Поверхности растущего

Расстояние от поверхности

г — пробег частиц в единицах длины или массы, приходящейся на единицу поверхности; расстояние в цилиндрической или сферической системах координат

0 30 90 м Расстояние on поверхности Рис. 67. Содерж хрома в поверх ном слое стали ле газового хроп вания при 1000° времени выдержк / — сталь, соде щая 1.03% С; сталь, содерж 0.03% С (20 к i с? ё-ДЛ *

1 0 0,02 0,06 0,10 нн ,20 SO ЮО МК Расстояние от поверхности *=> Расстояние от поверхности. ание Рис. 68. Твердость хроми- рис. 69. Внутренние остаточные юст- рованного слоя стали (схе- напряжения в поверхностном пос ма). Стрелками показана слое стали УЮ после хромиро-«иро- металлографическая гса- вания / и последующей термооб-С и ница слоя с сердцеви- работки 2 [20] и ч: ной- 1 — сталь со средним ржа- и высоким содержанием 2 — углерода; 2 — низкоугле-ащая родистая сталь

Расстояние между точками боковых поверхностей зуба, лежащих на двух нормалях, проведенных из 'одной точки делительной поверхности и расположенных на соосной с колесом цилиндрической поверхности

Задние углы заточки целесообразно выбирать не только в зависимости от диаметра сверла, но также и с учётом рода обрабатываемого материала. Это связано с определённой наладкой заточного станка. Для наладки станка по способу фиг. 6, а необходимо знать угол 2р конической поверхности, расстояние а от вершины конуса до оси сверла и Ь — величину смещения оси конуса от оси сверла. Эти величины зависят от угла режущей части 2ср, угла поперечной кромки 9 и заднего угла а. Зависимость между ними выражается формулами

Геодезической линией на поверхности называется такая линия, в каждой точке которой /Q. = 0. Вдоль геодезической линии ее главная нормаль совпадает с нормалью к поверхности. Расстояние по геодезической линии между двумя ее достаточно близкими точками меньше расстояния между теми же точками по всякой другой кривой, проходящей через эти точки.

ческой линии ее главная нормаль совпадает с нормалью к поверхности. Расстояние по геодезической линии между двумя ее достаточно близкими точками меньше расстояния между теми же точками по всякой другой кривой, проходящей через эти точки.

Параметр Размеры рабочей поверхности Расстояние до поверхности ст от оси горизонтального шп от торца вертикального шп Расстояние между торцами г тальных шпинделей Наибольшие перемещения: стола продольное гильз шпинделей (или баб! Частота вращения шпинделя, Подача, мм/мин: стола шпиндельной бабки Подача гильз шпинделей, мм/ Мощность электродвигателя i главного движения, кВт (в за] сти от числа шпиндельных ба( Габаритные размеры: а S s fe s2 1 I1 S * t^ я со о 1

Расстояние от поверхности

Расстояние от поверхности

Если на боковой поверхности растущего кристалла возникает бугорок, то кристалл приобретает способность расти и в боковом направлении. В результате образуется древовидный кри-

Примеси, растворенные в жидком металле, могут также измельчать зерно и изменять его форму. Примеси при затвердевании в виде тонкого слоя осаждаются на поверхности растущего кристалла и ограничивают его рост. Чем больше скорости охлаждения и заро-. жденпя центров кристаллизации,тем больше скорость кристаллизации и тем мелкозсрнистее структура сплава. При мелкозернистой структуре механические свойства сплава повышаются.

Растворенные (а не взвешенные) в жидком металле примеси также могут измельчать зерно и изменять его форму. В этом случае примеси при затвердевании осаждаются в виде тонкого слоя на поверхности растущего кристалла, что приводит к уменьшению поверхностной энергии. Такие примеси называют поверхностно-активными.

В качестве исходного пункта примем, что градиент свободной энергии в системе обусловлен в первую очередь взаимодействием температурного и концентрационного полей. При этом выделение тепла перитектичеекой реакции происходит ни поверхности растущего зерна, а перемещение поверхности приводит, в силу ограниченности диф- • фузии в жидкой фазе, к накоплению растворенного компонента в жидкой фазе. Кроме того примем, что система находится в состоянии теплонасыщения и количество вводимого от внешнего источника и выводимого тепла равны.

На основании распределения концентраций и температур были рассчитаны равновесные и фактические температуры жидкой фазы. Установлено, что при малой толщине межзеренвой жидкой прослойки тепло, выделяющееся на поверхности растущего зёрна .за счет высокой температуропроводности жидкой фазы, способно расплавить поверхность исчезающего зерна. С другой стороны, перемещение поверх^ вости растущего зерна приводит к накоплению рпство>енного компо» вента или возникновению концентрационного переохлаждения жидкой фазы, прилегающей к ней. Таким образом, в околошоивой зоне при неполном ее расплавлении могут создаться условия, при которых имеет место самоорганизующийся процесс, когда поверхность растущего зерна переохлаждена, а исчезающего перегрета. Причем, толщина жидкой прослойки устанавливается Так, чтобы перегрев поверхности исчезающего зерна был максимальным.

Винтовые дислокации играют большую роль при выращивании кристаллов из паров, растворов или расплавов. Ступенька, образующаяся при выходе винтовой дислокации на поверхность кристалла, может непрерывно захватывать осаждающиеся на поверхности растущего кристалла атомы или ионы. Большинство дислокаций в кристаллах представляет собой совокупность краевых и винтовых типов.

процесса адсорбции молекул ПАВ на поверхности растущего пузырька. — Сб. «Теплофизика и теплотехника», вып. 19. Киев, «Нау-кова думка», 1971, с. 37—41.

Примеси, растворенные в жидком металле, могут также измельчать зерно и изменять его форму. Примеси при затвердевании в виде тонкого слоя осаждаются на поверхности растущего кристалла и ограничивают его рост. Чем больше скорости охлаждения и зарождения центров кристаллизации, тем больше скорость кристаллизации и более мелкозернистая структура сплава. При мелкозернистой структуре механические свойства сплава повышаются.

Несколько иного взгляда на механизм действия добавок на электродные процессы придерживаются А. Т, Ваграмян, Н. Т. Кудрявцев и В. И. Лайнер (14, 26, 57). По их мнению действие добавок сводится к экранированию (или пассивированию) части поверхности катода, в связи с чем на некоторой части поверхности возрастает плотность тока, что приводит к увеличению перенапряжения. Повидимому, в целом ряде случаев (особенно для металлов, осаждающихся при малом перенапряжении,) возможна такого рода „избирательная' адсорбция на поверхности растущего электрода.

Рост кристалла по незавершенным граням при наличии дефектов энергетически более выгоден, так как адсорбируемые атомы вступают сразу в связь не с одним, а с двумя и более атомами. Такой рост, следовательно, может протекать при меньших степенях пересыщения в случае совершенной поверхности растущего кристалла. Однако такой рост не может продолжаться бесконечно, так как поверхность становится гладкой и в дальнейшем кристалл должен расти путем отложения двумерных зародышей на этой поверхности.

Характерная кинетическая кривая роста усов сапфира при 1350° С приведена на рис. 156. Можно выделить три стадии: начальную.— с возрастающей скоростью, линейную-—с постоянной скоростью» роста и стадию затухания. Начальная стадия характеризуется экспоненциальной зависимостью длины кристалла от времени роста. Это следует из модели Сирса. В первые минуты:роста длина нитевидцого кристалла h меньше К — длины диффузионного блуждания адсорбированного атома или молекулы по боковой поверхности растущего кристалла. Тогда все ударяющиеся и адсорбирующиеся на.этой поверхности атомы успевают достичь -вершины кристалла и встроиться в решетку на ступеньке винтовой/дислокации.