Зеркального изображения

шлейфовый осциллограф, -осциллограф, в к-ром исследуемые функцион. зависимости или сигналы отображаются световым лучом на экране и автоматически фиксируются на фотоплёнке или светочувствит. бумаге. Обычно состоит из набора шлейфов (элемент зеркального гальванометра в виде лёгкой петельки из очень тонкой проволоки с укреплённым на ней небольшим зеркальцем, помещаемой между полюсами пост, магнита), светооптич. системы, приспособления для протяжки носителя записи (фотоплёнки или светочувствит. бумаги) и устройства визуального наблюдения. Часто О.с. снабжают также отметчиком времени. В рабочем режиме сформиров. светооптич. системой световой луч, отразившись от зеркальца шлейфа, попадает на носитель записи и оставляет на нём

ФОТОВСПЫШКА - импульсный источник света для освещения объекта при фотосъёмке при недостаточной естеств. освещённости. Различают 2 типа Ф.: многократного применения - электронная, источником света в к-рой служит газосветная импульсная лампа, и одноразового действия - в виде стек, колбы, заполненной кислородом и алюм. фольгой (см. Лампа-вспышка]. ФОТОГАЛЬВАНОМЕТРЙЧЕСКИЙ КОМПЕНСАЦИОННЫЙ ПРИБОР измерительный - прибор для измерения очень малых электрич. токов или напряжений (до 10 пА и 1 н В соответственно). Состоит из зеркального гальванометра, фотоэлектрического усилителя и источника света пост, яркости. Измеряемый сигнал подаётся на гальванометр, зеркальце поворачивается, и освещённостьчув-ствит. элемента усилителя изменяется. Выходной усиленный сигнал сравнивается с измеряемым сигналом; при этом зеркальце гальванометра поворачивается до тех пор, пока эти

ОСЦИЛЛОГРАФ СВЕТОЛУЧЕВОЙ, ш л е й-фовый, вибраторны и,—измерит, прибор, в к-ром стрелочный указатель заменён записывающей системой, состоящей из зеркального гальванометра, наз. шлейфом, светооптич. системы и приспособления для протяжки носителя записи (фотоплёнки или светочувствит. бумаги), на к-ром фиксируются отклонения светового луча, отражённого зеркалом гальванометра. При помощи О. с. исследуют физ. процессы, частота к-рых не превышает 10—15 кГц. Скорость протяжки светочувствит. материала (носителя записи) от 1 до 5000 мм/с; можно одновременно регистрировать от 4 до 60 процессов; часто О. с. снабжают устройством для визуального наблюдения и отметчиком времени.

ФОТОГАЛЬВАНОМЕТРЙЧЕСКИЙ КОМПЕНСАЦИОННЫЙ ПРИБОР измерительны й-устройство для измерений слабых электрич. сигналов. Состоит из зеркального гальванометра, фотоэлектрического усилителя и источника света пост, яркости. Луч света через фокусирующую систему направляется на зеркальце гальванометра, отражаясь от к-рого попадает на светочувствит. элемент усилителя. Измеряемый сигнал подаётся на гальванометр, зеркальце поворачивается, и освещённость элемента изменяется. Выходной усиленный сигнал сравнивается с измеряемым сигналом, и зеркальце гальванометра поворачивается до тех пор, пока эти сигналы не уравновесят друг друга. Выпускаются различные типы многопредельных показывающих и самопишущих Ф. к. п. для измерений напряжения и силы тока от 1,5 мкВ и 0,015 мкА и выше, а также отд. фотогальванометрич. усилители.

rpy G2 [1 мм/м соответствует (0,5 — 0,8) • 10 цд]. При определении цены деления шкалы зеркального гальванометра последовательно с

Рис. 107. Двойная логарифмическая шкала зеркального гальванометра.

Методика эксперимента при работе с описанным калориметром сводилась к следующему. Калориметр предварительно нагревался в электропечи до температуры 60—65° С, после чего вставлялся в зону тепловой стабилизации исследуемого трубного пучка (зона после 3-го ряда трубок). Температура воздушного потока в аэродинамической трубе поддерживалась на уровне 50° С, максимальные перепады температур в начале опыта составляли 10—15° С, а в конце 3—5° С. В связи с использованием в опытах малых температурных перепадов измерение их необходимо выполнить с максимальной степенью точно- j сти. Только при этих условиях можно исключить влияние температуры на средний по поверхности коэффициент теплоотдачи конвекцией <хк и на физические свойства материала калориметра. Измерение перепадов температур рекомендуется осуществлять с помощью дифференциальной термопары в сочетании с чувствительным потенциометром, например, 10 X 10~6 в/мм при применении зеркального гальванометра.

Снятие поляризационных кривых осуществлялось прямым компенсационным методом с помощью потенциометра ППТВ-1 и зеркального гальванометра, как нуль-инструмента. Электролизером служил стеклянный сосуд (рис. 20), емкостью 250 см3; католит от знолита разделялся (что.5ы исключить возможность фоникновения кислорода и продуктов окисления поверхностно-активных веществ в католит) стеклянной гористой диафрагмой (размер пор 4—6 мк). Такой сравнительно большой объем (250 см") электролизера н применение растворимых анодов (ст. 10) позволяют -читать концентрацию ионов железа в растворе практически не меняющейся в течение опыта.

Остаточная бактерицидная облученность, прошедшая слой испытуемой воды, попадая на катод фотоэлемента, вызывает в цепи фотоэлемента фототек, измеряемый при помощи зеркального гальванометра.

Измерялась остаточная бактерицидная облученность при различной толщине слоя испытуемой воды. В результате этого исходная (на поверхности испытуемой воды) облученность ?о •исключается из определения, так как для вычисления коэффициента поглощения определенной воды достаточно знать величины Е1 и Е2 остаточной облученности для слоев этой воды двух различных толщин х\ и х2. Величны Е\ и. Е2 могут быть быть выражены в микроваттах или просто в делениях шкалы зеркального гальванометра.

/ — бактерицидная лампа типа БУВ-.5; 2 — стеклянная ванночка для инфицированной воды; 3 — селеновый фотоэлемент, покрытый виллемитом; 4~пусковая аи-, паратура для бактерицидной лампы; 5 — зеркальный гальванометр; в—шкала зеркального гальванометра с оптическим прибором для освещения маятника зеркального гальванометра

В результате исследований многих авторов [1, 7, 8, 12, 13, 16—23, 33, 34, 36] установлено, что электрооборудование, работающее в условиях влажного теплого климата, может быть серьезно повреждено совместным действием влаги и плесневых грибов. Это влияние проявляется различным образом. Прежде всего плесневые грибы действуют на органические электроизоляционные материалы (текстиль, кожу, дерево, пластические массы) и ухудшают их механические свойства и электрическую характеристику, например уменьшают сопротивление изоляции. Мицелий плесневых грибов может проникать внутрь материала и расти в полостях при неправильно выполненной системе изоляции, снижая внутреннее электрическое сопротивление материала и его пробивную прочность. Это ухудшение электрической характеристики происходит не только под влиянием большого содержания воды в мицелии, но и под воздействием продуктов обмена, выделяемых плесневыми грибами во время их роста. Продукты жизнедеятельности микроорганизмов могут вызывать коррозию металлических частей. У некоторых приборов, например у зеркального гальванометра, нити мицелия могут нарушить механическое функционирование прибора. На рис. 23—25 показано биологическое повреждение некоторых электротехнических материалов и изделий. Из обзорных работ о влиянии плесневых грибов на электротехнические материалы и электрооборудование следует особенно рекомендовать следующие: [2, 4, 9, 11, 27, 30, 31, 36].

хорошо видна интересная закономерность "зуС на кривых О(д) как бы повторяется на кривой d(x). Снижение микронапряжений п этом слое связано с уменьшением плотности дислокаций за счет "сил зеркального изображения". Уменьшение межплоскостных расстояний свидетельствует об уменьшении плотности точечных дефектов в имплантированном слое на глубине менее 0,1 мкм на фоне "разбухания" решетки до глубины 2 мкм.

На расстоянии х0 от поверхности кристалла порядка или меньше межатомного определить силы, удерживающие электрон в кристалле, довольно трудно и выражение (8.1) для х < х0 неприменимо. Но, к счастью, для большинства практически важных задач достаточно знать лишь полную высоту барьера, отсчитанную от дна зоны проводимости Ес, называемую внешней работой выхода хвн (рис. 8.1, б), высоту барьера, отсчитанную от уровня Ферми (л, которую называют термодинамической работой выхода Хо (рис. 8.1, в), и, наконец, потенциал силы зеркального изображения 'при х > х0, который может быть найден путем интегрирования выражения (8.1).

Этот вывод справедлив, однако, лишь для барьера прямоугольной формы. На самом же деле для электронов, идущих через пленку из одного металла в другой, барьер скруглен из-за действия сил зеркального изображения (рис. 10.4, а). При малой толщине пленки d это приводит к понижению высоты барьера на величину ДФ, равную, как показывает расчет, <721п2/4лее0<1 При d « 10~8 м Дф = 0,026 эВ. Подставив в (10.2) Ф0 — ДФ вместо Ф„, получим I" к, Л Г2 ехр — [(Ф0 — ДФ)//еТ] = / ехр ДФ//гТ. Для комнатной температуры kT — 0,025 эВ; полагая ДФ = 0,026 эВ, получаем I" та ej. Таким образом, учет сил зеркального изображения, по-

Рис. 10.4. Влияние Сил зеркального изображения на потенциальный барьер

Обратные токи барьера Шоттки с учетом сил зеркального изображения. Применим полученные результаты к запирающему контакту металл — полупроводник (барьеру Шоттки). Энергетическая диаграмма такого -контакта без учета сил зеркального изображения показана на, рис. 10.5, а. Учет сил зеркального изображения вызывает «округление» барьера и уменьшение его высоты (рис. 10.5, б). При приложении обратного смещения («минус» к металлу) высота барьера понижается согласно (10.5) пропорционально V~Vld, где d — толщина слоя диэлектрика. В рассматриваемом случае роль этого слоя играет приконтактная область полупроводника, обедненная

В. Мотт [44] полагал, что теплота хемосорбции облегчает обменные процессы на поверхности металла на начальной стадии взаимодействия с кислородом. Перестройка поверхности (обмен местами катионов металла и анионов кислорода) происходит тогда, когда энергия, обусловленная силами зеркального изображения кислородного иона больше энергии связи катиона в кристаллической решетке металла.

Мастер-штамп представляет собой штамп, рабочая полость которого имеет в плане прямоугольную или круглую форму (в зависимости от формы вставки). Донная-поверхность полости у нижнего штампа плоская, а у верхнего— выпуклая (в виде зеркального изображения полости штампуемой вставки с учётом усадки её при охлаждении, фиг. 506).

призма ВР=45° Jj\ /ydr , & = D; c = M14D; ния зеркального изображения с отклоне-

Трехгранная с = 1,4140; чения зеркального изображения с отклонением

1 — 3 — 7 — 5 — 8 — 6 — 2 — 4. Амплитуда момента в плоскости первого цилиндра условно направлена вверх. Рабочие процессы в третьем и первом цилиндрах сдвинуты один относительно другого по фазе на 90°, поэтому относительная амплитуда момента направлена под углом 90-0,5=45° к амплитуде, первого цилиндра; амплитуду в плоскости седьмого цилиндра — под углом 180-0,5= =90° и т. д. Такое же направление будут иметь вектора гармоник 4'/2, 8'/2, 12V2, ... , (4rt + 1/%)-го порядков. Для 3'/а, ^'/а. И'/г ..... (4 я — 1/2)-го порядков расположение векторов моментов будет в виде зеркального изображения рассмотренного случая. При геометрическом суммировании относительных амплитуд из формы колебаний для обеих групп гармоник фазовые диаграммы совпадают. Аналогично изложенному построены в

Это выражение получено в предположении параболической зависимости энергии электрона от волнового вектора и не учитывает: зависимость эффективной массы электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне двуокиси кремния; тепловое размытие распределения электронов по энергии в металлическом или полупроводниковом электродах; снижение высоты потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет этих факторов существенно усложняет аналитическое описание зависимости плотности туннельного тока от напряженности электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако, к значительным изменениям общего вида зависимости. Поэтому в большинстве практических случаев используется зависимость (2.1).

хорошо видна интересная закономерность: "зуб" на кривых о(лг) как бы повторяется на кривой d(x). Снижение микронапряжений в этом слое связано с уменьшением плотности дислокаций за счет "сил зеркального изображения". Уменьшение межплоскостных расстояний свидетельствует об уменьшении плотности точечных дефектов в "имплантированном слое на глубине менее 0,1 мкм на фоне "разбухания" решетки до глубины 2 мкм.