Приборных композиций

Вытяжку длинных болтов и шпилек измеряют индикаторами или оптическими приборами, установленными на независимом основании 2. Индикатор показывает сумму вытяжки болта и сжатия корпуса 3. Замеры производят по шарикам, закладываемым в конические гнезда на торцах болта (рис. 311), или по сферическим поверхностям, выполненным заодно с торцами (способ более удобный).

2. Контроль температуры: воздуха ГТУ (наружного, на входе и выходе ОК, перед камерой сгорания); продуктов сгорания (перед ТВД и ТНД и за ТНД) ; подшипников агрегата с помощью штатных контрольно-измерительных приборов); воды в утилизационном теплообменнике; масла до и после маслоохладителей термометрами и другими приборами, установленными по месту; газана входе и выходе ЦБН термометрами и датчиками, установленными на входе и выходе ЦБН, в галерее или боксе нагнетателей.

3. Контроль давления: топливного газа и воздуха за ОК манометрами, установленными на местных щитах; воды в утилизационном теплообменнике манометрами на выходе насоса; масла перед главным маслонасосом ГТУ и ЦБН и за ним на регулирование; подшипников ГТУ и ЦБН манометрами на местном щите управления; перепада „масло—газ" контрольно-измерительными приборами; газа на входе и выходе ЦБН штатными манометрами и датчиками.

Для наладки прибор с открытым кожухом устанавливают на плите / стенда и базируют по шпоночному пазу. Для обеспечения взаимозаменяемости приборов, налаженных на стенде, с приборами, установленными на станке, базорасстояние от опорной плоскости шпо-

Марка стали проверяется при помощи приборов, которые устанавливаются на двух технологических операциях [4]. На первой операции контроль осуществляется приборами, установленными на прокатных станах. Контроль на второй технологической операции производится такими же приборами, установленными на резательных станах, и осуществляется отделом технического контроля.

Вытяжку длинных болтов и шпилек измеряют индикаторами или оптическими приборами, установленными на независимом основании 2. Индикатор показывает сумму вытяжки болта и сжатия корпуса 3. Замеры производят по шарикам, закладываемым в конические гнезда на торцах болта (рис. 311), или по сферическим поверхностям, выполненным заодно с торцами (способ более удобный).

Пар из главного паропровода поступает через водоотделитель / в распределительный коллектор 2, от которого по отдельным паропроводам направляется к установкам предприятия. Пункт оснащен электронными контрольно-измерительными приборами, установленными на щите 3. Конденсат, поступающий от установок, предварительно направляется в охладители конденсата 4, представляющие собой обычные подогреватели, которые охлаждаются холодной водопроводной водой.

При производстве испытаний по классу II допускается измерение отдельных величин приборами, установленными в котельной для текущей эксплуатации. В этом случае приборы до проведения испытаний должны быть подвергнуты специальной проверке с выдачей паспорта и указанием поправок к показаниям.

Контроль загрязнения поверхностей в помещениях АС выполняется переносными приборами и снятием мазков. Контроль загрязнения радиоактивными веществами сгецодежды, обуви и тела работающих осуществляется стационарными приборами, установленными в санпропускнике, и переносными приборами. В саншлюзах должен осуществляться контроль загрязненности.

Класс II. По этому классу проводят эксплуатационные экспресс-испытания и другие наладочные работы, к результатам которых предъявляют менее высокие требования. При производстве испытаний по классу II допускается измерение отдельных величин приборами, установленными для эксплуатационного контроля.

Контроль величин, указанных в пп. «а»—«в», должен осуществляться (в дополнение к самопишущим) еще и постоянно действующими показывающими контрольно-измерительными приборами, установленными на щите управления котла или блока, или только регистрирующими приборами при наличии у них показывающей шкалы и при условии их установки на щите управления котла.

юцесса распада твердого раствора кислорода. Создавая контролируе-,ш профиль распределения вакансий по толщине термообрабатывае->й пластины, легко можно контролировать эффективность распада пе-сыщенного твердого раствора кислорода со всеми вытекающими от->да практическими последствиями. В частности, если концентрация кансий в приповерхностной области пластины будет ниже критичес-,й величины (~1012 см~3), то распад твердого раствора кислорода в ой области будет практически подавлен. При этом концентрация ва-нсий в объеме пластины должна существенно превышать критичес-[й уровень, что обеспечит интенсивный распад пересыщенного твер-го раствора кислорода в этой области с образованием необходимого личества эффективно геттерирующих дефектных центров. Необходи->ш профиль распределения вакансий легко реализуется в процессе гстрого термического отжига пластины при температурах, превышаю-их 1175°С. При последующей преципитатообразующей двухступенча-й термообработке (800°С/4ч+ 1000°С/16ч) в объеме пластины обра-ется большое количество кислородсодержащих преципитатов, в то емя как приповерхностная область пластины толщиной -80 мкм оста-ся практически бездефектной. Такой процесс формирования эффек-вного внутреннего геттера получил название MDZ-процесса (создание игической» бездефектной зоны). Как показано в [16], этот процесс >ладает целым рядом принципиальных преимуществ: обеспечивается «цизионный контроль объемной плотности кислородсодержащих пре-титатов; обеспечивается строго контролируемая и воспроизводимая лщина бездефектной приповерхностной области на уровне -80 мкм; зультат слабо зависит от возможных колебаний содержания кислоро-в пластине; результат не зависит от тепловой предыстории исходно-кристалла; возможность использования такого рода пластин в раз-1чных схемах последующего изготовления приборных композиций, роме того, процесс обладает и неоспоримыми технико-экономически-i преимуществами.

Основу большинства современных интегральных схем и дискретных приборов составляют многослойные полупроводниковые композиции (р-п, гомо- и гетеропереходные структуры, гетероструктуры типа полупроводник—диэлектрики т. д.), формируемые в процессах диффузионного легирования или ионной имплантации, а также эпитаксиального наращивания и термического окисления. Далеко не всегда используемые технологические процессы обеспечивают получение высококачественных приборных композиций, отвечающих требованиям современных производств, гарантирующих не только достижение необходимых рабочих ха-

С этой точки зрения несомненный интерес представляет новый ме-)д формирования многослойных приборных композиций путем «прямо->» соединения монокристаллических пластин. Несмотря на то, что идея етода была сформулирована еще в 1961 году, его широкое развитие ачалось лишь в конце 80-х — начале 90-х годов прошлого столетия, что ыло обусловлено, в первую очередь, достигнутыми к этому времени ;рьезными успехами в технологии получения высококачественных крем-иевых пластин. Наличие высококачественных исходных пластин явля-гся одним из важнейших условий успешного использования этого ме-ада для получения высококачественных приборных композиций. Вот очему к настоящему времени метод прямого соединения завоевал дос-JTO4HO прочные позиции именно в кремниевом приборостроении: в 5хнологии формирования структур кремния на диэлектрике, широко спользуемых для создания современных низковольтных и маломощных ысокочастотных УСБИС; в технологии формирования разнообразных ногослойных /7-л-структур для «силовой» электроники. В обоих случаях етод доведен до уровня достаточно широкого промышленного исполь-эвания [17, 18, 19].

Использование исходных пластин, обладающих низкими величинами общей и локальной неплоскостности, проведение подготовительных операций в особо чистых условиях с использованием чистых технологических газов и химических реактивов, а также оптимизация температурных режимов на стадии отжига соединенных при комнатной температуре пластин — все это в совокупности обеспечивает создание высококачественных многослойных приборных композиций, не содержащих пузырей.

щение энергетических затрат при одновременном высоком качестве создаваемых приборных композиций.

заряда — кристаллоинженерии. Уже сегодня кристаллоинженерия активно вмешивается в конструирование на атомном уровне совершенно новых приборных композиций. В ближайшем будущем следует ожидать резкого прогресса в создании новых поколений приборов полупроводниковой электроники, в основе работы которых будут лежать разнообразные квантоворазмерные эффекты в разнообразных квантоворазмерных композициях. Например, уже активно обсуждаются возможности создания квантовых интегральных схем, основными элементами которых должны стать квантовые точки, квантовые проводники, квантовые ямы, транзисторные структуры на основе квантоворазмерных эффектов и устройств с управляемой интерференцией электронов [25].

Для получения тонкопленочных гетероэпитаксиальных структур твердых растворов SiGe успешно используют традиционную газофазную гидридную эпитаксию, а также методы молекулярно-пучковой и высоковакуумной химической эпитаксии при температурах 750...800 °С. Основной проблемой в получении высококачественных гетероструктур является необходимость резкого снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное рассеяние носителей тока.

Успешно решается и проблема получения достаточно совершенных гетероэпитаксиальных композиций соединений AinBv и AnBVI на кремниевых и германиевых подложках большой площади, а также на подложках хорошо освоенных и сравнительно дешевых монокристаллов других «инородных» полупроводников. При этом широко используются уже рассмотренные выше методы создания промежуточных буферных слоев, позволяющие сгладить катастрофические последствия различий периодов кристаллических решеток и коэффициентов термического расширения элементов гетеропары. Особенно показательны в этом отношении гетероструктуры GaAS/Si для полевых транзисторов и СВЧ интегральных схем и гетероструктуры GaAs/GaAlAs/Ge для «космических» солнечных батарей, где плотность дислокаций в рабочих слоях приборных композиций снижена до уровня 104...105 см""2 (в первом случае) и до 103 см~3 (во втором случае), что вполне достаточно для создания приборов с высокими рабочими характеристиками.

Одним из наименее изученных является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о влиянии «структуры» на фундаментальные электрические и оптические характеристики получаемых композиций. В детальном исследовании этих проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и оптимизированными структурой и электрофизическими свойствами. Если для пленок a-Si:H к настоящему времени достигнут значительный прогресс в этом направлении, то пленки других гидрированных полупроводников еще существенно им уступают как по своим структурным характеристикам, так и по возможностям воспроизводимого управления их электрическими и оптическими свойствами.

Отдельными и пока недостаточно изученными являются проблемы, •вязанные с получением микрокристаллических гидрированных пленок ; воспроизводимыми и управляемыми структурой и свойствами, а так-ке проблемы создания эффективных приборных композиций на основе свантоворазмерных структур аморфных гидрированных полупроводников.