Параметры элементарной

В станках для анодно-механической обработки используют системы ЧПУ. От программы осуществляется управление скоростями движений заготовки и инструмента, поддерживается постоянство зазора в рабочем пространстве между ними, задаются параметры электрического режима при переходе с черновой обработки на чистовую.

рорентгенографическая пластина состоит из токопроводящей подложки (алюминиевой или латунной), на которую с одной стороны наносится тонкий слой из полупроводникового материала, например селена. При прохождении рентгеновских лучей изменяются параметры электрического поля пластины, образуется скрытое электростатическое изображение дефекта и при проявлении красящими порошками на основе окиси цинка, мела и других трансформируется в видимое. При наложении на пластину бумаги изображение фиксируется на ней.

Ксерография, радиоскопия, радиометрия. Ксерография — это метод получения скрытого радиационного изображения дефекта на пластине из полупроводникового материала. Ксерографическая пластина состоит из токопрово-дящей алюминиевой или латунной подложки, на которую с одной стороны наносят тонкий слой из полупроводникового материала, например, селена. При прохождении рентгеновских лучей в зависимости от интенсивности выходящего из объекта контроля пучка изменяются параметры электрического поля пластины. Тем самым на пластине образуется скрытое электростатическое изображение объекта. При проявлении скрытого изображения красящими порошками на основе окиси цинка, мела и других формируется видимое изображение. При наложении на пластину бумаги изображение фиксируется на ней. Промышленностью выпускаются рентгеновские установки с ксерографическим изображением результатов контроля и перенесения отпечатка на бумагу (Эренг-2 и др.) Производительность контроля значительно повышается, однако чувствительность контроля несколько ниже, чем при рентгенографии.

Ксерография, радиоскопия, радиометрия. Ксерография — это метод получения скрытого радиационного изображения дефекта на пластине из полупроводникового материала. Ксерографическая пластина состоит из токопрово-дящей алюминиевой или латунной подложки, на которую с одной стороны наносят тонкий слой из полупроводникового материала, например, селена. При прохождении рентгеновских лучей в зависимости от интенсивности выходящего из объекта контроля пучка изменяются параметры электрического поля пластины. Тем самым на пластине образуется скрытое электростатическое изображение объекта. При проявлении скрытого изображения красящими порошками на основе окиси цинка, мела и других формируется видимое изображение. При наложении на пластину бумаги изображение фиксируется на ней. Промышленностью выпускаются рентгеновские установки с ксерографическим изображением результатов контроля и перенесения отпечатка на бумагу (Эренг-2 и др.) Производительность контроля значительно повышается, однако чувствительность контроля несколько ниже, чем при рентгенографии.

4.8 Вид и параметры электрического

Параметры электрического пробоя и показатели дробления. По уровню рабочего напряжения электродные устройства со щелевым рабочим промежутком соответствуют промежуточному случаю между пробоем в системе электродов, наложенных на одну свободную поверхность, и пробоем куска породы, по размеру равного величине разрядного промежутка. При определенной величине разрядного промежутка степень соответствия прежде всего зависит от исходной крупности продукта, а также от таких параметров геометрии электродной системы, как число электродов и размер классифицирующей ячейки, которыми и определяются условия контакта

Влияние типа электродной системы на параметры электрического пробоя проявляется в зависимости эффективности внедрения разряда в породу и уровня рабочего напряжения от размера и формы рабочей зоны электродной системы. В электродных системах со щелевым рабочим промежутком по длине щелевого зазора размещается несколько кусков породы. Вероятность пробоя того или иного куска определяется при прочих равных условиях характером контактирования куска породы в рабочем промежутке, которые для отдельных кусков породы с электродами не одинаковы. Одни куски в щелевом зазоре располагаются (заклинивают) между концентраторами поля (минимальный межэлектродный промежуток), другие - в области классифицирующего отверстия (максимальный межэлектродный промежуток), третьи имеют контакт только с одним из электродов, и их пробой может произойти только с пробоем через жидкостный зазор или через смежный кусок породы. В соответствии с закономерностями электроимпульсного пробоя (напряжение пробоя повышается с увеличением пробивного промежутка, а напряжение пробоя жидкостного промежутка выше напряжения пробоя, одинакового по величине промежутка в породе) уровни пробивного напряжения отдельных кусков породы будут отличаться. Поэтому в первую очередь при наименьшем уровне напряжения пробьются куски породы, имеющие лучший контакт с электродами, т.е расположенные (заклинившиеся) в зазоре между концентраторами. Во всех других случаях куски породы будут пробиваться при более высоком уровне напряжения. В процессе дробления материала условия контактирования постоянно меняются, на смену одним кускам приходят другие; под действием разрядов при пробое какого-либо куска смежные куски также меняют свое положение. Среднее значение пробивного напряжения в процессе дробления в этих условиях определяется преобладанием того или иного типа контактирования кусков; уровень напряжения тем ниже, чем чаще возникают случаи наиболее благоприятного контактирования с заклиниванием кусков между концентраторами. Очевидно, что чем длиннее рабочая зона электродной системы, чем больше концентраторов, тем вероятность благоприятного контактирования выше. Данное положение подтверждается результатами определения пробивного напряжения в различных электродных системах при равных рабочих промежутках (табл.4.6).

Параметры электрического пробоя слюдитов в различных разрядных промежутках

Обобщенные параметры электрического процесса имеют вид:

где 5,, i и Sij2 — первый и второй обобщенные параметры для t-й группы электрических ячеек соответственно; 5Г и SB — обобщенные параметры для границ электрической цепи; хЭ1,г — опорное значение координаты 1-й группы ячеек; тЭ1 — опорное значение времени электрического процесса.

Тождество математических моделей теплового и- электрического процессов позволяет определить проектные и установочные параметры электрической модели. При этом температура в, координата /» и время / теплового процесса будут соответственно равны напряжению U, координате 1Э{ и времени 4 электрического процесса. При получении количественных соотношений между тепловыми и электрическими величинами примем в качестве опорных значений соответственно следующие предельные 276

Рабочий процесс и основные параметры элементарной ступени.

В зависимости от легирования параметры элементарной ячейки фазы типа Ni3 (Al, Ti) могут отличаться от твердого раствора, что является источником образования дислокаций в пограничных областях между

Параметры элементарной ячейки — величины образующих ее ребер — a, b и с (периоды ячейки) — и три угла между ними — а, (Зиу-

Параметры элементарной ячейки можно определить, используя формулы для их расчета при различных сшгониях кристаллического •вещества, т.е. формах его кристаллической ячейки, связывающие эти параметры, межплоскостные расстояния dhkl и индексы отражающих плоскостей h, k, I (табл. 2.1.1).

Сравнение совокупности значений межплоскостных расстояний dn соответствующих значений зарегистрированной относительной интенсивности интерференции 1тя с аналогичной совокупностью для анализируемого вещества, представленной в справочных источниках, позволяет провести индицирование кристаллографических плоскостей и рассчитать параметры элементарной ячейки.

Так как параметры элементарной ячейки измеряются в ангстремах (1А= 10~8 см), то при переводе значений объема элементарной ячейки из А в кубические сантиметры в знаменателе формулы (3.2.1) появляется F0-10~24, где F0 — объем, А. Тогда уравнение (3.2.1) можно упростить:

Наименование и характеристика материала Синго-ния Кристаллическая решетка Параметры элементарной ячейки Основные свойства и область применения

параметры элементарной ячейки — 30

В некоторых случаях отражения расположены на слоевых линиях, перпендикулярных оси вращения. Из расстояний между отражениями можно вычислить расстояние между плоскостями решетки, а также определить вид и параметры элементарной ячейки.

В некоторых случаях отражения расположены на слоевых линиях, перпендикулярных оси вращения. Из расстояний между отражениями можно вычислить расстояние между плоскостями решетки, а также определить вид и параметры элементарной ячейки.