Поверхностная концентрация

112 с. с ил. Во лог дин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Оборонгиз,

52. Вологдин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Оборонгиз, 1947.

40Х 45 Поверхностная индукционная закалка, охлаждение эмульсией, отпуск 180° С Поверхностная индукционная закалка, охлаждение водой, отпуск 180° С 1,2-1,3 1,3 Мелкоигольчатый мартенсит То же 57—60 58—62 18 17

8. Вологдин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Оборонгиз, 1947. 291 с. с ил..

П.З. Вологдин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Обо-ронгиз, 1947.

1. ВологдинВ. П., Поверхностная индукционная закалка, Обороигиз, 1947.

2. Вологдии В. П., Поверхностная индукционная закалка, Оборонгиз, 1947.

Вологдин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Оборон-гиз, 1947.

112 с. с ил. Вологдин В. П. Поверхностная индукционная закалка. М., Оборонгиз,

Во MHOS их случаях поверхностная индукционная закалка может с успехом применяться вместо цементации либо сквозной закалии и отпуска, позволяя получить не только более высокую прочность и долгйведаость изделий, ко и значительную экономию легирующих элементов, онижедае стоимости стали и термической обработки, а также повышение производительности труда и автоматизации производства.

Поверхностная индукционная закалка выполняется в двух вариантах: 1) поверхностная закалка (при поверхностном нагреве изделий); 2) объемно-поверхностная закалка (при глубинном нагреве).

При допущении, что поверхностная концентрация внедряемого элемента не превышает предела его растворимости в пограничном твердом растворе (т. е. образование новой фазы не имеет места), относительная концентрация диффундирующего элемента при атомной его диффузии в основном металле может быть описана

Хойслер 1958 г.), предположив, что поверхностная концентрация ионов ОН" в кислых растворах может быть значительно больше объемной вследствие диссоциации молекул воды, адсорбированных на поверхности железа, представил процесс растворения железа в кислых растворах протекающим через следующие стадии:

Когда в элементе течет ток, медь осаждается на электроде ! при этом поверхностная концентрация ионов меди, а следовательно, и их активность снижаются до (acu«+)s- Теперь потенциал электрода становится

Чем больше ток, тем меньше поверхностная концентрация ионов меди и тем меньше величина (acu«+)s> a значит тем больше и соответствующая поляризация. Когда (acu»+)s на поверхности электрода приближается к нулю, концентрационная поляризация стремится к бесконечности. Плотность тока, при которой значение (acu»+)s близко к нулю, называется предельной плотностью тока. Очевидно, на практике поляризация никогда не может достичь бесконечности, так как при потенциале более высоком, чем соответствующий первой реакции, будет протекать другая электродная реакция. В случае осаждения меди, например, смещение потенциала ведет к разряду ионов водорода 2Н+ -*• Н2 — 2ё, причем газообразный водород выделяется одновременно с осаждением меди.

.Добавление пероксида водорода Н2Оа к концентрированной HNO3 также вызывает периодическое разрушение и образование пассивной пленки, возможно, из-за окисления HNO4 до HNO3 [13]. Сам Н2О2 не является таким эффективным катодным деполяризатором, как HNO2, поэтому пассивная пленка в присутствии Н2О2 может восстанавливаться только если мгновенная приповерхностная концентрация HNO2, образовавшейся в результате реакции железа и HNO3, достаточно высока. После того как пассивность достигнута, поверхностная концентрация HNOa уменьшается из-за реакции с Н2О2, и ее становится меньше, чем необходимо для поддержания пассивности[ далее цикл повторяется.

При наложении поляризации от внешнего источника тока или от создаваемого гальванического элемента из защищаемого металла и другого, более электроотрицательного металла повышение эффективности действия ингибиторов достигается вследствие смещения потенциала коррозии в отрицательном направлении при неизменном потенциале нулевого заряда. Смещение потенциала металла в отрицательном направлении при электрохимической катодной защите облегчает адсорбцию катионных органических веществ, при этом возрастают поверхностная концентрация таких ингибиторов и их ингибирующее действие.

4) диффузионные переходы — легирующий элемент осаждается из газовой или жидкой фаз на поверхность полупроводника, затем производят диффузионный отжиг, при котором легирующий элемент диффундирует в поверхностные слои полупроводника; концентрационный профиль описывается вторым законом Фика (гл. II, § 4) с определенными граничными условиями. При условии, когда поверхностная концентрация с„ поддерживается постоянной, распределение концентрации элемента - с на расстоянии от поверхности за время диффузии t приближенно рассчитывается по формуле

при 1273 К и выше частицы второй фазы увеличиваются, а их поверхностная концентрация уменьшается с увеличением продолжительности отжига, как это следует из табл. 2 для температур 1373 и 1573 К. Поскольку толщина усов точно не известна, все оценки, приведенные в табл..2, сделаны по данным о площади частиц. При увеличении длительности выдержки первоначально округлые частицы удлиняются за счет слияния с соседними. В структуре, полученной после отжига при 1573 К в течение 17 ч (рис. 2), наблюдаются как выросшие, так и коалесцировавшие частицы,

их поверхности обнаружены частицы продукта реакции (рис. 12). Эти частицы сидят на мелких и крупных усах, причем они либо скреплены с усами, либо обособлены от них. Частицы продукта реакции, в основном, имеют квадратное сечение со стороной приблизительно 0,4 мкм, а их поверхностная концентрация составляет 2,4 на 1 мкм2. После обработки в растворе А не удается обнаружить вросшие частицы второй фазы.

После обработки усов TFI в растворе А на них образуется продукт реакции, похожий по виду на тот, который наблюдается в случае усов СТН, но в меньшем количестве. Размер частиц этого продукта равен приблизительно 0,15 мкм, а их средняя поверхностная концентрация составляет примерно 10 частиц/мкм2. Продукт реакции взаимодействует с усами в процессе отжига при 1373 К продолжительностью 17 ч подобно тому, как это описано для усов СТН. Он может быть также полностью удален промывкой в воде, и после этой операции возможен отжиг усов при 1373 К без какого-либо изменения их структуры.

Многие авторы предполагают, что адсорбция сероводорода на поверхности металла влияет на кинетику выделения водорода, снижая скорость стадии рекомбинации [73-75] или облегчая стадию переноса заряда [41,48, 62,67,77]. В обоих случаях поверхностная концентрация атомов водорода, а следовательно и вероятность его проникновения в глубь металла должны возрастать. Снижение энергии связи Fe-H в присутствии сероводорода, например вследствие изменения электроноакцепторцой способности металла, должно приводить, по мнению некоторых авторов [78-79], к облегчению перехода атомов водорода с поверхности металла в его толщу. Поверхностная концентрация водорода должна при этом уменьшаться, что было установлено не только для железа, но и для ряда других переходных металлов [80,81].