Преобразователя расстояние

В методах отражения используют как один, так и два преобразователя; применяют, как правило, импульсное излучение. К этой подгруппе относят следующие методы дефектоскопии.

ле круглого преобразователя, излучающего колоколообразные импульсы, в которых амплитуда колебаний за период уменьшается в 6 раз. В связи с возможным изменением формы и длительности импульсов поле вблизи нуля функции Ф определено неточно. Часто за нижнее значение амплитуды основного лепестка принимают значения 0,1; убЛ; 0,5 или уб^5 от максимума. В этих случаях граничное значение угла расхождения определяют по той же формуле (1.57), но с другим значением коэффициента N, указанным в графе 5 таблицы для Ф—К 0,1. Боковые лепестки являются источниками помех, причем наибольший уровень помех соответствует первому, максимальному лепестку. Амплитуда его указана в графе 6 табл. 1.2. Для приближенного аналитического описания поля в пределах основного лепестка круглого преобразователя применяют приближенные формулы

В методах отражения используют один или два преобразователя; применяют, как правило, импульсное излучение.

Сканирующие дефектоскопы с визуализацией изображения. В приборах этой группы сохранен принцип сканирования, присущий обычному ручному контролю. Приборы различают по двум основным признакам: способу сканирования и типу изображения. Сканирование можно выполнять вручную, но в этом случае обязательна связь между преобразователем и дефектоскопом, поскольку для визуализации необходима информация о положении преобразователя на поверхности изделия. В автоматических установках используют механическое и электронное сканирование. Последнее состоит в применении многоэлементного преобразователя либо большого числа параллельно действующих переключаемых преобразователей. Применяют также комбинированное сканирование, например ручное в продольном, механическое или электронное в поперечном направлениях либо механическое в продольном, электронное в поперечном направлениях.

Кроме сканирования путем возвратно-поступательного перемещения преобразователя, применяют движение преобразователя по кольцевой или спиральной траектории, Для решения некоторых задач целесообразно изменение угла ввода преобразователя; такой тип сканирования называют секторным.

прямого неослабленного излучения на преобразователь рентгеновского изображения с тем, чтобы не вывести преобразователь из строя. При неполном перекрытии изделием рентгеночувствительной поверхности преобразователя применяют маску (компенсатор) для полного перекрытия прямого излучения.

Плексиглас удобен также благодаря своей хорошей смачиваемости, что обеспечивает достаточно высокое качество акустического контакта даже при работе по грубой поверхности. Однако плексигласу свойственна плохая устойчивость к истиранию. Для повышения износоустойчивости преобразователя применяют другие пластики, например поликапролактам.

Глубиномер дефектоскопа настраивают по СО-3 и СО-2 с использованием при дальнейших измерениях графиков и способов пересчета, изложенных в разд. 3.2.1. Используют также другой способ. Задержку начала отсчета настраивают по СО-3, а координаты - по зарубкам на внутренней и наружной поверхностях. Для распознания эхосигнала, соответствующего отражению от зарубки акустической оси преобразователя, применяют способ настройки и измерения координат по СО-3 и СО-2.

Сигнал при t = 0 обусловлен проникновением импульса запуска в цепи приема (электрическая наводка, от которой трудно избавиться). Из-за разделения во времени сигналов запуска и эхо-сигналов этот импульс не оказывает существенного влияния на регистрацию остальных импульсов, однако при использовании совмещенного преобразователя применяют меры ограничения импульса по амплитуде с целью предохранения от перегрузки и выхода из строя входных цепей усилителя сигналов. На рис. 7.1 видно, что эхо-импульс, обусловленный отражением от задней поверхности изделия (донное эхо), мо -жет служить в качестве опорного при определении глубины залегания дефекта, так как время появления отраженного импульса на приемнике пропорционально длине пути, пройденного УЗ-импульсом в объекте, а расстояние до задней поверхности изделия обычно известно. Отсюда следует и главный признак наличия дефекта - появление импульса (или импульсов), предшествую -щего донному эхо-сигналу.

В методах отражения используют как один, так и два преобразователя; применяют импульсное излучение. К этой подгруппе относят следующие методы дефектоскопии.

Кроме совмещенного преобразователя применяют раздельно-совмещенные преобразователи, имеющие в общем корпусе раздельные излучающий и приемный вибраторы. Эти преобразователи работают в импульсном режиме. При работе совмещенными преобразователями используют частоты до 8 кГц, раздельно-совмещенными -импульсы с несущими частотами 15 ... 35 кГц.

/ - расстояние между осями преобразователей вдоль оси строки. Основным недостатком многоэлементных электромагнитных преобразователей является большое число параллельных проводников, соединяющих чувствительные элементы с электронным блоком развертки, что снижает надежность устройства и обусловливает высокий уровень перекрестных помех. Для устранения этого недостатка в работе [68] предлагается применить строчный электромагнитный преобразователь с самосканированием (рисунок 3.3.25). Каждая ячейка строчного преобразователя содержит кольцевой сердечник из материала с 11111, обмотка которого через цепочку из последовательно соединенных резистора и диода соединена с обмоткой возбуждения элементарного преобразователя и обмоткой пе-ремагничивания сердечника следующей ячейки. Элементарные преобразователи содержат кольцевые сердечники из материала с 11111", короткозамк-нутую обмотку, индуктивность которой L и активное сопротивление R показаны на рисунке 3.3.27. Вместо элемента R могут быть включены магни-

/ - расстояние между осями преобразователей вдоль оси строки. Основным недостатком многоэлементных электромагнитных преобразователей является большое число параллельных проводников, соединяющих чувствительные элементы с электронным блоком развертки, что снижает надежность устройства и обусловливает высокий уровень перекрестных помех. Для устранения этого недостатка в работе [68] предлагается применить строчный электромагнитный преобразователь с самосканированием (рисунок 3.3.25). Каждая ячейка строчного преобразователя содержит кольцевой сердечник из материала с 11111, обмотка которого через цепочку из последовательно соединенных резистора и диода соединена с обмоткой возбуждения элементарного преобразователя и обмоткой пе-ремагничивания сердечника следующей ячейки. Элементарные преобразователи содержат кольцевые сердечники из материала с 11111, короткозамк-нутую обмотку, индуктивность которой L и активное сопротивление R показаны на рисунке 3.3.27. Вместо элемента R могут быть включены магни-

Условная высота АЯД дефекта определяется как разность показаний глубиномера в положениях преобразователя, расстояние между которыми равно условной ширине дефекта (рис. 51). Условные размеры дефектов измеряются двумя способами. При первом способе крайними положениями преобразователя считают такие, в кото-.рых амплитуда эхо-сигнала от выявленного дефекта уменьшается до значения, составляющего определенную часть (обычно 1/2) от максимальной. При втором способе крайними положениями преобразователя считают такие, в которых амплитуда эхо-сигнала достигает величины, соответствующей минимальному регистрируемому дефектоскопом значению.

износостойкость — протяженностью (площадью) проконтролированного металла, при которой истирание призмы или протектора еще не вызывает изменения угла призмы выше допустимого. Стойкость к внешним воздействиям зависит от устойчивости к изменению температуры, влажности, к механическим ударам и действию электромагнитного поля. К этим характеристикам относят также габаритные размеры, угол призмы, стрелу преобразователя (расстояние от точки выхода акустической оси до передней грани преобразователя) и др.

Условная высота АЯД дефекта определяется как разность показаний глубиномера в положениях преобразователя, расстояние между которыми равно условной ширине дефекта. Условные размеры дефектов измеряют двумя способами, изложенными в под-разд. 5.3.

Стрела преобразователя — расстояние от точки выхода до передней грани преобразователя.

чивает длительность переходных процессов, т.е. длительность импульсов. Максимумы и минимумы импульсов сглаживаются, как это отмечалось для поля прямого преобразователя, расстояние до акустического фокуса увеличивается, диаметр фокального пятна также возрастает.

Пространственная огибающая позволяет судить о протяженности дефекта. Сравнение временной и пространственной огибающих дает важные сведения о дефекте, особенно при контроле наклонным преобразователем (рис. 2.44, в). Если дефект развит по высоте (такие дефекты часто бывают трещинами, и они наиболее опасны), то при движении преобразователя расстояние от него до дефекта будет сильно изменяться и временная огибающая расширится.

где т - расстояние между отражателями; / - расстояние по лучу от точки ввода до отражателей; D - диаметр преобразователя.

Правильный выбор конструктивных параметров преобразователя (расстояние между токовым 2а и измерительным 2А электродами) определяет верхний предел измерения по глубине h и точность измерений глубины.