Радиотехнике электронике

Стали и сплавы с особыми физическими свойствами получают в результате специального легирования и термической обработки. Их применяют в основном в приборостроении, электронной, радиотехнической промышленности и т. д.

Металлы высокой степени чистоты — сверхчистые металлы — используют в атомной, электронной и радиотехнической промышленности. Содержание примесей в таких металлах ограничивается одним атомом на 109 атомов основного металла, потому что от наличия примесей в значительной степени зависят физико-химические и механические свойства металлов. Так, ничтожно малое количество некоторых примесей повышает способность металлов (например, Zr, Al, Mg) к поглощению тепловых нейтронов и делает их непригодными для использования в атомной технике.

и радиотехнической промышленности Получение осадков, включающих одновременно никель и кобальт, возможно в щелочных аммиач ных растворах, содержащих растворимые соли как того, так и другого металла

Изделия, приборы электронной, электротехнической, радиотехнической промышленности

При длительных натурных испытаниях изделий электронной и радиотехнической промышленности в условиях морского и тропического климата отмечено значительное изменение электротехнических характеристик: переходное контактное сопротивление контактных пар телефонных аппаратов увеличивалось на несколько порядков (от 2,25 до 14,25 Ом при допустимой норме ОД Ом). Эта же характеристика возрастала в 3...200 раз у различных типов реле. У некоторых типов электрических соединений снижалось сопротивление изоляции на несколько порядков, увеличилось контактное сопротивление на 20—30 % кабельных изделий. Отмеченные эффекты возникали в основном в результате воздействия колоний грибов Penicillium cyclopium, A. niger, Tr. sp. [8, с. 96]. Наблюдается интенсивная коррозия труб систем промышленного водоснабжения. Анализ случаев повреждения труб и идентификация микроорганизмов свидетельствуют о комплексности процессов. Отмечены сезонные колебания микрофлоры: зимой доми нируют железобактерии, летом — СВБ. В процессах биокорроз принимают участие также микрогрибы (Cl. resinae), микров' росли, вступающие в ассоциации с бактериями. Повреждения локальный характер, а глубина их иногда достигает критт

Для исследования активности микрогрибов были выбраны виды [43, с. 17], выделенные с поверхности полимерных материалов, используемых в радиотехнической промышленности. Эти грибы оказывают воздействие на капроновые полимеры, текстолит и стеклотекстолит, ПЭ, полистирол, ПВХ, полипропилен вследствие изменения рН среды и накопления ферментов (табл. 11). Изменение рН среды и степень активности ферментов колеблется в больших пределах. Ферменты либо накапливаются внутри клеток, либо выделяются в среду. Высокая ферментативная активность обнаружена у P. cyclopium (глюкозооксидазная); Раес. varioti (пероксидазная); Aur. pullulans (аминопептидазная). Фунгициды, или фунгистатические вещества, рекомендованные для защиты материалов от этих грибов, должны подавлять ферментативную активность грибов, а также процессы, связанные с изменением рН среды.

Книга является учебным пособием по курсам: «Физические основы конструирования и технологии РЭА» и «Физические основы конструирования и технологии ЭВА», предназначенным для студентов специальностей: «Конструирование и производство РЭА» и «Конструирование и производство ЭВА». Она будет полезна и студентам других специальностей, а также широкому кругу специалистов электронной и радиотехнической промышленности.

Предназначена студентам технических вузов и специалистам электронной и радиотехнической промышленности.

Широкое применение титановых сплавов в машино-, приборо-и аппаратуростроении в настоящее время общеизвестно. Физико-химические исследования сплавов металлов группы платины, в свою очередь, выявили много интересных материалов для химической, электро- и радиотехнической промышленности. Дальнейшее совершенствование извес'тных металлических материалов и поиск новых немыслимы без знания диаграмм состояния соответствующих

2 декабря 1918 г. Совет Народных Комиссаров под председательством В. И. Ленина принимает «Положение о радиолаборатории с мастерской Народного Комиссариата почт и телеграфов» в Нижнем Новгороде. В этом «Положении» говорится, что создание лаборатории является лишь «первым этапом к организации в России Государственного социалистического радиотехнического института». Конечной целью такого мощного научного учреждения, по мнению Владимира Ильича, должно было стать творческое объединение всех научно-технических сил России, работавших в области радио; такой институт должен был явиться организующим центром по подготовке кадров радиоспециалистов и задавать тон всей радиотехнической промышленности нашей страны. Владимир Ильич лично внес в текст «Положения» дополнение о том, что радиолаборатория должна давать всем вообще радиотехникам возможность бесплатного производства опытов и изысканий. В «Положении» подчеркивалась необходимость производства научных изысканий в области радиотелефонии и в области создания электронных ламп или, как тогда было принято говорить, «катодных реле с абсолютной пустотой».

Возвращаясь к характеристике общего состояния радиовещания в нашей стране в 20-е годы, приходится отметить существовавший в то время явный разрыв в техническом уровне между радиовещательными станциями и Приемными устройствами широкого пользования. Основными причинами отставания отечественной приемной техники в те годы были отсутствие необходимых приемно-усилительных ламп и неподготовленность нашей радиотехнической промышленности к массовому выпуску радиодеталей и радиоприемников в целом.

АМПЛИТУДНО-ЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА'- зависимость амплитуды сигнала на выходе устройства от частоты входного гармонич. сигнала пост, амплитуды. В электротехнике, радиотехнике, электронике по А.-ч. х. определяют разл. параметры (полосу пропускания частот, избирательность и др.), по к-рым судят о работе устройств (приборов). АМПЛИТУДНЫЙ АНАЛИЗАТОР И М -пульсов - устройство для нахождения закона распределения амплитуд электрич. импульсов. С помощью А.а. обычно анализируют распределение амплитуд случайного импульсного процесса по числу появлений импульсов с амплитудой в заданном интервале. В зависимости от конструкции

КОНДЕНСАТОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ - устройство из двух или более подвижных или неподвижных электродов (обкладок), разделённых слоем диэлектрика, толщина к-рого мала по сравнению с размерами обкладок; обладает способностью накапливать электрич. заряды. Действие К.э. осн. на поляризации диэлектрика, возникающей при подаче напряжения на его обкладки. Применяется в радиотехнике, электронике, электротехнике и т.д. в качестве элемента с со-средоточ. электрической ёмкостью. К.э. часто включаются группами (в виде батарей); при параллельном соединении К.э. общая ёмкость батареи Се, ~ С-\ + С2 + ... + Сп, при последоват. соединении

ур-ния классич. электродинамики, описывающие пространственно-временные изменения электромагн. поля в разл. средах и в вакууме при известном распределении электрич. зарядов и токов; имеют вид (в СИ): rotE = -dB/d/, rotH=J + dD/d/, divD = = р и divB = 0. M.y. показывают, как в любой точке электромагн. поля в любой момент времени t четыре вектора, характеризующие поле в среде, - напряжённость электрического поля Е, электрическое смещение D, напряжённость магнитного поля Н и магнитная индукция В - связаны между собой, а также с плотностью тока \ и объёмной плотностью свободных зарядов р. Четыре М.у. дополняются тремя ур-ниями, характеризующими св-ва материальной среды и устанавливающими связи между D и Е, В и Н, j и Е. М.у. справедливы для широкого круга электромагн. явлений и служат основой для расчёта полей в радиотехнике, электронике и др. областях.

2) Линза (в оправе или без неё), вставляемая в глазную впадину. М. применялся вместо очков. МОНОКРИСТАЛЛ (от моно... и кристалл) - отд. (единичный) однородный кристалл с непрерывной кристаллической решёткой. Внеш. форма М. определяется его атомной структурой и условиями кристаллизации', в равновесных условиях М. приобретают хорошо выраженную ес-теств. огранку. Примеры хорошо огранённых природных М.- кварц, кам. соль, исландский шпат, алмаз, рубин. М. могут не иметь правильной огранки (напр., закруглённые искусственно выращиваемые «були» рубина, М. кремния). Наиболее характерная особенность М.- зависимость большинства ихфиз. св-в (электрич., оптич., акустич. и др.) от направления (анизотропия). М. широко применяются в качестве разного рода преобразователей в оптике, акустике, радиотехнике, электронике (в частности, М. кварца, полупроводников). См. также Синтетические кристаллы. МОНОЛИТНЫЕ КОНСТРУКЦИИ (ОТ МОНО... и греч. li'thos - камень) - строит, конструкции (гл. обр. бетонные и ж.-б.), осн. части к-рых выполняются в виде единого целого (монолита) непосредственно на месте возведения преим. нестандартных зданий, а также в сооружениях, трудно поддающихся членению (напр., фундаменты под прокатное оборудование). Целесообразно выполнение М.к. ин-дустр. методами с использованием инвентарной опалубки.

ПОРОГОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ — элемент или устройство, характеризующееся тем, что сигнал на выходе возникает только в том случае, когда размер входного воздействия превысит нек-рый критич. уровень, наз. порогом срабатывания. П. э., сравнивающий 2 сигнала, подаваемых на вход, наз. нуль-органом. Применяется гл. обр. в радиотехнике, электронике, измерит, и вычислит, технике.

лы переходных металлов, содержащие группу Fe2O3. Иногда термин «Ф.» используют как общее назв. ферримагнетиков (см. Ферримагнетизм). Широко применяются Ф. со структурой шпинели (обращённой): MeO-Fe2O3 (Me — двухвалентный металл, напр, никель, цинк, кобальт, марганец) и со структурой граната; ЗМе'2О3-5Fe2O3 (Me' —редкоземельный металл, напр, гадолиний, диспрозий, тербий, или иттрий). Применяются также смешанные Ф. и твердые р-ры разных Ф. Называют Ф. по осн. Me (Me'). Изделия из Ф. обычно изготовляют спеканием. По магнитным св-вам Ф. аналогичны ферромагнетикам, но обладают весьма малыми потерями на вихревые токи и меньшей плотностью. Ф. широко используются в радиотехнике, электронике, в вычислит, технике (в качестве сердечников, дросселей, магнитных антенн, пост, магнитов и т. д.), а также в технике СВЧ (в качестве вентилей, циркуляторов, модуляторов, фазовращателей и т. д.). Нек-рыс Ф. (в виде плёнок) перспективны в качестве устройств памяти огромной ёмкости.

Типичные представители ферромагнетиков — железо, никель, кобальт, их сплавы, а также ряд редкоземельных металлов (гадолиний, тербий, диспрозий и др.) и их сплавов. Ферромагнетики широко применяются в электротехнике, радиотехнике, электронике, приборостроении.

Изыскание средств защиты материалов жаростойкими, электроизолирующими, теплоустойчивыми, гидрофобными и другими покрытиями тесно связано с историей развития Института химии силикатов АН СССР. Уже в 1954 году — через шесть лет, прошедших со дня основания Института, в Лаборатории кремнийорганических соединений под руководством профессора Б. Н. Долгова были успешно завершены работы по созданию гибких теплоустойчивых электроизоляционных и влагостойких покрытий, нашедших широкое применение в электротехнике, радиотехнике, электронике и других отраслях техники. Такие покрытия были созданы на основе различных кремнийорганических соединений и силикатных материалов, подвергаемых специальной механической обработке и последующей тепловой полимеризации. Работы по созданию покрытий на основе органо-силикатных материалов явились примером удачного использования результатов научных исследований в области синтеза новых кремнийорганических соединений для решения важных практических задач.

Никогда в прошлом вопросы высшего инженерного образования в области радиоэлектроники и электросвязи не занимали столь большого места в деятельности партийных и государственных органов, а также общественных организаций, как это имело место в течение последних 20 лет. Достаточно вспомнить, что за это время прошли три всесоюзных совещания по вопросам подготовки инженеров по радиотехнике, электронике и связи и были проведены посвященные тому же многие другие мероприятия, в частности открыты Радиотехнический институт в Рязани, Электротехнические институты связи в Новосибирске (1953 г.), Ташкенте (1955 г.) и Куйбышеве (1956 г.)

В 1947 г. состоялось Первое межведомственное совещание по подготовке инженеров по радиотехнике и электронике. Участниками совещания было уделено очень большое внимание организации подготовки радиоинженеров по новым тогда направлениям — радиолокации, сверхвысокочастотной электронике и только что зарождавшейся полупроводниковой технике. Важно отметить, что подготовка инженеров по радиотехнике и электронике в то время проводилась только в 8—10 высших учебных заведениях Министерства высшего образования СССР с общим ежегодным выпуском до 300 человек.

Второе межведомственное совещание по подготовке инженеров того же профиля происходило в июне 1955 г. На этом совещании были подведены итоги работы, проведенной Министерством высшего образования СССР за прошедшие 8 лет. В частности, отмечался быстрый количественный рост выпускников — инженеров по радиотехнике и электронике. Вместе с тем было установлено, что заявки министерств и ведомств на указанных выше специалистов все еще в значительной мере оставались без удовлетворения. Кроме того, отмечалось отсутствие подготовки инженеров по такой специальности, как конструирование и технология производства радиоаппаратуры. Это совещание происходило уже тогда, когда подготовка радиофизиков высшей квалификации велась в 7 университетах, а радиоинженеры, инженеры по электронике и по смежным областям готовились в 34 вузах страш,! с общим контингентом учащихся в 70 тыс. человек [4].