Пассивных элементов

лишь при пассивации днища аппарата, которую производят при минимально возможном уровне электролита, необходимом для погружения датчика сравнения и частично катода. Пассивируют поверхность днища обычно при облегчённых режимах эксплуатации (плнгаеннне темпе-"ратура электролита, концентрация, отсутствие перемешивания и т.д.). Иногда в среду вводят ингибитор норровии, Можно облегчить пассивацию и изменением формы днища (конусная, сферическая),

атмосферной коррозии нитриты аминов, которые пассивируют поверхность стали образующейся при их гидролизе азотистой кислотой, а освободившийся амин связывает поступающую из воздуха агрессивную по отношению к металлу угольную кислоту, в результате чего образуется карбонат амина.

лезо, цинк, магний и др.) в минеральных кислотах с увеличением концентрации ионов Н+. Однако это справедливо только для кислот, не обладающих пассивирующими свойствами. Кислоты, обладающие окислительными свойствами, как, например, азотная кислота, при определенных содержаниях ионов Н+ пассивируют поверхность ряда металлов, таких, как железо, алюминий, хром и др., и замедляют коррозионный процесс. Замедление коррозионного процесса имеет также место в некоторых кислотах при образовании на поверхности металла пленки труднорастворимого продукта коррозии. В частности, это происходит

По своим химическим свойствам алюминий является весьма активным металлом. Нормальный электродный потенциал алюминия весьма отрицателен (—1,66 в), однако алюминий обладает достаточно высокой коррозионной стойкостью во многих агрессивных средах благодаря склонности к пассивированию и образованию па его поверхности защитных пленок, в особенности в присутствии окислителей. Алюминий относится к группе металлов, обладающих свойством самопассивировапия: защитная окисная пленка образуется па нем даже в отсутствии окислителей. Так, вода, водные растворы нейтральных солей, слабокислые среды и др. пассивируют поверхность алюминия и при отсутствии кислорода.

Начальную пассивацию обычно проводят при постоянном заполнении и включенном регуляторе потенциала. Таким образом удается осуществить пассивацию при весьма малых токах, всего в 5 ... 10 раз, превышающих ток в пассивном состоянии металла. Трудности возникают лишь при пассивации днища аппарата, которую производят при минимально возможном уровне электролита, необходимом для погружения датчика сравнения и частично катода. Пассивируют поверхность днища обычно при облегченных режимах эксплуатации (пониженные температура электролита, концентрация, отсутствие перемешивания и т.д.). Иногда в среду вводят ингибитор коррозии. Можно облегчить пассивацию и изменением формы дниша (конусная, сферическая).

Вследствие высокой концентрации кислорода, свойственной земной атмосфере, имеются благоприятные условия для возникновения на большинстве металлов оксидных слоев, которые по мере роста пассивируют поверхность и тормозят дальнейшее разрушение металла. Таким образом, в области низких и умеренных температур коррозионная устойчивость конструкционных металлов и сплавов в сухой атмосфере определяется преимущественно кинетическими факторами. Присутствие в атмосфере воды в.. виде, жидкой или газообразной фазы существенно изменяет физико-химическую

лия пассивируют поверхность металла за счет образования окисных пленок.

Чтобы уменьшить коррозию вымытого изделия, часто перед мойкой горячей водой пассивируют поверхность, так как последняя после мойки, особенно после травления, легче подвергается коррозии.

рует коррозионные процессы. С другой стороны, кислород способен создавать на поверхности металла плотные защитные окисные пленки, которые препятствуют диффузии ион-атомов металла в воду и новых порций кислорода к поверхности металла, в результате пассивируют поверхность металла, следовательно, тормозят коррозионные процессы.

сивном состоянии металла. Трудности возникают лишь при пассивации днища аппарата, которую производят при минимально возможном уровне электролита, необходимом для погружения датчика сравнения и частично катода. Пассивируют поверхность днища обычно при облегченных режимах эксплуатации (пониженные температура электролита, концентрация, отсутствие перемешивания и т. д.). Иногда в среду вводят ингибитор коррозии. Можно облегчить пассивацию и изменением формы днища (конусная, сферическая).

Некоторые ингибиторы коррозии преимущественно замедляют анодный процесс, пассивируют поверхность металла. Если концентрация или активность анодного ингибитора недостаточна, чтобы запассивировать всю поверхность металла и происходит только уменьшение анодной поверхности, коррозия может сосредоточиться на небольших анодных участках. Вследствие этого разрушение из общего или местного может стать точечным, более опасным.

Лазерную резку материалов осуществляют как в импульсном, так и в непрерывном режиме. При резке в импульсном режиме непрерывный рез получается в результате наложения следующих друг за другом отверстий. Наиболее широкое применение получила резка тонкопленочных пассивных элементов интегральных схем, например, с целью точной подгонки значений их сопротивления или емкости. Для этого применяют импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате с модуляцией дробности, лазеры на углекислом газе. Импульсный характер обработки обеспечивает минимальную глубину прогрева материала и исключает повреждение подложки, на которую нанесена пленка. Лазерные установки различных типов позволяют вести обработку при следующих режимах: энергия излучения 0,1 ... 1 МДж, длительность импульса 0,01 ... 100 икс, плотность потока излучения до 100 мВт/см2, частота повторения импульсов 100 ... 5000 импульсов в 1 с. В сочетании с автоматическими управляющими системами лазерные установки для подгонки резисторов обеспечивают производительность более 5 тысяч операций за 1 ч. Импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате применяют также

содержании 40 % Ni в сплаве, так как росту питтингов способствует наличие активно-пассивных элементов (см. разд. 5.5.2), а эти элементы функционируют только если сплав пассивен, т. е. при высокой концентрации никеля. Это принимается в расчет при подборе материалов для трубных пучков конденсаторов, ох-. лаждаемых морской водой, питтингообразование на которых должно быть полностью предотвращено. Для этой цели используют сплавы с содержанием никеля 10—30 %, но не монель (70 % Ni). Непассивные медно-никелевые поверхности мало подвержены обрастанию морскими организмами, так как сплав равномерно корродирует, причем выделяется достаточно ионов Си2+, ядовитых для обрастателей *. На пассивирующихся медно-никелевых сплавах обрастатели прикрепляются и разрастаются (рис. 5.13). Судя по потенциостатическим анодным поляризационным, кривым для медно-никелевых сплавов в 1 н. H2SO4, плотность тока в пас-

Динамические гасители могут быть конструктивно реализованы на основе пассивных элементов (масс, пружин, демпферов) и активных, имеющих собственные источники энергии. В последнем случае речь идет о применении систем автоматического регулирования, использующих электрические, гидравлические и пневматические управляемые элементы.

Схема интегральная (твердая) — микроминиатюрная радиоэлектронная схема, работа которой основана на использовании различных эффектов, имеющих место в твердом теле; наиболее широкое распространение в качестве твердого тела для этой цели получили полупроводники на основе германия и кремния в виде пластин, на которых образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов, т. е. диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности [9].

термопластичных П.в. (эфиры целлюлозы, нек-рые полиакрилаты, хлориров. поливинилхлорид, битумы) получают растворимые (обратимые) плёнки в результате улетучивания растворителя или остывания расплава. Преимущество термопластичных П.в. - большая скорость и пониж. темп-ры высыхания; недостаток -меньшая хим. стойкость. ПЛЁНОЧНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -интегральная схема, все элементы и межэлементные соединения к-ррй выполнены в виде плёнок, нанесённых на поверхностьдиэлектрич. (чаще всего керамич.) подложки. В зависимости от технологии изготовления и толщины плёнок выделяют тонкоплёночные (толщина менее 1 мкм) и толстоплёночные (толщина обычно 1-25 мкм) микросхемы. Тонкоплёночные ИС получают вакуумным напылением (осаждением) плёнок через металлич. трафарет либо напылением в сочетании с последующей фото-литографич. обработкой; толстоплёночные - преим.нанесением на подложку электропроводящих, резистивных и диэлектрич. паст с последующим их вжиганием в подложку. П.и.с. состоят, как правило, только из пассивных элементов, а активные компоненты изготовляют отдельно и затем закрепляют («навешивают») на подложку.

стание электропроводности с ростом темп-ры; при низких темп-pax электропроводность П. мала; на неё влияют и др. внеш. воздействия - свет, сильное электрич. поле, потоки быстрых частиц и т.д. Высокая чувствительность электрич. и оптич. св-в к внеш. воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для П. Все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см., напр., Полупроводниковые приборы}. К П. относится большая группа в-в (Si, Ge и др., см. Полупроводниковые материалы]. Носителями заряда в П. являются электроны проводимости и дырки (носители положит, заряда). В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться, и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. Полное описание природы носителей заряда в П. и законов их движения даётся в квантовой теории твёрдого тела. См. также Зонная теория. ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА - интегральная схема, в к-рой все элементы (транзисторы, резисторы, конденсаторы и др.), а также межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности монокристаллич. ПП пластины (преим. из кремния) одновременно в одном технологич. цикле. П.и.с. изготовляют, как правило, методами пленарной технологии с использованием эпитаксии, диффузии, ионного легирования, фотолитографии, нанесения тонких металлич. плёнок и т.д., что обеспечивает достаточно высокую плотность их упаковки. Осн. недостатки П.и.с.- малые номин. значения параметров пассивных элементов, а также их низкая температурная стабильность.

преобразования сигналов одного вида в другой (светоизлучающий диод, оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея\л др.), восприятия и преобразования изображений (напр., приборы с зарядовой связью), а также преобразования механич. и др. величин в электрические (тензорези-стор, преобразователь Холла и т.д.). Особый класс П.п.- полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из кремния или ар-сенида галлия, на к-ром методами ПП технологии (преим. планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов и т.д.).

СОВМЕЩЁННАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА - интегральная схема, в к-рой все активные элементы (напр., диоды, транзисторы) выполнены в объёме и на поверхности ПП подложки по планарной технологии, а пассивные элементы (напр., резисторы, конденсаторы) и межэлементные соединения нанесены в виде плёнок на поверхность сформированной монолитной структуры. По сравнению с полупроводниковыми интегральными схемами С.и.с. имеют больший диапазон номин. значений и более высокую стабильность пассивных элементов; однако достоинства С.и.с. достигаются за счёт увеличения числа технол. операций и нарушения единства технол. цикла. По степени интеграции С.и.с. приближаются к ПП ИС.

Динамические гасители могут быть конструктивно реализованы на основе пассивных элементов (масс, пружин, демпферов) и активных, имеющих собственные источники энергии. В последнем случае речь идет о применении систем автоматического регулирования, использующих электрические, гидравлические и пневматические управляемые элементы.

Схема интегральная (твердая) — микроминиатюрная радиоэлектронная схема, работа которой основана на использовании различных эффектов, имеющих место в твердом теле; наиболее широкое распространение в качестве твердого тела для этой цели получили полупроводники на основе германия и кремния в виде пластин, на которых образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов, т. е. диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности [9].

Сталь, заделанная в бетон, хорошо защищена от коррозии при условии, что бетон имеет достаточно низкую пористость, что в нем нет трещин и что слой бетона над сталью достаточно толст. Обычно рекомендуют толщину 20 мм. Стальная поверхность в контакте со щелочным бетоном пассивируется. Однако, если часть поверхности оказывается обнаженной, например в местах трещин в бетоне или на незаделанной части, там могут появляться активные участки, а они вместе с пассивной поверхностью, находящейся в бетоне, могут образовать так называемые активно-пассивные элементы (рис. 98). В этом случае активированная поверхность становится анодом и локально корродирует, а пассивная стальная поверхность действует как катод. Действие таких активно-пассивных элементов иногда ведет