Растровая электронная

Прицельность анализа обеспечивается встроенным в прибор оптическим микроскопом. Значительное распространение получили комбинированные установки, включающие растровый электронный микроскоп (РЭМ) высокого разрешения (<:10 нм), рентгеновские спектрометры волновой дисперсии, рентгеновский спектрометр энергетической дисперсии, систему автоматизации процесса анализа и обработки полученных результатов с помощью ЭВМ.

— растровый электронный — Характеристики 497

Рис. 2.18. Треугольная аппроксимация видеосигнала строки растра (а) и схема измерения степени шероховатости поверхности (б): / — растровый электронный микроскоп; 2 — осциллограф; 3 — фотоаппарат; 4 — двухкоординатный плашиет; 5, 6 — аналого-цифровые преобразователи; 7 — ЭВМ

5. Сканирующий (растровый) электронный микроскоп (рис. 1.422). Зондирование образца производится с помощью острофокусированного электронного луча (диаметр 10 мм). Контрастность образуется за счет различия во вторичной электронной эмиссии. Большая глубина резкости (см. 1.11.4.6).

1 — Эпиквант; 2 — например, система Квантимета; 3—сканирующая система; 4 — монитор для контроля; 5 — электронное сканирование; 6 — дискриминатор; 7 — логический элемент (счетчик, запоминающее устройство, счетное устройство, программирование); 8 — получение и обработка сигнала; 9 — выдача данных; 10 — устройство для получения изображения (микроскоп, микрозонд, растровый электронный микроскоп); //—образец; 12 — блок управления движением объекта; 13 — механическая развертка

5. Сканирующий (растровый) электронный микроскоп (рнс. 1.422). Зондирование образца производится с помощью острофокусированного электронного луча (диаметр 10 мм). Контрастность образуется за счет различия во вторичной электронной эмиссии. Большая глубина резкости (см. 1.11.4.6).

1 — Эпиквант; 2 — например, система Кваитимета: 3 — сканирующая система; 4 — монитор для контроля; 5 — электронное сканирование; б — дискриминатор; 7 — логический элемент (счетчик, запоминающее устройство, счетное устройство, программирование); 8 — получение и обработка сигнала; 9 — выдача данных; 10 — устройство для получения изображения (микроскоп, микрозоид, растровый электронный микроскоп); //—образец; J2 — блок управления движением объекта; 13 — механическая развертка

3.1. Растровый электронный микроскоп

Растровый электронный микроскоп (РЭМ)1 •формирует изображение объекта при сканировании его поверхности электронным зондом. Это один из наиболее универсальных и перспективных приборов для исследования микроструктурных характеристик металлов. По темпам развития и количеству моделей РЭМ опережает просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ). Число микрофотографий, выполненных на РЭМ, приблизилось к числу микрофотографий, полученных с помощью светового микроскопа (СМ), и значительно превосходит ПЭМ. По растровой электронной микроскопии имеется несколько монографий [1—5] и обзоров [6—9], ежегодно издаются труды конференций н семинаров [10—12].

с — оптический микроскоп (хЕОО); б — растровый электронный микроскоп (х22 000)$ в, г — скаиограммы участка б с регистрацией рельефа на шлнфе соответственно Х750 н Х1200

Прицельность анализа обеспечивается встроенным в прибор оптическим микроскопом. Значительное распространение получили комбинированные установки, включающие растровый электронный микроскоп (РЭМ) высокого разрешения (<:10 нм), рентгеновские спектрометры волновой дисперсии, рентгеновский спектрометр энергетической дисперсии, систему автоматизации процесса анализа и обработки полученных результатов с помощью ЭВМ.

— растровый электронный — Характеристики 497

Одним из наиболее распространенных методов диагностики поверхности является растровая электронная микроскопия (РЭМ).

Помимо вышеописанной эмиссионной РЭМ, широкое применение нашла просвечивающая растровая электронная микроскопия. Просвечивающие растровые электронные микроскопы (ПРЭМ) позволяют изучать пленочные объекты, формируя на экране их фазово-контраст-ные изображения на атомном уровне. Изображение тонких образцов (фольг, пленок, толщина которых находится в пределах 0,01-0,2 мкм) формируется в электронах, прошедших через образец. Контраст изображения определяется процессами рассеяния и потерями энергии электронов зонда при столкновениях с атомами образца. Прошедшие через образец электроны регистрируются специальным детектором. В результате возникает возможность выявить различные по кристаллической структуре участки объекта, а также нарушения кристаллической структуры (субзерна, дефекты упаковки, дислокации). Растровую просвечивающую электронную микроскопию можно реализовать на базе эмиссионного РЭМ, если за пленочным образцом установить апертурную диафрагму и коллектор.

19. Энгелъ Л., Клингеле Г. Растровая электронная микроскопия. Разрушение.— М.: Металлургия, 1986

2) тепловая микроскопия электронная (эмиссионная высокотемпературная микроскопия, просвечивающая электронная тепловая микроскопия и растровая электронная тепловая микроскопия);

в) растровая электронная тепловая микроскопия, основанная на деформировании микрообразцов непосредственно в камере растрового электронного микроскопа при различных режимах теплового воздействия.

2.1. Краткая теория автоэмиссии (60). 2.2. Технология изготовления экспериментальных образцов (65). 2.3. Автоэлектронные микроскопы (73). 2.4. Анализаторы полных энергий автоэлектронов (83). 2.5. Растровая электронная микроскопия (87). 2.6. Измерения флуктуации автоэмиссионного тока (90). 2.7. Определение прочности эмиттирующих микровыступов (92). 2.8. Температурный режим автоэмиттеров (95). 2.9. Угловое распределение автоэлектронов (96). 2.10. Электронные системы (99).

2.5. РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ 87

2.5. Растровая электронная микроскопия

2.5. РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности.

Растровая электронная микроскопия (микрорентгеноспектральный анализ) применяется для прямого микроскопического исследования поверхности образца. Особенно целесообразно применение этого метода для изучения изображений изломов или коррозии поверхностей.