Свободными размерами

АМБИПОЛЯРНАЯ ДИФФУЗИЯ (от лат. ambo - оба и греч. polos - ось, полюс), двуполярная диффузия,- одноврем. перемещение заряженных частиц обоих знаков, происходящее в направлении падения их концентрации. Наблюдается, напр., в слабоионизов. плазме или в полупроводнике, обладающем свободными носителями заряда обоих знаков в Отсутствие магн. поля. А.д. играет важную роль в работе газоразрядных и ПП приборов, напр, совместно с рекомбинацией носителей заряда определяет время восстановления их равновесного состояния (в тиратронах, фотодиодах и др.). АМЕРИЦИЙ [назв. от слова «Америка», по месту открытия (США)] - ра-

Работа прибора основана на взаимодействии краевого СВЧ электрического поля резонатора со свободными носителями тока полупроводниковой пластины. Удельное сопротивление пластины определяется по величине потерь, вносимых исследуемым полупроводником в резонатор, а время жизни неравновесных носителей — по времени затухания фотопроводимости полупроводника после освещения его оптическими импульсами.

На рис. 5.9,в показана зонная структура германия, содержащего примесь индия. Непосредственно у потолка валентной зоны на расстоянии Еа « 0,01 эВ располагаются незаполненные уровни атомов индия. Близость этих уровней к заполненной валентной зоне приводит к тому, что уже при относительно невысоких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни. Связываясь с атомами индия, они теряют способность перемещаться в решетке германия и в проводимости не участвуют. Свободными носителями заряда являются лишь дырки, возникшие в валентной зоне.

яии которого потенциал поля в веществе со свободными носителями заряда уменьшается в е раз. Расчет показывает, что при небольшом относительном обогащении приповерхностной области полупроводника свободными носителями заряда

свободными носителями. Так как при достаточно больших обратных смещениях толщина этой области пропорциональна ]/V, то плотность тока обратно смещенного диода Шоттки должна изменяться по закону In/ ~ Vv. Поэтому обратная ветвь ВАХ диодов Шоттки не имеет участка насыщения (рис. 10.5, б).

Рис. 12.5. Поглощение света свободными носителями заряда

Поглощение света свободными носителями заряда. Свет может вызывать ' 1 'Переходы свободных носителей заряда с. одних уровней зоны на другие (рис. 12.5). Так как при таких переходах должен существенно изменяться импульс ' носителя, то они могут идти лишь с участием третьего тела. , Рис- 12А Примесное погло-

ми происходит следующим образом: носители заряда ускоряются в электрическом поле световой волны и, рассеиваясь ма;де-фектах кристаллической решетки, передают им свою энергию. Иными словами, энергия световой волны переходит в тепло 'благодаря эффекту Джоуля — Ленца. Классическая формула для коэффициента поглощения свободными носителями имеет следующий вид:

Для модуляции световых потоков можно использовать зависимость коэффициента поглощения у края собственной полосы от давления, внешнего электрического поля и концентрации свободных носителей заряда или зависимость поглощения света свободными! носителями от их концентрации.

пары, и меньше 1, если часть фотонов поглощается свободными носителями заряда.

Полагая, что поглощение света в полупроводниках происходит за счет внутризонных переходов, т. е. свободными носителями заряда, что в самом деле имеет место для ИК диапазона, коэффициент поглощения полупроводника n-типа можно представить в виде:

Предполагая, что преобладающим механизмом поглощения является поглощение свободными носителями заряда, величину (т) (т"1) можно найти графически (рис. 115) [154].

калибров или из новых рабочих калибров с наиболее „свободными" размерами (с наименьшими размерами для пробок и с наибольшими размерами для скоб);

ливке определяется свободными размерами, устанавливаются, как для простых отливок, по табл. 42.

Припуски на механическую обработку отверстий непосредственно влияют на решение вопроса об отверстиях в отливках. Припуски на обработку сопряженных отверстий приведены в табл. 70. Припуски на обработку несопряженных отверстий, положение которых на отливке определяется свободными размерами, см. гл. VI.

Расточник 3-г о разряда. Обработка на горизонтальных сверлиль-но-фрезерных станках определенных конструкций с подвижным столом простейших и неответственных деталей с одной установкой, со свободными размерами или по 3-му и 4-му классам точности при помощи разверток с применением спсцнальны>; кондукторов. Пред-

Шлифовальщик 3-го разряда. Обработка на шлифовальных станках определенных моделей простых, неответственных деталей по 3-му классу точности и со свободными размерами. Установка режима шлифования, подбор шлифовального круга и установка его под руководством мастера.

В нормали 22АТ52 устанавливаются допуски на свободные размеры. Под свободными размерами понимаются такие, допуски на которые не проставлены непосредственно у размеров.

Отклонения от правильной геометрической формы (овальность, огранка, конусность, выпуклость, вогнутость), биение относительно оси, несимметричность, непараллельность и неперпендикулярность поверхностей со свободными размерами допускаются в пределах поля допуска на соответствующие размеры.

Отклонения от правильного взаимного расположения поверхностей со свободными размерами, а также с размерами, оговоренными допусками, но без особого указания в чертежах об отклонениях от правильного расположения поверхностей допускаются в пределах суммы полей допусков сопоставляемых размеров (биение Б относительно А и непараллельность В относительно .Г).

Никель, хром, 6 — 9, 21 — 24 Детали со свободными размерами То же Внутри помещений, во влажной атмосфере

Детали со свободными размерами

При вырезке или пробивке деталей со свободными размерами, для которых не требуется направления полей допусков обязательно в тело детали, номинальные размеры матриц или пуансонрв берутся равными соответствующим номинальным размерам изделия и изготовляются по 4-му классу точности.