхностью шлифа. Параллельные штрихи встречаются только на поверхности зерна, следы плоскости куба которого лежат в определенной области. На образцах размерами 10X 10 X 10 мм, состоящих из двух зерен, установили, что в основном находят вицинали плоскости кристалла (Ш) и (Ш).

Согласно этой теории, поверхность, расположенная под небольшим углом, например, к плотноупакованной плоскости кристалла, является ступенчатой, т. е. состоит из весьма малых, молекулярных ступеней высотой h; тогда если число ступеней на единицу длины равно р, то наклон поверхности будет составлять /tp (рис. 6).

образовавшим дислокацию. У линейной дислокации сдвигающие напряжения, образовавшие ее, были перпендикулярны линии дислокации. Дислокация, изображенная на рис. 1-6,6, называется винтовой потому, что, перемещаясь по стрелке, можно обойти все атомные плоскости кристалла как по винту или по спирали.

• чем плотнее атомная упаковка плоскости кристалла, тем меньше ее поверхностная энергия;

Двойникованиг - это такая форма скольжения, при которой параллельные плоскости кристалла движутся одна относительно другой так, что решетка по одну сторону от плоскости двойникования представляет собой зеркальное отображение того, что имеется на другой стороне.

ра радиусом Я~*, построенная на векторе /Со/Я, и проходящая через начало координат ОР, называется сферой отражения (Сф. О). Очевидно, при изменении ориентировки кристалла относительно падающего пучка в отражающее положение попадают другие плоскости кристалла, или, иначе говоря, на поверхность Сф. О попадают другие узлы ОР. Сфера радиуса 2Д, (см. рис. 5.13) определяет ту область углов ОР, которые при данном значении Я дифрагирующего излучения могут оказаться на рентгенограмме. Эта сфера называется сферой ограничения.

Имеется две разновидности сдвига: скольжение и двойникование. При скольжении одна часть кристалла смещается параллельно другой части вдоль плоскости, называемой плоскостью скольжения или сдвига (рис. 5.1, а). Двойникование представляет собой перестройку части кристалла в новое положение, зеркально симметричное к его недеформированной части (рис. 5.1, б). Плоскость зеркальной симметрии называют плоскостью двойникования. При двойниковании атомные плоскости кристалла

обеспечивается их взаимодействием с вакансиями, благодаря этому отдельные участки дислокаций смещаются в соседние плоскости кристалла. Нагрев ускоряет диффузионный приток вакансий и облегчает переползание.

Использование второго метода приводит к разрушению пластинки не в расчетном сечении, а в местах закрепления ее в шарнирном четырехзвеннике. Хорошие результаты при определении предела прочности при сдвиге в любой плоскости материала при пра-

Расчет эффективных упругих констант в плоскости композиционного материала (?\, ?2, v12, G2) с учетом компонент матрицы жесткости в случае плоского напряженного состояния несколько проще, чем в случае плоской деформации. Это связано с тем, что компоненты матрицы податливости в плоскости материала при плоском напряженном состоянии находят обращением матрицы жесткости второго порядка, а при плоской деформации после обращения матрицы жесткости необходимо еще учесть добавки к полученным компонентам матрицы

где А — матрица жесткостей при деформировании в плоскости материала; В и D — матрицы соответственно смешанных и из-гибных жесткостей. Усилия и моменты, соответствующие плоскому и изгибному состояниям,',учитывают температурное воз-действие^т. е. N~==~N + NT и М — М + Мт. В общем случае анизотропии слоистая структура описывается полными матри-

6) при четном п все коэффициенты Вц = 0, за исключением Вц = —522 (физически коэффициент Вц можно интерпретировать как меру смещения нейтральной плоскости материала; он возрастает при увеличении F, убывает при увеличении т и обратно пропорционален п);

Волокнистые композиционные материалы могут быть изотропными и анизотропными в зависимости от ориентации волокон. Матрица, как правило, изотропна в том смысле, что ее свойства одинаковы во всех направлениях. Если волокна расположены хаотически, то прочностные и упругие свойства композиционного материала также изотропны в плоскости материала (так как армированные пластики, использующиеся в строительной промышленности, имеют тонкие сечения, то их свойства в направлении, перпендикулярном плоскости материала, можно не рассматривать),

Образцы ДКБ особенно удобны для испытания полуфабрикатов из высокопрочных сплавов в высотном направлении, поскольку межкристаллитный характер коррозионного растрескивания в этих сплавах препятствует выходу коррозионной трещины из плоскости. Таким образом на образцах ДКБ направления БД и ВП, изготовленных из плиты (см. рис. 7), коррозионная трещина в большей степени будет развиваться в средней плоскости материала, а не уклоняться в сторону, как это часто происходит в магниевых, титановых сплавах и в сталях. Это показано на рис. 20, где трещина межкристаллитного охрупчивания жидким металлом развивается в виде прямой линии по центральной плоскости образца ДКБ длиной 300 мм из высокопрочного алюминиевого сплава.

Использование второго метода приводит к разрушению пластинки не в расчетном сечении, а в местах закрепления ее в шарнирном четырехзвеннике. Хорошие результаты при определении предела прочности при сдвиге в любой плоскости материала при пра-

Расчет эффективных упругих констант в плоскости композиционного материала (?\, ?2, v12, G2) с учетом компонент матрицы жесткости в случае плоского напряженного состояния несколько проще, чем в случае плоской деформации. Это связано с тем, что компоненты матрицы податливости в плоскости материала при плоском напряженном состоянии находят обращением матрицы жесткости второго порядка, а при плоской деформации после обращения матрицы жесткости необходимо еще учесть добавки к полученным компонентам матрицы

Наибольшей механической прочностью обладают слоистые пластики на основе стеклянной ткани и стеклянных жгутов. Эти же материалы, а также слоистые пластики на основе асбоволокнистых наполнителей имеют более высокую теплостойкость по сравнению с пластиками, имеющими органические наполнители. Пластики на основе стекловолокнистых наполнителей характеризуются более высокой стойкостью к действию воды и влаги атмосферы, что выгодно отличает их от гетинакса, текстолита, древеснослоистых пластиков (рис. 1). Физические и диэлектрические свойства слоистых пластиков зависят в основном от типа используемого полимерного связующего. Благодаря слоистому расположению армирующего наполнителя слоистые пластики обладают анизотропией механических, физических и диэлектрических свойств в плоскости материала или изделия и перпендикулярно сечению материала.