Положение соответствует

ориентировке части кристалла в положение, симметричное по отношению к первой части относительно плоскости, называемой плоскостью двойникования. (см. рис. 27, д). Двойни-кование подобно скольжению сопровождается прохождением дислокаций сквозь кристалл 1.

Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его» части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка Ю-3 Дж.

Как уже было показано в главе III и как это отмечалось и в настоящей главе, существуют два подхода к проблеме оценки прочности — расчет по допускаемым напряжениям и расчет по предельным состояниям. Материал настоящей главы непосредственно относится главным образом к первому подходу; для второго он дает условия текучести, которые при помощи аппарата теории пластичности (см. главу X), могут позволить оценивать предельное состояние конструкции в целом. Кроме того, рассматривались элементы глобального хрупкого разрушения в результате накопления дефектов. Такая теория занимает положение, симметричное теории пластичности, но предельные состояния в локальной области, используемые в ней, это предельные состояния хрупкого разрушения материала в окрестности точки. И теория пластичности (см. главу X) и теория хрупкого глобального разрушения, вследствие накопления дефектов приводят решение проблемы, к краевой задаче и результат зависит от истории" всего процесса нагружения.

Механическое двойникование заключается в повороте узлов решётки одной части кристалла в положение, симметричное к другой части кристалла, вследствие чего одна часть кристалла становится зеркальным отображением другой его части (фиг. 5, б). Плоскость, относительно которой происходит, поворот узлов кристаллической решётки, называется плоскостью двойникования. Для появления двойникования необходимо создать в этой плоскости напряжение, величина которого зависит главным образом от природы кристалла и в меньшей степени от температуры и скорости деформации. Последним обстоятельством объясняются те факты, что двойни-кованию содействуют: 1) повышение скорости деформации и 2) понижение температуры деформации. Если скольжение сопровождается двойникованием, то последнее ведёт обычно к резкому повышению сопротивления дальнейшему скольжению, т. е. вызывает значительное упрочнение.

Схема работы такого золотника изображена на рис. 18—II. Золотник приводится в движение эксцентриком с эксцентриситетом, равным г. Когда ось эксцентрика находится в вертикальном положении, то золотник занимает положение, симметричное относительно оси золотникового

Двойникование. Пластическая деформация некоторых металлов, имеющих плотноупакованные решетки К12 и Г12, кроме скольжения может осуществляться двойникованием, которое сводится к переориентации части кристалла в положение, симметричное по отношению к первой части относительно плоскости, называемой плоскостью двойникования (см. рис. 49, д). Двойникование подобно скольжению сопровождается прохождением дислокаций сквозь кристалл. По сравнению со скольжением двойникование имеет меньшее значение. В металлах с ГЦК и ОЦК-решеткой двойникование наблюдается только при больших степенях деформирования и низких температурах.

Пластическая деформация металлов в холодном состоянии происходит за счет сдвига по плоскостям скольжения отдельных частиц кристаллов друг относительно друга или вследствие поворота одной части кристаллической решетки в положение, симметричное другой ее части (двойникование). При сдвиге отдельных частей металла по поверхности скольжения образуется слой с искаженной кристаллической решеткой и мелкими осколками зерен, создающими «шероховатость» по поверхности сдвига, которая препятствует дальнейшему перемещению зерен. Таким образом, пластическое деформирование в холодном состоянии упрочняет металл. Это упрочнение называется наклепом. Результат упрочнения выражается в том, что предел прочности и твердость металла повышаются, а пластичность снижается.

Пластическая деформация некоторых металлов, имеющих плотно упакованные кубические или гексагональные решетки, кроме скольжения может осуществляться двойникованием (рис. 25, д), которое сводится к переориентации части кристалла в положение, симметричное по отношению к части, не изменившей ориентацию относительно плоскости, называемой плоскостью двойникования.

другое положение, симметричное оставшейся части, относительно плоскости двойникования. Модель процесса двойникования может быть представлена в виде колоды карт, которая перекашивается в одну сторону (фиг. 37, а). Затем верхнюю часть колоды перекашивают в обратную сторону на

ориентировке части кристалла в положение, симметричное по отношению к первой части относительно плоскости, называемой плоскостью двойникования. (см. рис. 27, д). Двойни-кование подобно скольжению сопровождается прохождением дислокаций сквозь кристалл 1.

Рассмотрим положение А (рис. VI. 1). Это положение соответствует минимуму потенциальной энергии, и любое движение, начавшееся вблизи точки А, происходит вблизи нее. Если материальная точка первоначально была далеко от А, но двигалась по показанному на рис. VI. 1 рельефу и попала в окрестность А с малой скоростью, то она уже не выйдет из этой окрестности. С другой стороны, для того чтобы материальная точка, попавшая в окрестность А, могла выйти из нее, точке должна быть придана энергия, превышающая некоторое пороговое значение. Если с этой целью повышается потенциальная энергия материальной точки при нулевой ее скорости, то материальная точка выйдет из окрестности А только при условии, что ее потенциальная энергия будет доведена до значения, соответствующего ближайшему к ней максимуму потенциального рельефа (точка В). В этом смысле существует потенциальный порог или барьер, который надо преодолеть, чтобы «вырвать» материальную точку из окрестности точки А. Того же можно достигнуть, увеличивая кинетическую энергию материальной точки, но и в этом случае должен быть

На рис. 1.1 показаны два положения стержня: положение / соответствует ненагруженному состоянию (естественному), положение 2 — нагруженному состоянию. Под действием медленно нарастающих сил PJ и моментов Т, (рассматривается статика) стержень, деформируясь, переходит из состояния 1 в состояние 2. Из рис. 1.1 следует, что упругие перемещения могут быть настолько большими, что форма осевой линии нагруженного стержня может как угодно сильно отличаться от первоначальной. Внешние силы в процессе деформации стержня могут также сильно изменяться по направлению (на рис. 1.1 направления векторов Рг и Т, в момент приложения к стержню показаны пунктиром).

абсолютно жестких связей. Так, например, если тело массы m укреплено на абсолютно жесткой невесомой штанге, которая может вращаться вокруг горизонтальной оси О (рис. 85), то для рассмотрения вопроса о состояниях равновесия нужно принимать во внимание только потенциальную энергию тела т в поле тяжести 1), энергию же упругой деформации штанги, если штангу можно рассматривать как абсолютно жесткую, не нужно учитывать. Ясно, что потенциальная энергия тела т в поле тяжести будет минимальной, когда это тело занимает наинизшее положение (рис. 85,а), и будет максимальной, когда тело занимает наивысшее положение (рис. 85, б). Окдовательно, первое положение соответствует состоянию устойчивого, а второе — неустойчивого равновесия (к такому же выводу мы бы пришли, рассматривая направление составляющей силы тяжести mgsina в том и другом положении).

Если предположить, что при неравновесных условиях охлаждения из расплава успевает выделиться не весь растворенный газ, а лишь половина его, а в твердом состоянии сплава газ не выделяется (пунктирные кривые), то количество выделившегося из раствора газа при атмосферном давлении определяется расстоянием между а и Ь. Если в период охлаждения расплава (растворено то же самое количество газа, определяемое точкой а) повысить давление до 0,4 МН/м2, то при принятых условиях окажется, что начальное положение соответствует пределу насыщения, который при 0,4 МН/м2 и при той же температуре Т1 определился бы точкой а\.

Рассматриваемая гальванопара Эванса является короткозамк-нутой. Ее электроды замкнуты накоротко (по металлу) на ее внутреннее сопротивление (на электролит в трещине). Поэтому значение электродного потенциала непосредственно в напряженно-деформированной вершине трещины практически не должно отличаться, от такового на берегах (стенках) трещины, где про? текает катодный процесс. Эксперименты .по моделированию пары Эванса показали, что высказанное положение соответствует действительности: потенциал напряженного металла в момент контакта последнего в электролите с большей по площади пластиной ненапряженного металла смещается до величины потенциала данной пластины.

-После установки колеса на шпиндель 1 последний выдвигается вперед до упора торцом в левую плоскость стойки 5 — это положение соответствует номинальному монтажному расстоянию /Ci и •фиксируется замком 6. Измерительное колесо предварительно устанавливается на палец 7, закрепленный в плите 8, — это положение соответствует номинальному монтажному расстоянию /(2.

Рычаг свободно поворачивается на стаканах б и 9 подшипников. Положение / соответствует медленному вращению ведомого вала, положение II — быстрому его вращению.

Конструкция индикатора проста. Он состоит из разделительной диафрагмы, зажатой по наружному диаметру в корпусе фильтра. В центре диафрагма соединена с подпружиненным толкателем. В нормальном положении толкатели микропереключателя и индикатора нажимают друг на друга с усилием 0,1 кгс (равным усилию обратного хода микропереключателя МП—1101), при этом контакты разомкнуты. По мере роста вакуума толкатель смещается влево, сжимая пружину. При перемещении толкателя на l,2io;l мм (величина обратного хода микропереключателя) происходит замыкание контактов в электрической цепи контрольной лампы. Это положение соответствует величине вакуума 0,15—0,16 кгс/см2. При снижении вакуума толкатель смещается

При равномерном распределении удельной мощности это приведет к перегреву зубца относительно впадины. Такое положение соответствует случаю нагрева шестерни на частоте настолько высокой, что глубина проникновения тока много меньше толщины зубца. При этом ток протекает вдоль всего контура с почти одинаковой плотностью и удельная мощность тоже оказывается почти постоянной во всех точках. Наоборот, при низкой частоте, когда глубина проникновения тока сравнима с толщиной зубца, плотность тока в зубцах падает и вместе с ней падает и удельная мощность. Впадины начинают нагреваться сильнее зубцов.

Это положение соответствует действительности. Поскольку граничному условию благоприятствует значение вероятности РЗ.ОР когДа °Д~ повременно работают два одинаковых участка, а начальному условию -вначение вероятности Pj QJ, когда работает только один участок, поэтому вероятность Ру QJ большей» QJ. Следовательно, бункерный запас •во втором бункере будет чаще выходить на нулевой уровень.

VII — патрон свободно навёртывается на свободный конец шпильки до соприкосновения её торца с упором /. Дальнейшее навёртывание патрона приводит к сжатию пружины 2, подъёму и сжатию разрезной гильзы 3. При этом шарики 4 выходят из боковых углублений втулки 5 и соединяют разрезную гильзу 3 с промежуточной втулкой 6. Это положение соответствует сцеплению кулачковых муфт патрона, вследствие чего происходит завёртывание шпильки. Перед окончанием процесса завёртывания шпильки колпак патрона 7 начинает касаться поверхности изделия и выводит при дальнейшем вращении торцовые зубья муфты из зацепления. Поднятие патрона приводит к раскрытию пружинной гильзы, что позволяет легко свернуть патрон с завёрнутой шпильки. Завёртывание шпилек с помощью описанного патрона производится на реверсивных машинах.