Поверхности основания

ПИРОГРАФЙТ (от греч. руг — огонь) — графит, получаемый осаждением продуктов пиролиза углеводородов, осуществляемого в интервале темп-р 750—2400 °С. Различают изотропные и анизотропные П. Последние в направлении, параллельном поверхности осаждения, имеют высокие теплопроводность (выше, чем у меди и серебра) и электрич. проводимость, а в плоскости, перпендикулярной поверхности осаждения, являются, по существу, тепло- и электроизоляторами. Обладают высокой эрозионной стойкостью в контакте с высокоскоростным потоком газа при высоких темп-pax. П. применяют, напр., для защиты поверхности сопел ракетных двигателей.

перпендикулярном поверхности осаждения) 600 600 —3,65 —4,34 —1,22 —0,723 3 • 6

ны поверхности осаждения 400 —0,70 —0,23 3

тройных пирографитов это не справедливо, так как близкая к нулю теплопроводность в направлении перпендикулярном к поверхности осаждения после облучения не только не снижается, а, наоборот,возрастает.

Изменение скорости осаждения молибдена в области первого порядка реакции относительно концентрации MoFe в газовой смеси при температуре 500—700° С характеризуется значением энергии активации около 5,5 ккал/моль. При температурах выше 800° С скорость осаждения молибдена мало зависит от температуры, что характерно для условий, когда лимитирующей стадией процесса является диффузия реагентов к поверхности осаждения. В области нулевого порядка реакции относительно концентрации MoF6 в газовой смеси при температурах выше 800° С -кажущееся значение энергии активации процесса составляет 6 ккал/моль. При дальнейшем повышении содержания MoF6 наблюдается -постепенное увеличение кажущейся энергии активации от 6,0 до 50,0 ккал/моль. Аналогичное увеличение энергии активации наблюдается и при более низкой температуре осаждения. Отрицательная скорость осаждения или травление молибденового осадка является следствием протекания реакций взаимодействия с металлическим молибденом.

При~ высоких температурах и относительно низком парциальном давлении MoF6, когда лимитирующей стадией процесса является диффузия компонентов реакции к поверхности осаждения, осадки образуются из отдельных иглообразных дендри-тов (рис. 5.4, а, б), которые практически не связаны между собой. В области температур и концентраций, где лимитирующей стадией процесса является образование низших фторидов молибдена (первая кинетическая область), формируется серебристо-белый осадок, имеющий на поверхности правильные пирамидальные образования с кристаллической огранкой (рис. 5.4, в, г).

В области высоких концентраций MoF6, где скорость процесса определяется скоростью восстановления низших фторидов до металла (вторая кинетическая область), значительная часть поверхности осаждения занята трифторидом молибдена, что создает условия для его накопления в слое получаемого осадка. В этом случае при температурах 900—1000° С формируется серебристо-белый осадок, имеющий на поверхности такую же кристаллическую огранку, что и 'В кинетической области, но вершины пирамидальных образований здесь сглажены вследствие одновременного протекания процесса травления. В структуре таких осадков наблюдаются включения MoF3 и пустоты (рис. 5.4, д, е). Снижение температуры процесса усиливает влияние трифторида молибдена на формирование осадка. При Г<800° С формируется темно-серый, гладкий с мелкодисперсными образованиями на поверхности осадок (рис. 5.4,ж), обнаруживающий слоистую структуру в изломе (рис. 5,4, з). При повышении концентрации гексафторида молибдена в газовой смеси на поверхности появляются каплевидные образования (рис. 5.4, «), а в структуре осадка появляется множество пор и темных включений (рис. 5.4, к).

Увеличение размера зерна с ростом скорости осаждения молибдена наблюдается при повышении температуры до 800°С, а также при изменении состава газовой смеси в области температур 800—1100° С. Наблюдавшиеся случаи снижения размера зерна с увеличением температуры выше 800° С объясняются повышением содержания посторонних примесей за счет коррозии аппаратуры и восстановления примесных элементов на поверхности осаждения (табл. 5.1). В условиях, когда на поверхности сформировавшихся зародышей осаждается трифто-

Регулируя и поддерживая давление в аппарате постоянным на заданном уровне, этим методом можно получать осадки и покрытия с заданной текстурой, так как на характер ее формирования при кристаллизации из газовой фазы в основном влияют два параметра: давление насыщенных паров осаждаемого металла и температура на поверхности осаждения [90]. Модернизированный метод транспортных реакций имеет еще три важных преимущества. Он позволяет: 1) получать осадки и покрытия с высокой скоростью (до 1,0—1,5 мм/ч), так как последняя не снижается в ходе процесса осаждения из-за повышения давления в аппарате; 2) наносить покрытия с заданной толщиной, так как процесс можно вести до тех пор, пока все исходное сырье не окажется на подложке; 3) получать покрытия с высокой адгезией, так как травление поверхности подложки происходит в парах галогенида непосредственно перед нанесением покрытия в том же аппарате.

170° С и на поверхности осаждения 1500—1600° С [42а]. Авторами работ [42 б, в] установлено, что текстура и морфология осадков вольфрама из этой системы, так же как и ее рафинирующие возможности, сильно зависят от возрастания давления

хлорид вольфрама, который начинает заметно диссоциировать, при температуре выше 1100° С. Давление остальных хлоридов-вольфрама при высоких температурах на несколько порядков, ниже давлений основных транспортирующих соединений, и они фактически не участвуют в процессе переноса вольфрама. Если в аппарат попадает кислород, транспортирующая система становится более сложной тройной системой W—С1—О (см. рис. 5.11 б, г). В этом случае механизм осаждения вольфрама изменится и будет происходить обратный перенос вольфрама вследствие образования его окислов. При этом на поверхности осаждения будут протекать одновременно реакции синтеза и диссоциации окислов вольфрама, что приведет к резкому снижению скорости осаждения и изменению текстуры получаемого покрытия. К такому же изменению текстуры осадков вольфрама и переносу в них примесей приводит повышение давления за счет хлоридов примесных элементов. Поэтому важнейшим условием при получении текстурированных и монокристаллических осадков является поддержание давления в аппарате на заданном уровне путем очистки газовой фазы.

перемещается вверх до упора кромки втулки 7 в поршень щупа / (рис. 4.46, в). Скорректированное таким образом положение горелки фиксируется относительно руки робота подачей воздуха в полость 8 путем прижатия элементов 5 к цилиндрической поверхности основания 6, а сбросом из полости // обеспечивается втягивание щупа под действием пружины 2.

низкоуглеродистой стали. Частицы не должны прилипать к непокрытой части рабочей поверхности основания.

низкоуглеродистой стали. Частицы не должны прилипать к непокрытой части рабочей поверхности основания.

вертик. смещение поверхности основания, вызванное увеличением действующей на него нагрузки. О. обычно происходит неравномерно во времени. Она должна быть меньше предельно допустимой, к-рая устанавливается исходя из конструктивных особенностей возводимого сооружения и эксплуа-тац. условий.

или ведущих звеньев. Например, при работе кулачкового механизма основную роль в точности передачи движения играет пара кулачок •—толкатель, а не последующие звенья механизма. Однако в большинстве случаев износ направляющих именно ведомого звена, непосредственно выполняющего заданные функции, определяет изменение траектории его перемещения. Например, рабочие органы (целевые механизмы) многих технологических машин — металлорежущих станков, текстильных, полиграфических машин, прессов, машин для литья под давлением и других •— для обеспечения работоспособности должны при перемещении выдерживать заданную точность траектории. В гл. 7, п. 3 установлены предельные значения износа сопряжения из условия точности перемещения ведомого звена для простейшего случая, когда траекторию можно аппроксимировать дугой окружности. В этом случае'имеет место простая связь между износом сопряжения и параметрами траектории движения заданной точки ведомого звена [см. формулу (28)]. В большинстве механизмов неравномерность износа направляющих ведомого звена приводит к более сложным взаимосвязям между формой изношенной поверхности сопряжения и траекторией движения ведомого звена. Рассмотрим типичные случаи для направляющих скольжения поступательного перемещения ведомого звена (рис. 117). Как было показано выше (см. гл. 6, п. 3), форма изношенной поверхности направляющих может быть определена аналитически, причем в зависимости от соотношения длины ползуна /0 и величины его хода L эпюра износа V (х) будет состоять из трех участков. Взаимодействие направляющих ползуна и направляющих, по которым он перемещается, характеризуется изменением зон контакта, и в данном случае нельзя говорить о постоянном соблюдении условия касания по всей поверхности трения. Для установления связи между траекторией , движения какой-то зафиксированной точки ползуна и износом сопряжения можно установить три характерных случая (рис. 117). При малом ходе ползуна L <^С /0, когда основную зону эпюры износа занимает средний (второй) участок, именно он оказывает главное влияние на искажение траектории (рис. Ц7, а). Ползун обычно прирабатывается в средней части к этому участку и имеет несколько повышенный износ по краям. Влияние износа направляющих ползуна можно, как правило, компенсировать ив искажении траектории основную роль играет форма изношенной поверхности основания (станины) — ее участок //. При перемещении зафиксированной точки ползуна из одного крайнего положения С в другое D при износе произойдет опускание ползуна на величину е, которую можно компенсировать. Искажение траектории зависит от А0 = ?/п гаах — U\\ mln, т. е. разности наибольшего и наименьшего износа на втором участке. Угол наклона траектории, если она близка к линейной,

В случае, рассмотренном на рис. 13-1, отношение поверхности основания Fc к полной поверхности F пузырька можно выразить через тригонометрические функции от величины 6. Однако приведенное выражение применимо также для более общего случая, когда пузырек образуется не на плоском участке (как на рис. 13-1), а в углублении или на выступе элемента шероховатости произвольной формы [Л. 135, 136] (рис. 13-2). Тогда отношение FC/F характеризует ту долю поверхности пузырька, на которой пар соприкасается с поверхностью нагрева. Отношение зависит от формы элемента шероховатости. При этом работа образования граничных поверхностей будет тем меньше, чем больше отношение

14. Нешгоскостяость опорной поверхности основания не должна превышать:

Шлифованные боковые стороны основания позволяют пользоваться ими в качестве вспомогательной базы при некоторых измерениях. Уменьшение опорной поверхности основания за счет имеющейся в нем выточки повышает устойчивость стойки в случае неплоскостности опорной поверхности плиты приспособления.

При ремонте необходимо тщательно пришабрить рабочие поверхности основания и золотника так, чтобы воздух не проникал в зазоры между этими поверхностями.

Для смены образцов шестерня (77), жестко закрепленная на оси основания (14), вводится в зацепление с шестерней (70), поворачиваемой с помощью сильфонного ввода вращения (9). При вращении шестерни (70) шестерня (77), а с ней и основание (14), поворачивается, шарик (20) выходит из фиксирующего паза и прокатывается по боковой поверхности основания до следующего паза. Число зубцов шестерни (10) соответствует повороту шестерни (77) на 60°, т. е. на величину смещения до следующего паза, а, следовательно, и образца. Такая система позволяет производить смену образцов в любую сторону от первого образца к последнему и наоборот.

Пленочные автокатоды на основе нанотрубок имеют различную структуру в зависимости от технологии получения. Первый вариант — это нанесение предварительно изготовленных и помолотых нанотрубок с помощью биндера. Второй вариант — непосредственное осаждение нанотрубок на подложку или заготовку автокатода. Во втором варианте наиболее перспективным является такое осаждение, чтобы нанотрубоки были расположены перпендикулярно поверхности основания автокатода [262, 263]. При этом нанесение нанотрубок производилось двумя методами: 1) нанесение графита в вакууме 10~5—10~6 мм рт. ст. под действием электронного пучка с последующим напылением на подложку; 2) формирование структуры различных фаз углерода в области полной рекомбинации низкотемпературной газоразрядной плазмы (такой же, как при нанесении