Вторичной кристаллизации

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии; имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность [3,4].

ВТОРИЧНОЕ СЫРЬЁ - материалы и изделия, к-рые после целенаправл. полного использования (износа) могут повторно применяться в произ-ве как исходное сырьё. B.C. являются металлич. лом, отходы произ-ва, отработавшие смазочные масла, бракованные детали, макулатура и др. ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ, электронный умножитель,- электронное устройство для усиления (умножения) потока электронов на основе вторичной электронной эмиссии. В.-э.у. либо входит в состав электровакуумных приборов (фотоэлектронного умножителя, электронно-оптического преобразователя, суперортикона и др.), либо представляет собой самостоят, элек-ровакуумный прибор для регистрации УФ излучения или частиц малых энергий (напр., электронов с энергией до 10-20 кэВ). Различают В.-э.у. с дискретными умножит, системами, состоящие из отд. динодов, и с распределёнными (непрерывными) ди-нодными системами (см. Каналовый электронный умножитель). Для изготовления дискретных динодов В.-э.у. используют, напр., сурьмяно-щелоч-ные соединения (их наносят в виде слоев на металлич. подложку); на 10-14 таких динодах достигнуто усиление 105-10 . В.-э.у. как приёмники излучения и частиц применяются в установках естеств. вакуума (при космич. исследованиях) и высоковакуумных измерит, устройствах (сканирующих электронных микроскопах, масс-спектрометрах и др.). ВТОРИЧНО-ЭМИССИОННЫЙ КАТОД -холодный катод, действие к-рого основано на явлении вторичной электронной эмиссии. Применяется в электронных и фотоэлектронных умножителях, магнетронного типа приборах и др. Наиболее распростране-

или тетроде), обусловленное вторичной электронной эмиссией с поверхности электродов (гл. обр. анода). Д.э. ограничивает усилит, возможности электронных ламп. Устраняется понижением потенциала в пространстве перед анодом путём введения дополнит, (т.н. защитной) сетки, соединённой с катодом (в пентодах), либо формированием плотного электронного пучка (в лучевых тетродах). ДИНОД [от греч. dyn(amis) - сила и (электр)од] - электрод нек-рых электровакуумных приборов (напр., вторично-электронного умножителя, фотоэлектронного умножителя), служащий для усиления (умножения) вследствие вторичной электронной эмиссии падающего на него потока электронов.

МОНОСКОП (от моно... и ...скоп) - передающий электроннолучевой прибор, формирующий электрич. сигнал одного неподвижного изображения (напр., ТВ испытат. таблицы), к-рое наносится на поверхность мишени прибора в-вами с разл. коэфф. вторичной электронной эмиссии. По принципу действия и устройству близок к иконоскопу. Применяется гл. обр. для проверки и настройки ТВ аппаратуры.

несущей частоты принимаемых сигналов (без изменения закона модуляции) в более низкую частоту, имеющую фиксированное значение (т. н. промежуточная частота), на к-рой осуществляется осн. усиление сигналов. По сравнению с радиоприёмником прямого усиления С. р. имеет гораздо большие чувствительность, селективность и коэфф. усиления. С. р.-наиболее распространённый тип приёмника в электросвязи, радиоастрономии, радиолокации и т.д. СУПЕРИКОНОСКОП (от лат. super -сверху, над и .иконоскоп) - передающий электроннолучевой прибор с накоплением заряда и переносом электронного изображения с фотокатода на диэлектрич. мишень. В отличие от иконоскопа в С. используются сплошной фотокатод и мишень, разделённые в пространстве. Накопление заряда и образование потенциального рельефа на мишени происходит за счёт вторичной электронной эмиссии при бомбардировке поверхности мишени фотоэлектронами. С. обеспечивает высокое качество передачи изображения при освещённости объектов 400-1000 лк. К нач. 1970-х гг. С. в осн. заменены передающими телевиз. трубками с более высокой чувствительностью (напр., суперортиконами).

электровакуумные или полупроводниковые приборы, преобразующие энергию электромагн. излучения оп-тич. диапазона в электрическую или изображение в невидимых (напр., инфракрасных) лучах в видимое изображение. Действие Ф.п. осн. на использовании фотоэффектов: внешнего (фотоэлектронной эмиссии) и внутреннего (фотопроводимости или фотоэдс). К Ф.п. относятся разл. фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электроннооптические преобразователи, усилители яркости изображения, а также передающие электроннолучевые приборы. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ (ФЭУ), фотоумножитель, - усилитель слабых фототоков, действие к-рого осн. на вторичной электронной эмиссии', разновидность фотоэлектронного прибора. Осн. узлы ФЭУ: фотокатод, эмитирующий электроны под действием оптич. излучения (фо-тоток), система динодов, обеспечивающая умножение электронов в результате вторичной электронной эмиссии, и анод- коллектор вторичных электронов. Общее усиление

В РЭМ различают два вида контраста изображения - т о п о -графический и композиционный [73]. Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен раз-личными значениями коэффициента вторичной электронной эмиссии.

рельефа, вызванное тем, что эти электроны, двигаясь по прямолинейным траекториям, не попадают с участков, закрытых каким-либо препятствием, например выступом на поверхности. Вторичные электроны имеют существенно меньшую энергию, и поэтому то же электростатическое поле сильно отклоняет их траекторию от первоначальной (после выхода с поверхности образца в сторону коллектора) и они могут давать изображение участков образца вне прямого движения электронов к коллектору. Для выявления топографического контраста вторичные электроны можно более эффективно использовать не только в связи с искривленностью их траекторий, но и потому, что интенсивность вторичной электронной эмиссии очень сильно меняется при изменении угла наклона бомбардируемого участка поверхности к падающему пучку электронов. При этом изображение в РЭМ воспринимается как трехмерное (т.е. объемное), что позволяет наблюдать структуру внутри относительно глубоких трещин или впадин. Это используется в фрактографии (в изучении изломов), при исследовании изношенных поверхностей и продуктов износа и т.д. Глубина резкости при максимальном разрешении 10 нм составляет несколько микрометров, а при разрешении 1-2 мкм она возрастает до сотен микрометров.

СУПЕРИКОНОСКбП (от лат. super — сверху, над п иконоскоп) — передающая телевизионная трубка с накоплением зарядов и с переносом изображения. В С.накопление заряда на мишени происходит с применением вторичной электронной эмиссии, вызываемой быстрыми электронами. Является развитием иконоскопа и имеет на порядок бблыпую чувствительность. Применяется в студийных передающих камерах телевиз. вещания.

ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ — электровакуумный прибор, в котором поток первичных электронов усиливается посредством вторичной электронной эмиссии. Э. у. с фотокатодом наз. фотоэлектронным умножителем. Э. у. применяется для увеличения силы электрич. тока в измерит, технике, автоматике, телевидении, звуковом кино, ядерной физике, в космич. исследованиях и др.

Пироэлектрические мишени являются хорошими изоляторами. Считывание электронным пучком распределения положительного потенциала, возникающего при нагревании мишени, приводит к накоплению отрицательного заряда на коммутируемой поверхности. Отрицательный относительно катода потенциал мишени выбывает закрывание прибора — пучок не коммутирует мишень и выходной сигнал отсутствует. Для устранения этого отрицательного эффекта на катод подается импульсное отрицательное напряжение во время обратного хода луча; при этом электронный пучок бомбардирует мишень с энергией, достаточной, для "возникновения вторичной электронной эмиссии с коэффициентом, большим единицы. Потеря отрицательно заряженных электронов повышает положительный потенциал поверхности и делает мишень готовой к дальнейшей работе.

дои фазы 'носит название вторичной кристаллизации в отличие от процесса первичной кристаллизации, когда кристаллы (первичные) образуются в жидкой фазе.

При вторичной 'Кристаллизации, вследствие изменения растворимости с изменением температуры выделяются вторичные кристаллы. Вторичная кристаллизация наблюдается и в том случае, если хотя бы один из компонентов претерпевает аллотропические превращения. Таким образом, превращения в твердом состоянии наблюдаются во всех тех случаях, при которых

На диаграмме состояния железо—цементит (рис. 1.7) линия ACD — линия ликвидуса, выше нее сплав находится в жидком состоянии; линия AECF — линия солидуса, ниже нее сплав находится в твердом состоянии. При температурах, соответствующих линии AECF заканчивается первичная кристаллизация. В точке С при концентрации углерода 4,3 % образуется эвтектика, которая носит название ледебурит. Линия PS/C — эвтектоидная линия, на которой заканчивается процесс вторичной кристаллизации. Линия PS— линия нижних критических точек А1, Линия GSE — начало процесса вторичной кристаллизации твердого раствора. Линия GS — линия верхних критических точек Ая; она показывает температуру выделения феррита из аустенита. Линия SE — линия верхних критических точек Ат\ она показывает температуру начала выделения вторичного цементита и является линией предельной растворимости углерода в аустените. Сплавы, содержащие до 2,14 % С, условно называют сталями, более 2,14 % С — чугунами. Сталь, содержащая 0,8 % С, называется эвтектоидной сталью; сталь, содержащая менее 0,8 % С — доэвтектоидной. Сталь, содержащая более 0,8 96 С — заэвтектоидной.

Кристаллы р, выделяющиеся из жидкости при первичной кристаллизации, являются первичными кристаллами и обозначаются (3i . Вторичные р-кристаллы, выделяющиеся из твердого раствора при вторичной кристаллизации, обозначаются (3ц. У сплава с концентрацией левее точки F вторичные выделения р-кристаллов отсутствуют.

Перлит (Я**)—это эвтектоидная смесь феррита и карбида (Fea --Fe3C), образующаяся из аустенита при вторичной кристаллизации и содержащая 0,8% С. Перлит может иметь пластинчатое (рис. 5.2,й) строение (если цементит в виде пластинок) или зернистое (рис. 5.2,е) строение (если цементит в виде зерен). В зависимости от строения твердость его 160—190 НВ (для зернистого) и 190—230 НВ (для пластинчатого). Зернистый перлит пластичней.

Рис. 13.17. Разделение сварных соединений стали на зоны, отражающие характер фазовых и структурных превращений: / — зона y^t-a превращений; /а — участок первичной и вторичной кристаллизации; 16 — участок полной перекристаллизации; /в — участок неполной перекристаллизации; 2 — зона превращений метастабильного металла; 2а — участок отпуска и рекристаллизации; 26 — участок воз-

1 В отличие от первичных кристаллов (<х1( PJ}, образующихся из жидкой фазы, вторичные кристаллы возникают внутри твердой фазы (т. н. вторичная кристаллизация). Продукты вторичной кристаллизации

СВЕТЛОВЙНА — дефект, обнаруживаемый на обработанных резанием поверхностях деформир. в горячем состоянии (катаной, кованой) стали, гл. обр. среднеуглеродистой, проявляющийся в виде полосок светлого тона. С. представляют собой вытянутые вдоль направления деформирования крупные образования феррита, выделившиеся при вторичной кристаллизации стали вокруг неметаллич. включений.

Вследствие стабильности аустенита вторичной кристаллизации не происходит, т. е. в процессе охлаждения металла после затвердевания сварочной ванны фиксируется структура, образованная в результате первичной кристаллизации.

Автор вводил бор в чугун в виде карбида бора и ферроборалла (70°/ В 52% А1 и 42% Si). Модифицирование белого чугуна небольшими присадками бора (0,004-0,007%) вызывает значительные изменения структуры. Бор уменьшает скорость роста дендри-тов аустенита и снижает температуру эвтектической кристаллизации Небольшие добавки бора увеличивают растворимость углерода в аустените, вызывая при вторичной кристаллизации выделение цшентита в виде длинных игл. Эвтектоид имеет тонкозернистое строение, на отдельных участках крупнопластинчатое.

Углеродистая сталь ввиду аллотропии железа при охлаждении стального слитка претерпевает вторичную кристаллизацию. Существовавшее при высокой температуре у-железо превращается в а-железо. В процессе этого превращения все первичные кристаллы дробятся на более мелкие вторичные кристаллы. Однако первичная структура в слитке может определять многие свойства металла после вторичной кристаллизации и даже после последующей ковки, прокатки и других операций обработки.