Плоскости траектории

Слитки монокристаллического кремния (ТУ 48-4-295—82), предназначенные для производства полупроводниковых приборов и микросхем, получают методом Чохральского (К) (ОКП 17 7211) с ориентацией продольной оси монокристаллического слитка [111], [100],[013] диаметром42i— 102,5±мм и базовой длиной 60—150 мм или бестигелыюй зонной плавкой (БК) (ОКП 177221) с ориентацией [111 [диаметром 23—46 мм и длиной 40—70 мм. Отклонение плоскости торцового среза слитка кремния от плоскости ориентации (а) не должно превышать 3°. Концентрация атомов оптически активного кислорода (No,,) должна быть не более 1 • 1023 м~3 в слитках кремния, полученных бестигельной зонной плавкой, и 7- Ю23 м~3 в слитках, полученных методом Чохральского.

(марки ЭКЭС) — электронного электрической проводимости (Э) с плот, ностью дислокаций не более 105 м-з" Ориентация продольной оси монокрис.' таллического слитка кремния [Цм° или [100]. Предельное отклонение плоскости торцового среза монокри. сталлических слитков от плоскости ориентации не "должно превышать 3° Номинальные диаметры слитков 62,5+3* 78,5±§ и 102,513 мм. Концентрация кис-' лорода в слитках кремния диаметром 62,5 и 78,5 мм не должна превышать 7-1023м~3, а в слитках диаметром 102,5 мм — 1 • 1024 м~3. Слнткн кремния с удельным электрическим сопротивле-•нием более 0,03 Ом-м должны иметь время жизни неравновесных носителей заряда: длн электронного типа электрической проводимости — не менее 7,5 мкс, для дырочного — не менее 2,5 мкс. Десять групп марок слитков монокристаллического кремния характеризуются различным номинальным удельным электрическим сопротивлением (0,00005—0,4 Ом-м), относительным отклонением средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения на 20—40 % и различным относительным отклонением удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу слитка на 10—20%.

„Слиткн монокристаллнческого кремния марки БО имеют диаметр 54± ±0,05 мм, длину не менее 100 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111]; отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°. Слитки имеют электронный тип электрической проводимости, интервал УЭС !,30—1,50 Ом- м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 мкс. Плотность дислокаций не более Ю5 м~а. Свирлевые- дефекты отсутствуют. Концентрация атомов оптически активного кислорода неболее 1- 1022м"г, оптически активного углерода не более 4-1022м-3.

Слиткн монокристаллического кремния марки КОФ имеют диаметр 44, 54, 60 либо 84 мм с погрешностью ±1 мм, Ориентация оси слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более За, Имеются два интервала" номинальных значений УЭС: 0,40—2,00 и 2,10— 3,50 Ом-м. Время жизни неравновесных носителей заряда (втике) должно быть не менее половины УЭС (в Ом-см) Для номинальных значений УЭС 0,70— •'.ОО Ом'М и не менее 30 мкс для номинальных значений УЭС 0,40—0,60 J-'M-M. Время жизни неравновесных носителей заряда в слитках с номи-

таллического слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Плотность дислокаций ие более 5-108 м~2; концентрация атомов оптически активного кислорода не более 2-1022 м~3.

Удельное электрическое сопротивление марок кремния дырочного типа электрической проводимости (КМД) и электронного типа электрической проводимости (КМЭ) приведено в табл. 79. Допустимое относительное отклонение УЭО от среднего значения по длине слитка ие более 35 %; время жизни неравновесных носителей заряда не более 500 мкс для всех марок. Ориентация продольной оси монокристалли--ческого слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Плотность дислокаций не более 4-Ю8 см~2; концентрация атомов оптически активного кислорода не более 2-Ю22 м~3.

Монокристаллы германия, предназначенные для производства полупро-водииковых приборов, легированные сурьмой, изготовляют (ГОСТ 16153— 80) электронного типа электрической проводимости (ГЭ) и легированные галлием дырочного типа электрической проводимости (ГД), Диаметр моно-кристаллическнх слитков 28—40 мм, длина не менее 50 мм. Интервал номинальных УЭС 0,001—0,45 Ом-м. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111]; предельное отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°,

иого (Д) типа электрической проводимости. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [П1]; отклонение плоскости торцового среза он плоскости ориентации не более 3°, Некоторые электрофизические свойства германия приведены в табл. 81. Моно-кристаллические слитки выращивают! диаметром 18—35 мм и длиной ев, 30 мм.

Монокристаллический германий, легированный фосфором, электронного типа электрической проводимости (ТУ 48-4-396—77, ОКП 17 7443), предназначенный для производства подложен эпитаксиальных структур (марки ГЭФ-0,001) и полупроводниковых приборов (марка ГЭФ-0,005), выпускают с номинальным значением УЭС не более 0,000012 и 0,00005 Ом-м соответственно. Монокристаллические слитки германия марки ГЭФ-0,001 имеют диаметр 20 мм н длину не менее 50 мм; слнтки германия марки ГЭФ-0,005 имеют диаметр 25 мм и длину не менее 25 мм, Ориентация продольной оси монокристаллических слитков [1111; отклонение плоскости торцового среза от плоскости

Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80) применяется для производства электронных приборов и эпитакснальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде монокристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные — электронный. Слитки арсе-нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл^ 83) от номинального значения (10— 80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм), плотностью дислокаций (5-Ю7—8-Ю8 м~г). Ориентация продольной оси монокрнсталли-•ческих слитков [111], [100], (НО!-Отклонение плоскости торцового среза

на четыре группы по плотности дислокаций: а — не более 5-107 м~а; б — 7-Ю7 м"2; в — 1 • Ю8 м~2; г —плотность дислокаций не лимитирована. Диаметр слитков может изменяться от 25 до 80 мм. Чем больше допустимая плотность дислокаций, тем большего дна-метра могут быть получены слитки. Ориентация продольной оси монокристаллических слитков арсенида индия [111 ]; отклонение плоскости торцового

Эти три уравнения образуют систему, эквивалентную трем уравнениям движения. Так как Fn всегда положительно, a Fb всегда равно нулю, то сила всегда лежит в соприкасающейся плоскости траектории и направлена в сторону вогнутости последней.

вертикально вверх, а ось х — по горизонтали в плоскости траектории.

220. Движение легкого вращающегося шара в воздухе. Карьер исследовал экспериментально траектории в воздухе легких однородных сферических ядер, вращающихся вокруг оси, перпендикулярной плоскости траектории центра. Он установил вид различных траекторий в зависимости от величины и направления вращения. Результаты даны в статье в Journal de Physique theorique et appliquee, т. V, 1916. Существенным является то, что при постоянном вращении получаются траектории, которые вместо вертикальных асимптот, как это было выше, имеют асимптоты, наклоненные в ту или иную сторону, в зависимости от направления вращения. Причину этих отклонений следует искать главным образом в трении о воздух поверхности ядра. Это трение вызывает элементарные действия, которые, будучи перенесены параллельно самим себе в центр тяжести, имеют равнодействующую, зависящую от направления и скорости вращения. Вид траекторий,

Случай, когда мгновенное вращение шара имеет произвольное направление. В предыдущих экспериментах ядро вращалось вокруг оси, перпендикулярной плоскости траектории. Производились также эксперименты, в которых мгновенная ось вращения имела произвольное, но известное направление. В этом случае траектория была, вообще говоря, пространственной кривой. Предполагается, что та же самая гипотеза относительно полного эффекта сопротивления среды может быть сделана и для такого рода движений. Сопротивление R = mgy (v) вместо того, .чтобы быть

Примем, как и в п. 217, горизонтальную ось в плоскости траектории за ось Ох, направленную вверх вертикаль — за ось Оу и введем декартовы координаты х и у. Полагая т = \, найдем ?7= — gy, и уравнение, определяющее функцию W, напишется так:

ной плоскости, траектории которых имеют в этих точках точки распрямления, вследствие чего их нормальные ускорения равны нулю. Для a = 0 имеем a = d, т. е. в этом случае точка А лежит

Для решения задачи можно использовать точки шатунной плоскости, траектории которых имеют соприкосновение третьего порядка со своими окружностями кривизны (т. е. точки, лежащие на кривой круговых точек для четырех бесконечно близких положений шатунной плоскости).

лоба в ту и другую сторону („несимметричная кинематическая диаграмма движения") или 2) движением жёлоба по расположенной в вертикальной плоскости траектории, не совпадающей с продольной осью жёлоба, при котором имеет место переменное давление материала на дно жёлоба, или 3) тем и другим фактором совместно.

I — коррекции околоземной орбиты; II—изменение плоскости траектории полета; III — коррекции траектории; IV — выведение на орбиту вокруг Юпитера; V — управление положением на траектории перелета; VI — изменение высоты перицентра; VII—облет Юпитера; VIII — управление положением на орбите вблизи Юпитера.

I — коррекции околоземной орбиты; II—изменение плоскости траектории полета; III — коррекции траектории; IV — выведение на орбиту вокруг Юпитера; V — управление положением на траектории перелета; VI — изменение высоты перицентра; VII—облет Юпитера; VIII — управление положением на орбите вблизи Юпитера.

Рассмотрим в меридиональной плоскости траектории главных напряжений о3, <з1 (фиг. 161) вблизи плоскости z = 0; угол ш наклона касательной к траектории напряжения а3 мал, и формулы (52.2) при замене индексов 1, 2 соответственно на 3, 1 упрощаются: